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孔洞聚丙烯驻极体膜中空间电荷与孔洞击穿电荷的俘获特性
被引量：
2
1
作者
赵敏
安振连
+2 位作者
姚俊兰
解晨
夏钟福
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期482-487,共6页
对孔洞聚丙烯(PP)驻极体膜系统的研究结果表明:孔洞PP膜中空间电荷的俘获特性随注入的空间电荷量或试样表面电位而变化,注入的电荷量较少时空间电荷主要被俘获在表面深陷阱和近表面次深陷阱中,较多的注入电荷量时空间电荷在进一步填充表...
对孔洞聚丙烯(PP)驻极体膜系统的研究结果表明:孔洞PP膜中空间电荷的俘获特性随注入的空间电荷量或试样表面电位而变化,注入的电荷量较少时空间电荷主要被俘获在表面深陷阱和近表面次深陷阱中,较多的注入电荷量时空间电荷在进一步填充表层(表面和近表面)陷阱的同时,还将填充体内浅陷阱;这三类陷阱中心所对应的电荷脱阱温度分别约为160℃,138℃和92℃.而孔洞击穿电荷不仅被俘获在与试样表层空间电荷陷阱相似的孔洞表层陷阱中,还有相当的量穿过孔洞表层进入体内、成为浅阱俘获孔洞击穿电荷.
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关键词
孔洞聚丙烯膜
空间电荷
孔洞击穿电荷
俘获
特性
原文传递
77KFowler－Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究
2
作者
刘卫东
李志坚
刘理天
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第8期601-606,共6页
本文研究７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性．发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷，使阈值电压下降；而栅边缘氧化层对电子的俘获明显增强，并高于室温下的对应值，从而导致ＮＭＯＳＦＥＴ...
本文研究７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性．发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷，使阈值电压下降；而栅边缘氧化层对电子的俘获明显增强，并高于室温下的对应值，从而导致ＮＭＯＳＦＥＴ关态特性变差，沟道电阻增大，以及电流驱动能力的显著降低；提出了栅边缘氧化层增强电子俘获的深能级中性陷阱机制．
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关键词
NMOSFET
电子注入
栅氧化层
俘获
特性
MOS器件
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职称材料
题名
孔洞聚丙烯驻极体膜中空间电荷与孔洞击穿电荷的俘获特性
被引量：
2
1
作者
赵敏
安振连
姚俊兰
解晨
夏钟福
机构
同济大学波耳固体物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期482-487,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:50677043)资助的课题~~
文摘
对孔洞聚丙烯(PP)驻极体膜系统的研究结果表明:孔洞PP膜中空间电荷的俘获特性随注入的空间电荷量或试样表面电位而变化,注入的电荷量较少时空间电荷主要被俘获在表面深陷阱和近表面次深陷阱中,较多的注入电荷量时空间电荷在进一步填充表层(表面和近表面)陷阱的同时,还将填充体内浅陷阱;这三类陷阱中心所对应的电荷脱阱温度分别约为160℃,138℃和92℃.而孔洞击穿电荷不仅被俘获在与试样表层空间电荷陷阱相似的孔洞表层陷阱中,还有相当的量穿过孔洞表层进入体内、成为浅阱俘获孔洞击穿电荷.
关键词
孔洞聚丙烯膜
空间电荷
孔洞击穿电荷
俘获
特性
Keywords
cellular polypropylene film,space charge,void breakdown charge,capture properties
分类号
O482 [理学—固体物理]
原文传递
题名
77KFowler－Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究
2
作者
刘卫东
李志坚
刘理天
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第8期601-606,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文研究７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性．发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷，使阈值电压下降；而栅边缘氧化层对电子的俘获明显增强，并高于室温下的对应值，从而导致ＮＭＯＳＦＥＴ关态特性变差，沟道电阻增大，以及电流驱动能力的显著降低；提出了栅边缘氧化层增强电子俘获的深能级中性陷阱机制．
关键词
NMOSFET
电子注入
栅氧化层
俘获
特性
MOS器件
Keywords
Gates (transistor)
Oxides
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
孔洞聚丙烯驻极体膜中空间电荷与孔洞击穿电荷的俘获特性
赵敏
安振连
姚俊兰
解晨
夏钟福
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
原文传递
2
77KFowler－Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究
刘卫东
李志坚
刘理天
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
0
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职称材料
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