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题名940nm大功率半导体激光器后工艺优化
被引量：1
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作者
王海阔
李建军
王元诚
王梦欢
袁泽旭
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机构
北京工业大学光电子技术教育部重点实验室
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出处
《半导体光电》
CAS
北大核心
2018年第5期612-615,622,共5页
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基金
光电子技术教育部重点实验室发展基金项目(PXM2017_014204_500034)
北京市教委能力提升项目(PXM2016_014204_500026)
+2 种基金
教师队伍建设-15青年拔尖项目(3011000543115002)
国家科技重大专项项目(2017YFB0402800
2017YFB0402803)
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文摘
波长为940nm的大功率半导体激光器是基于Yb∶YAG激光器的重要泵浦光源。为了制备高输出功率的940nm半导体激光器,基于非对称超大光腔波导外延结构,对芯片后制备工艺进行了优化。在芯片的侧向,引入了隔离双沟结构,以实现对侧向电流扩展的有效抑制,从而提高器件的性能。通过优化双沟的间距和深度,并结合长腔长结构,制备的940nm半导体激光器在室温且未采取任何主动散热的条件下,最高出光功率达到20.3W。
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关键词
半导体激光器
大功率
侧向电流扩展
隔离沟道
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Keywords
semiconductor lasers
high power
lateral current expansion
isolation trench
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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