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1064 nm侧向微结构宽脊波导半导体激光器
被引量:
5
1
作者
齐军
邹永刚
+3 位作者
范杰
杨晶晶
刘莹
马晓辉
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第13期39-46,共8页
1064 nm半导体激光器在光纤通信系统方面有重大应用,但随着脊波导宽度增加,出现输出模式增加,近场光斑"多瓣"现象,导致其光束质量降低,影响其光纤耦合效率。为此提出一种侧向微结构宽脊波导半导体激光器,根据其腔内各阶侧模...
1064 nm半导体激光器在光纤通信系统方面有重大应用,但随着脊波导宽度增加,出现输出模式增加,近场光斑"多瓣"现象,导致其光束质量降低,影响其光纤耦合效率。为此提出一种侧向微结构宽脊波导半导体激光器,根据其腔内各阶侧模光场分布特点,在宽脊两侧引入微结构,以此增大高阶侧模衍射损耗,提高高阶侧模阈值增益,增大基侧模与高阶侧模的阈值增益差,消除近场光斑"多瓣"现象,改善侧向光束质量。在条宽120μm、腔长1 mm的结构参数下,制作了宽脊波导半导体激光器和具有侧向微结构的激光器件。测试结果表明,在输入电流为0.5 A时,与宽脊波导半导体激光器相比,引入侧向微结构后器件输出功率提升了58.5%,斜率效率提升了80%,电光转换效率提升了55.9%。
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关键词
激光器
半导体激光器
侧向
微结构
侧向
模式
阈值增益
近场光斑
原文传递
侧向微结构宽脊波导分布反馈1.06μm半导体激光器
2
作者
郭郅冬
范杰
+2 位作者
王海珠
邹永刚
马晓辉
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期583-590,共8页
为了改善宽脊波导半导体激光器侧模特性和光谱特性,提出了一种具有侧向微结构脊波导和高阶脊表面光栅的分布反馈半导体激光器。该激光器在宽脊波导的两侧刻蚀微结构区,基于各阶侧模光场分布不同的特性,增大了谐振腔内基侧模与高阶侧模...
为了改善宽脊波导半导体激光器侧模特性和光谱特性,提出了一种具有侧向微结构脊波导和高阶脊表面光栅的分布反馈半导体激光器。该激光器在宽脊波导的两侧刻蚀微结构区,基于各阶侧模光场分布不同的特性,增大了谐振腔内基侧模与高阶侧模的损耗差,消除了远场光斑“多瓣”现象并且输出功率有所提升;同时,借助高阶脊表面光栅,器件的线宽得到了进一步压窄。在脊波导宽度50μm、腔长1 mm的情况下,与宽脊波导半导体激光器相比,制备的激光器件在0.6 A驱动电流下实现了对高阶侧模的抑制,输出功率、斜率效率、电光转换效率分别提升了16.4%、17.9%、15%,并且光谱特性得到了有效的改善,光谱线宽约为39 pm。
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关键词
半导体激光器
侧向
微结构
高阶Bragg光栅
侧向
模式
窄线宽
远场光斑
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职称材料
题名
1064 nm侧向微结构宽脊波导半导体激光器
被引量:
5
1
作者
齐军
邹永刚
范杰
杨晶晶
刘莹
马晓辉
机构
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第13期39-46,共8页
基金
吉林省科技发展计划项(20190302052GX,20200519018JH)
吉林省教育厅“十三五”科学技术项目(JJKH20190543KJ)。
文摘
1064 nm半导体激光器在光纤通信系统方面有重大应用,但随着脊波导宽度增加,出现输出模式增加,近场光斑"多瓣"现象,导致其光束质量降低,影响其光纤耦合效率。为此提出一种侧向微结构宽脊波导半导体激光器,根据其腔内各阶侧模光场分布特点,在宽脊两侧引入微结构,以此增大高阶侧模衍射损耗,提高高阶侧模阈值增益,增大基侧模与高阶侧模的阈值增益差,消除近场光斑"多瓣"现象,改善侧向光束质量。在条宽120μm、腔长1 mm的结构参数下,制作了宽脊波导半导体激光器和具有侧向微结构的激光器件。测试结果表明,在输入电流为0.5 A时,与宽脊波导半导体激光器相比,引入侧向微结构后器件输出功率提升了58.5%,斜率效率提升了80%,电光转换效率提升了55.9%。
关键词
激光器
半导体激光器
侧向
微结构
侧向
模式
阈值增益
近场光斑
Keywords
lasers
semiconductor laser
lateral microstructure
lateral mode
threshold gain
near-field spot
分类号
TN365 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
侧向微结构宽脊波导分布反馈1.06μm半导体激光器
2
作者
郭郅冬
范杰
王海珠
邹永刚
马晓辉
机构
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期583-590,共8页
基金
吉林省科技发展计划(20210201030GX,20210201089GX)资助项目。
文摘
为了改善宽脊波导半导体激光器侧模特性和光谱特性,提出了一种具有侧向微结构脊波导和高阶脊表面光栅的分布反馈半导体激光器。该激光器在宽脊波导的两侧刻蚀微结构区,基于各阶侧模光场分布不同的特性,增大了谐振腔内基侧模与高阶侧模的损耗差,消除了远场光斑“多瓣”现象并且输出功率有所提升;同时,借助高阶脊表面光栅,器件的线宽得到了进一步压窄。在脊波导宽度50μm、腔长1 mm的情况下,与宽脊波导半导体激光器相比,制备的激光器件在0.6 A驱动电流下实现了对高阶侧模的抑制,输出功率、斜率效率、电光转换效率分别提升了16.4%、17.9%、15%,并且光谱特性得到了有效的改善,光谱线宽约为39 pm。
关键词
半导体激光器
侧向
微结构
高阶Bragg光栅
侧向
模式
窄线宽
远场光斑
Keywords
semiconductor laser
high order Bragg grating
lateral microstructure
lateral mode
narrow line width
far-field spot
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1064 nm侧向微结构宽脊波导半导体激光器
齐军
邹永刚
范杰
杨晶晶
刘莹
马晓辉
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
5
原文传递
2
侧向微结构宽脊波导分布反馈1.06μm半导体激光器
郭郅冬
范杰
王海珠
邹永刚
马晓辉
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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职称材料
已选择
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