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题名一种用于5G移动通信基站的大功率射频开关
被引量：1
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作者
谷江
丁理想
高博
张晓朋
李沛鸣
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机构
河北新华北集成电路有限公司
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第2期128-132,162,共6页
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文摘
基于180 nm绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计了一款大功率、低插入损耗的单刀双掷(SPDT)反射式射频开关。提出了一种体区自适应偏置技术,无需偏置电阻对开关管体区进行偏置。采用并联电容补偿技术优化最大输入功率,在长期演进(LTE)9 dB峰均比(PAR)信号输入下,发射通道平均承受功率可达20 W。在3.5 GHz芯片发射通道的插入损耗为0.49 dB,0.1 dB压缩点的输出功率为47 dBm,隔离度为38 dB。在3.5 GHz芯片接收通道的插入损耗为0.43 dB,0.1 dB压缩点的输出功率为31 dBm,隔离度为38 dB。该射频开关芯片适用于5G移动通信LTE基站。
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关键词
射频开关
绝缘体上硅(SOI)
5G移动通信
基站
体区自适应偏置
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Keywords
RF switch
silicon-on-insulator(SOI)
5G mobile communication
base station
body self-adapting bias
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分类号
TN929.5
[电子电信—通信与信息系统]
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题名基于体区自适应偏置技术的5G基站射频开关研制
被引量：3
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作者
宁静
王彦博
陈丹妮
许晟睿
段小玲
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机构
西安电子科技大学微电子学院
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出处
《微型电脑应用》
2021年第5期90-92,共3页
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文摘
为了解决传统射频开关的芯片面积大、性价比低且集成难度高的问题,研究并设计了体区自适应偏置技术方案,并基于该技术采用180 nm规格SOI(绝缘体上硅)CMOS芯片设计了一种承受功率大、插入损耗低的5G基站射频开关。在基于新技术的设计方案中,取消了开关管体区的偏置电阻。通过并联电容补偿的方式提高输入功率上限,实验结果表明,射频开关的承受功率平均值达20 W,插入损耗可降至0.43 dB,对于5G通信基站的信号增强和能耗降损具有十分重要的作用。
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关键词
射频开关
5G基站
体区自适应偏置技术
绝缘体上硅
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Keywords
RF switch
5G base station
silicon self-adaptive switch
SOI
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分类号
TP311
[自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
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