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CVD金刚石膜的结构分析 被引量：18
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作者 刘存业 刘畅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1479-1483,共5页
利用x射线广角衍射和低角掠入射散射谱、正电子湮没谱、定性分析软件和Positronfit程序 ,研究了生长在Si( 10 0 )基底上的金刚石膜微结构 .研究发现 ,在样品邻近基底区域为纳米多晶结构 ,具有弱的 [111]织构 ;在邻近表面区域为微米多晶... 利用x射线广角衍射和低角掠入射散射谱、正电子湮没谱、定性分析软件和Positronfit程序 ,研究了生长在Si( 10 0 )基底上的金刚石膜微结构 .研究发现 ,在样品邻近基底区域为纳米多晶结构 ,具有弱的 [111]织构 ;在邻近表面区域为微米多晶结构 ,具有强的 [2 2 0 ]织构 .金刚石膜样品有空位、空位团和空洞 3种缺陷 ,其中主要缺陷是大约 展开更多
关键词 CVD 金刚石膜 结构分析 化学气相沉积 正电子湮没谱 x射线广角衍射 低角掠入射散 微结构 缺陷
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