为探测0．1～50MeV低能电子脉冲束流的位置分布，研制基于国产厚型气体电子倍增器（Thick Gaseous Electron Multiplier，THGEM）的二维位置探测器，位置分辨要求好于200gm，灵敏面积为50mm×50mm。THGEM的孔径为150gm、孔间距400p...为探测0．1～50MeV低能电子脉冲束流的位置分布，研制基于国产厚型气体电子倍增器（Thick Gaseous Electron Multiplier，THGEM）的二维位置探测器，位置分辨要求好于200gm，灵敏面积为50mm×50mm。THGEM的孔径为150gm、孔间距400pm、厚度100gm。用Geant4模拟了薄膜窗厚度、空气层厚度等对电子透过率和横向扩散的影响。根据模拟结果，优化了探测器的结构和设计。并用能量为5．9keV的X射线源55Fe测试不同工作气体的增益，单层最大增益好于1×10^4，双层最大增益好于6×10^4，能量分辨率好于23％。展开更多
文摘为探测0．1～50MeV低能电子脉冲束流的位置分布，研制基于国产厚型气体电子倍增器（Thick Gaseous Electron Multiplier，THGEM）的二维位置探测器，位置分辨要求好于200gm，灵敏面积为50mm×50mm。THGEM的孔径为150gm、孔间距400pm、厚度100gm。用Geant4模拟了薄膜窗厚度、空气层厚度等对电子透过率和横向扩散的影响。根据模拟结果，优化了探测器的结构和设计。并用能量为5．9keV的X射线源55Fe测试不同工作气体的增益，单层最大增益好于1×10^4，双层最大增益好于6×10^4，能量分辨率好于23％。
