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射频大功率器件TRL校准件的设计与制作
被引量:
1
1
作者
李树琪
《电子科学技术》
2016年第4期394-398,共5页
以LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)为代表的射频大功率器件已经在民用通信市场以其优异的性能和低廉的价格应用越来越广泛,对于这种射频大功率器件的器件水平和能力评估也越来越受到应用的关注。本文基于负载牵引系统,采用简单、便捷...
以LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)为代表的射频大功率器件已经在民用通信市场以其优异的性能和低廉的价格应用越来越广泛,对于这种射频大功率器件的器件水平和能力评估也越来越受到应用的关注。本文基于负载牵引系统,采用简单、便捷以及可重复使用的理念,使用常规的微带线阶梯型阻抗变换器电路为基础,充分考虑在应用测试中的偏置电路,进行前期使用ADS(Advanced Design System)仿真加后期验证,设计制造了低耗无串扰的TRL(Though Reflected Delay)校准件,为测试得到射频大功率器件的射频性能奠定了优异的基础。
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关键词
TRL
微带线
ADS仿真
低耗
无
串扰
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职称材料
题名
射频大功率器件TRL校准件的设计与制作
被引量:
1
1
作者
李树琪
机构
苏州远创达科技有限公司
出处
《电子科学技术》
2016年第4期394-398,共5页
文摘
以LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)为代表的射频大功率器件已经在民用通信市场以其优异的性能和低廉的价格应用越来越广泛,对于这种射频大功率器件的器件水平和能力评估也越来越受到应用的关注。本文基于负载牵引系统,采用简单、便捷以及可重复使用的理念,使用常规的微带线阶梯型阻抗变换器电路为基础,充分考虑在应用测试中的偏置电路,进行前期使用ADS(Advanced Design System)仿真加后期验证,设计制造了低耗无串扰的TRL(Though Reflected Delay)校准件,为测试得到射频大功率器件的射频性能奠定了优异的基础。
关键词
TRL
微带线
ADS仿真
低耗
无
串扰
Keywords
TRL
Microstrip
ADS Simulation
Low Loss And No Crosstalk
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
射频大功率器件TRL校准件的设计与制作
李树琪
《电子科学技术》
2016
1
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引证文献
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