低电容TVS用常压外延工艺研究 被引量：5

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作者 仲张峰 尤晓杰 +3 位作者 王银海 邓雪华 魏建宇 杨帆 《电子与封装》 2018年第9期33-35,共3页

低电容瞬态电压抑制器(TVS)由高阻外延的雪崩二极管与低阻衬底的导引二极管组合而成。区别于常规的单片减压外延工艺,在常压外延条件、多片生长模式下,通过衬底背面的自吸硅以及低温长缓冲层工艺,有效抑制了外延过程中的自掺杂,在P型重... 低电容瞬态电压抑制器(TVS)由高阻外延的雪崩二极管与低阻衬底的导引二极管组合而成。区别于常规的单片减压外延工艺,在常压外延条件、多片生长模式下,通过衬底背面的自吸硅以及低温长缓冲层工艺,有效抑制了外延过程中的自掺杂,在P型重掺衬底上生长出薄层高阻的N型外延层,降低了低电容TVS雪崩二极管的反向击穿电压,提高了浪涌抑制能力。 展开更多

关键词 瞬态电压抑制器(TVS) 低电容 常压外延 自掺杂 纵向载流子分布(SRP)

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Littelfuse推出四个新系列的瞬态抑制二极管阵列

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作者 郑畅 《半导体信息》 2015年第3期30-31,共2页

Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,近日推出四款通用ESD保护瞬态抑制二极管阵列(SPA?Diode)解决方案,这些解决方案相比业内同类产品占据的电路板空间更小。SP1013和SP1014瞬态抑制二极管阵列符合标准0201封装尺寸,但相比其他... Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,近日推出四款通用ESD保护瞬态抑制二极管阵列(SPA?Diode)解决方案,这些解决方案相比业内同类产品占据的电路板空间更小。SP1013和SP1014瞬态抑制二极管阵列符合标准0201封装尺寸,但相比其他0201解决方案,其所需的电路板空间减少了30%,组件之间的间隙更大。SP1020和SP1021系列采用业内最小的ESD保护封装尺寸——01005倒装芯片,同时其电容值比业内类似解决方案低近78%。所有四款产品均配有背对背齐纳二极管。 展开更多

关键词 瞬态抑制二极管 Littelfuse 电路板空间 封装尺寸 齐纳二极管 倒装芯片 电路保护 静电放电 电容值 低电容

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美高森美推出同级最佳低电容瞬态电压抑制二极管

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作者 郑畅 《半导体信息》 2015年第6期5-7,共3页

美高森美公司发布独特的全新专利超低电容功率瞬态电压抑制(TVS)二极管产品系列。新器件充分利用公司在高可靠性TVS技术领域的50年传统优势和独特的射频(RF)PIN二极管专门技术,以保护高速数据线路和其它应用,这些应用的电容量严苛要求,... 美高森美公司发布独特的全新专利超低电容功率瞬态电压抑制(TVS)二极管产品系列。新器件充分利用公司在高可靠性TVS技术领域的50年传统优势和独特的射频(RF)PIN二极管专门技术,以保护高速数据线路和其它应用,这些应用的电容量严苛要求,大大超过用于保护以太网及速率不高于500Mbit/s的数据接口的其它典型低电容TVS器件。 展开更多

关键词 低电容 数据线路 瞬态电压 专门技术 电容量 玻璃封装 瞬变 瞬态过电压 航空电子 商业世界

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一种具有预驱动电路的低抖动LVDS驱动器

4

作者 吴付豪 郭良权 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期183-186,共4页

传统LVDS驱动器由于电源不稳定、驱动器与传输线之间阻抗不匹配等不良因素的影响,输出波形会出现抖动,质量下降。在传统LVDS驱动器的基础上,设计了一种新颖的LVDS驱动电路。该电路采用预驱动技术,控制输出电压的翻转和减少总输入电容,... 传统LVDS驱动器由于电源不稳定、驱动器与传输线之间阻抗不匹配等不良因素的影响,输出波形会出现抖动,质量下降。在传统LVDS驱动器的基础上,设计了一种新颖的LVDS驱动电路。该电路采用预驱动技术,控制输出电压的翻转和减少总输入电容,输出波形较为平滑。采用0.18μm工艺对电路进行仿真。结果显示,电路输出波形摆幅为0.345V,输出共模电压为1.17V,总输入电容为72fF。 展开更多

关键词 低电压差分信号 预驱动电路 驱动器 低抖动 低电容

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恩智浦半导体推出首款无引脚封装产品

5

作者 章从福 《半导体信息》 2010年第6期26-27,共2页

关键词 恩智浦半导体 引脚封装 首款 开关二极管 低电容 薄型 塑料封装 目视检测 之选 产品设计

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Littelfuse推出为快速充电外围设备而优化的低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列

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作者 赵佶 《半导体信息》 2015年第1期10-11,共2页

Littelfuse公司推出SP1255P系列低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列(SPA),其旨在为电流密集型应用提供一流的ESD保护,例如快速充电外围设备或电源USB。SP1255P系列集成了三通道超低电容控向二极管和一个低压瞬态抑制二级管,可按IEC 61000-... Littelfuse公司推出SP1255P系列低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列(SPA),其旨在为电流密集型应用提供一流的ESD保护,例如快速充电外围设备或电源USB。SP1255P系列集成了三通道超低电容控向二极管和一个低压瞬态抑制二级管,可按IEC 61000-4-2标准对USB数据和ID针脚提供最大的防静电保护。其动态电阻仅为0.3Ω,相比类似硅解决方案可将箝位电压至多降低23%。工作电压为12V的高浪涌电流保护设备将被用于Vbus保护; 展开更多

关键词 低电容 瞬态抑制二极管 ESD保护 Littelfuse 快速充电 静电保护 浪涌电流 三通道 箝位 二级管

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基于PIN硅像素探测器的新型低电容结构设计与仿真

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作者 孙泽亮 郭秦文 +1 位作者 龙强 李正 《湘潭大学学报（自然科学版）》 CAS 2018年第4期19-22,共4页

设计的新型低电容硅像素探测器是基于减少有效几何电极面积,同时保持探测器有效体积不变的思想提出的.借助半导体器件仿真软件(Sentaurus TCAD)对探测器的电特性,包括静电势、电场、电子浓度和电容进行了仿真,并与传统硅像素探测器对比... 设计的新型低电容硅像素探测器是基于减少有效几何电极面积,同时保持探测器有效体积不变的思想提出的.借助半导体器件仿真软件(Sentaurus TCAD)对探测器的电特性,包括静电势、电场、电子浓度和电容进行了仿真,并与传统硅像素探测器对比,从而得到新型硅像素探测器比传统硅像素探测器电容小的结论 . 展开更多

关键词 像素探测器 低噪音 低电容

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电场无线电能传输研究

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作者 马世勇 武丽霞 《内江科技》 2017年第4期64-64,153,共2页

无线电力传输(WPT)是典型的电感耦合、磁共振和与电场有关的技术。其中,电场无线电能传输具有很多优势,例如结构简单、低功率损耗、降低电磁干扰并且具有能够通过金属障碍的能力。本文主要在6.78 MHz情况下对电场无线电能传输系统进行... 无线电力传输(WPT)是典型的电感耦合、磁共振和与电场有关的技术。其中,电场无线电能传输具有很多优势,例如结构简单、低功率损耗、降低电磁干扰并且具有能够通过金属障碍的能力。本文主要在6.78 MHz情况下对电场无线电能传输系统进行研究。本文提出的WPT系统由一个6.78 MHz的D类变流器组成,该变流器包括一个低电容(LC)的过滤器、一个位于发射器和接收器之间的电容器和一个阻抗变换器。该系统使用一个5.5 W的原型作为移动充电设备来验证。 展开更多

关键词 电能传输 电力传输 充电设备 阻抗变换器 电磁干扰 低电容 感应耦合 输出电压 负载范围 功率传输

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电机安装伺服驱动器

9

《伺服控制》 2015年第6期20-21,共2页

前言 一台机器越大,并且它所提供的选项越灵活,它就越能从模块化的机电单元组成的硬件和软件中受益。随着大量轴与安全技术应用而来的复杂性进一步加剧了对自动化解决方案的要求。贝加莱已经在其自动化产品中引入了ACOPOSmotor用于精... 前言 一台机器越大,并且它所提供的选项越灵活,它就越能从模块化的机电单元组成的硬件和软件中受益。随着大量轴与安全技术应用而来的复杂性进一步加剧了对自动化解决方案的要求。贝加莱已经在其自动化产品中引入了ACOPOSmotor用于精确地处理这类应用。该系统是目前市场上唯一无需降额就能自己处理整个机器模块的电机安装伺服驱动器。 展开更多

关键词 伺服驱动器 电机安装 贝加莱 降额 低电容 无缝集成 驱动单元 维护阶段 选件 互操作性

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GaN与GaAs在无线领域的应用前景

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作者 马莉雅 《半导体信息》 2011年第4期32-34,共3页

在CS Europe 201 1德国法兰克福会议上,TriQuint的企业高级技术总监Otto Berger与RFMD基础设施产品组副总裁Jeffrey shealy就化合物GaN与GaAs半导体技术在无线领域的应用前景发表了讲话。

关键词 德国法兰克福 GAN 半导体技术 Berger 副总裁 线路放大器 基础设施 芯片制造 通信设备 低电容

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工艺参数对低电容TVS器件耐压的影响

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作者 陈天 谷健 郑娥 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期180-186,共7页

分析了低压低电容TVS器件的击穿原理,从NPLUS集电极区杂质浓度、杂质注入能量及退火激活温度三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响,最终优化选择了工艺参数并制作了低压TVS器件。低压低电容TVS器件采用集成工艺将低电容二极管与TV... 分析了低压低电容TVS器件的击穿原理,从NPLUS集电极区杂质浓度、杂质注入能量及退火激活温度三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响,最终优化选择了工艺参数并制作了低压TVS器件。低压低电容TVS器件采用集成工艺将低电容二极管与TVS管集成在同一芯片上,解决了实际应用中低电容的需求。通过传输线脉冲测试器件展现了优良的抗ESD能力,有利于对主器件实施更可靠的保护。 展开更多

关键词 瞬态电压抑制器 击穿电压 低电容

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将电路保护用于汽车电子领域

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作者 Barry Brent 《今日电子》 2015年第1期31-32,共2页

现代汽车中的电子设备大大增加,这归功于消费者对车载娱乐设备——或＂信息娱乐＂——系统和功能的需求,例如智能手机坞站、USB端口,以及卫星无线电。新上市的汽车以带有GPS导航系统、内部和外部LED照明,以及其他先进功能作为亮点。政... 现代汽车中的电子设备大大增加,这归功于消费者对车载娱乐设备——或＂信息娱乐＂——系统和功能的需求,例如智能手机坞站、USB端口,以及卫星无线电。新上市的汽车以带有GPS导航系统、内部和外部LED照明,以及其他先进功能作为亮点。政府对安全性能的规定也为车载电子的蓬勃发展增添了动力。例如,倒车摄像头（backup camera）将在2018年成为美国新车的强制性要求。 展开更多

关键词 电路保护 娱乐设备 强制性要求 BACKUP CAMERA 信息娱乐 照明系统 低电容 导航系统 电子设备

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片上多通道低电容系统级静电防护电路设计

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作者 许建蓉 汪西虎 +1 位作者 刘伟 李晶 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期930-935,941,共7页

为提高Type-C接口的静电防护性能,提出了基于导流二极管与栅极耦合结构的静电防护架构,用于接口的低压、高压端口。采用齐纳二极管辅助触发的栅极耦合结构(ZCNMOS)泄放静电放电(ESD)大电流,降低触发电压,消除栅接地的NMOS(GGNMOS)中叉... 为提高Type-C接口的静电防护性能,提出了基于导流二极管与栅极耦合结构的静电防护架构,用于接口的低压、高压端口。采用齐纳二极管辅助触发的栅极耦合结构(ZCNMOS)泄放静电放电(ESD)大电流,降低触发电压,消除栅接地的NMOS(GGNMOS)中叉指器件不均匀导通的现象;通过大角度离子注入技术,提高器件的ESD防护能力;同时对导流二极管版图进行优化,提高了PN结的周长面积比,减小寄生电容。测试结果表明,器件过流能力由4 mA/μm提高到10 mA/μm,提升了1.5倍;低压端口和高压端口的二次失效电流均大于25 A,抗静电能力达到IEC 61000-4-2接触放电±8 kV,气隙放电±15 kV;CCX端口、SBUX端口和D+、D-端口电容分别为74,6和1.7 pF,满足低电容特性。 展开更多

关键词 系统级ESD ZCNMOS 导流二极管 低电容 TLP测试

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SiC功率半导体元件的沟道MOSFET即将实用化

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作者 赵佶 《半导体信息》 2013年第6期5-7,共3页

高品质的150 mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板,在2015年投产‘沟道型’SiC MOSFET。在2013年10月举办的"CEATECJAPAN2013"上,电装展示了SiC的相关技术。其中包括了两大"惊喜"。

关键词 SIC 半导体元件 电装 导通电阻 基板 相关技术 外延层 漏极 平面型 低电容

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Littelfuse推出超低电容TVS二极管阵列

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作者 郑畅 《半导体信息》 2014年第6期25-26,共2页

Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,宣布推出SP3022系列低电容ESD保护TVS二极管阵列(SPA二极管)。这些0.35pF、20kV双向(背对背)离散式TVS二极管可以在不降低性能的情况下,安全吸收高于IEC61000-4-2国际标准最高等级的反复性... Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,宣布推出SP3022系列低电容ESD保护TVS二极管阵列(SPA二极管)。这些0.35pF、20kV双向(背对背)离散式TVS二极管可以在不降低性能的情况下,安全吸收高于IEC61000-4-2国际标准最高等级的反复性ESD放电。存在交流信号时。 展开更多

关键词 低电容 Littelfuse TVS 二极管阵列 电路保护 离散式 交流信号 瞬态抑制二极管 背对背

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一种高增益低应力DC/DC升压变换器 被引量：6

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作者 曾怡达 谭金练 田富升 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2019年第10期108-110,120,共4页

随着风能、氢能等新能源的开发与利用变得越来越重要,高增益DC/DC变换器得到了广泛研究。此处依据传统Boost变换器的工作原理,构建了同种原理不同结构的新型DC/DC升压变换器,并采用单开关级联技术提高了变换器的升压能力,得到了高增益... 随着风能、氢能等新能源的开发与利用变得越来越重要,高增益DC/DC变换器得到了广泛研究。此处依据传统Boost变换器的工作原理,构建了同种原理不同结构的新型DC/DC升压变换器,并采用单开关级联技术提高了变换器的升压能力,得到了高增益低应力DC/DC升压变换器。此处理论分析了高增益低应力DC/DC升压变换器的工作原理及电容电压应力,并与传统Boost变换器、传统二次型Boost变换器、Buck-Boost和Boost级联变换器的增益、电容电压应力进行比较。结果显示该变换器具备高增益特性,且拥有更低的电容电压应力,从而有效减小变换器体积,提升变换器功率密度。最后在理论研究的基础上搭建了一台基于SiC功率器件的实验样机,实验结果验证了理论分析的正确性。 展开更多

关键词 变换器 高增益 低电容电压应力

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低电容用量高纹波MMC的三次谐波电压注入方法 被引量：5

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作者 孟经伟 周月宾 +1 位作者 张楠 宋强 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2021年第2期1-8,共8页

针对高纹波模块化多电平换流器(Modular Multilevel Converter,MMC)在感性工况下输出电压能力和功率能力受限问题,对基于三次谐波电压注入的高纹波MMC进行了研究。考虑了MMC电容电压波动的影响,对三次谐波电压注入下MMC电压的输出能力... 针对高纹波模块化多电平换流器(Modular Multilevel Converter,MMC)在感性工况下输出电压能力和功率能力受限问题,对基于三次谐波电压注入的高纹波MMC进行了研究。考虑了MMC电容电压波动的影响,对三次谐波电压注入下MMC电压的输出能力进行了分析,揭示了在不同运行工况下三次谐波注入对MMC最大调制比的提高能力不同。基于感性工况下的调制比可提高程度大于容性工况的特性,提出了高纹波MMC的三次谐波电压注入方法,可弥补感性工况下高纹波运行方式导致的输出电压和无功能力的缺失,将高纹波MMC的输出功率范围扩展到与常规MMC接近,克服了高纹波MMC感性无功输出能力严重受限问题。仿真结果验证了所提方法的有效性。 展开更多

关键词 模块化多电平换流器 低电容用量 三次谐波电压注入

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一款双通道抗静电保护电路设计

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作者 于洪洲 徐叔喜 沈吉 《电子制作》 2023年第3期45-48,共4页

文章介绍了一种双通道抗静电保护电路的设计过程和设计方法,并通过仿真计算验证了设计结果的正确性,最后介绍了版图设计的要点及工艺加工的关键难点。该保护电路主要用于USB端口的抗静电保护,比如计算机、笔记本电脑的USB接口,和U盘、... 文章介绍了一种双通道抗静电保护电路的设计过程和设计方法,并通过仿真计算验证了设计结果的正确性,最后介绍了版图设计的要点及工艺加工的关键难点。该保护电路主要用于USB端口的抗静电保护,比如计算机、笔记本电脑的USB接口,和U盘、手机等移动数据终端的USB接口。 展开更多

关键词 ESD 静电 低电容TVS结构

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瞬时功率聚合传输的低电容值大功率级联型风力发电系统 被引量：2

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作者 张永磊 朱朋 +3 位作者 原熙博 彭新 李炎 伍小杰 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2022年第7期2759-2767,共9页

随着海上风电机组单机容量的不断增加,传统低压两电平背靠背变流器存在额定电流过大、解揽困难等问题,难以满足10~20MW大型海上风电机组功率变换需求。为此,提出了一种基于瞬时功率聚合传输的中压大容量级联H桥风电变流器拓扑结构。该... 随着海上风电机组单机容量的不断增加,传统低压两电平背靠背变流器存在额定电流过大、解揽困难等问题,难以满足10~20MW大型海上风电机组功率变换需求。为此,提出了一种基于瞬时功率聚合传输的中压大容量级联H桥风电变流器拓扑结构。该拓扑利用四端口DC/DC变换器进行电气隔离。并给出了一种基于瞬时功率聚合传输的控制方法,将级联H桥三相H桥单元的低频脉动功率进行聚合传输,消除级联H桥的直流侧低频脉动电压。相比于常规级联H桥风电变流器,所提拓扑不需要多绕组工频变压器隔离,并且可以大幅降低所需的低频滤波电容,具有功率密度高、成本低、可靠性高(直流滤波电容)的优势。最后搭建了小功率模拟实验平台,验证了所提拓扑及控制策略的有效性。 展开更多

关键词 风力发电 低频脉动功率 级联H桥 低电容值

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Littelfuse低电容瞬态抑制二极管阵列可减少高速应用中的信号衰减和失真

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《世界电子元器件》 2017年第4期37-37,共1页

Littelfuse公司作为全球电路保护领域的领先企业,宣布推出了针对可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供八通道超低电容常规模式和差分模式保护的瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)系列产品。SP8008系列低电容瞬态抑制二极管阵列可防... Littelfuse公司作为全球电路保护领域的领先企业,宣布推出了针对可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供八通道超低电容常规模式和差分模式保护的瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)系列产品。SP8008系列低电容瞬态抑制二极管阵列可防范超过IEC 61000-4-2±8k V接触ESD等级的ESD事件,同时避免任何性能减退。更低的负载电容(仅为0.3p F,典型值)还让这些组件成为保护V-by-One、嵌入式DisplayPort、HDMI1.0至2.1以及USB2.0/3. 展开更多

关键词 瞬态抑制 低电容 Littelfuse 信号衰减 二极管阵列

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