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用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜
被引量：
2
1
作者
刘召军
孟志国
+3 位作者
赵淑云
郭海成
吴春亚
熊绍珍
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期2775-2782,共8页
采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内...
采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论.
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关键词
自缓释
金属诱导横向晶化
多晶硅薄膜
低温
制备
与
退火
原文传递
题名
用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜
被引量：
2
1
作者
刘召军
孟志国
赵淑云
郭海成
吴春亚
熊绍珍
机构
南开大学信息学院光电子薄膜器件与技术研究所
香港科技大学电子及计算机工程系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期2775-2782,共8页
基金
国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030)
天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400)资助的课题~~
文摘
采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论.
关键词
自缓释
金属诱导横向晶化
多晶硅薄膜
低温
制备
与
退火
Keywords
tardily self-release
metal induced lateral crystallization
poly-silicon thin film
low temperature preparation and annealing treatment
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜
刘召军
孟志国
赵淑云
郭海成
吴春亚
熊绍珍
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
原文传递
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