期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
用于光电集成的GaAs/InP MESFET研究
1
作者 陈松岩 刘宝林 +4 位作者 陈龙海 王本忠 刘式墉 陈朝 黄美纯 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期212-215,共4页
提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在InP衬底上生长出高质量GaAs外延材料，用X射线双晶衍射测得5μm厚GaAs外延层的（004）品面行射半高峰宽（FWHM）低至140arcsee。并制出GaAs金属半导体场效应晶体管（M... 提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在InP衬底上生长出高质量GaAs外延材料，用X射线双晶衍射测得5μm厚GaAs外延层的（004）品面行射半高峰宽（FWHM）低至140arcsee。并制出GaAs金属半导体场效应晶体管（MESFET），其单位跨导为100mS／mm，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。 展开更多
关键词 低压movpe 场效应晶体管 异质外延 砷化镓
下载PDF
在6H-SiC衬底上用低压MOVPE法生长AlN和GaN的过程中用(AlN/GaN)多层缓冲层来控制残余应力(英文)
2
作者 Horie M Ishihara Y +1 位作者 Takano T Kawanishi H 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期5-9,共5页
人们已提出用BAlGaN四元系材料制备紫外光谱区的光发射器件。GaN和AlN二元系是这种四元材料在器件应用中的基础材料。 6H SiC衬底在氮化物生长中因其晶格失配小是一大优势 ,而且SiC衬底的热膨胀系数也和AlN的很接近。然而 ,对于AlN外延... 人们已提出用BAlGaN四元系材料制备紫外光谱区的光发射器件。GaN和AlN二元系是这种四元材料在器件应用中的基础材料。 6H SiC衬底在氮化物生长中因其晶格失配小是一大优势 ,而且SiC衬底的热膨胀系数也和AlN的很接近。然而 ,对于AlN外延层来说 ,需要控制其中的残余应力 ,因为在SiC衬底上直接生长的AlN外延层中存在着因晶格失配所产生的压缩应力。另一方面 ,在SiC衬底上直接生长的GaN外延层中存在着拉伸应力。这种拉伸应力起源于GaN比衬底有着更大的热膨胀系数。本文讨论了在 6H SiC衬底上生长的氮化物外延层中残余应力的类型、数量及控制。为此目的 ,提出了在 6H SiC衬底上 ,无论是生长AlN ,还是生长GaN ,都可以采用 (GaN/AlN)多层缓冲层的办法 ,作为控制残余应力的有效方法。我们还讨论了AlN和GaN外延层的结晶质量和残余应力间的关系。 展开更多
关键词 残余应力控制 AlN和GaN外延层 (AlN/GaN)多缓冲层 低压movpe
下载PDF
在6H-SiC衬底上用低压MOVPE法生长AlN和GaN的过程中用(AlN/GaN)多层缓冲层来控制残余应力
3
作者 Ishihara Y Kawanishi H Takano T Horie M 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期5-9,共5页
人们已提出用BAlGaN四元系材料制备紫外光谱区的光发射器件.GaN和AlN二元系是这种四元材料在器件应用中的基础材料.6H-SiC衬底在氮化物生长中因其晶格失配小是一大优势,而且SiC衬底的热膨胀系数也和AlN的很接近.然而,对于AlN外延层来说... 人们已提出用BAlGaN四元系材料制备紫外光谱区的光发射器件.GaN和AlN二元系是这种四元材料在器件应用中的基础材料.6H-SiC衬底在氮化物生长中因其晶格失配小是一大优势,而且SiC衬底的热膨胀系数也和AlN的很接近.然而,对于AlN外延层来说,需要控制其中的残余应力,因为在SiC衬底上直接生长的AlN外延层中存在着因晶格失配所产生的压缩应力.另一方面,在SiC衬底上直接生长的GaN外延层中存在着拉伸应力.这种拉伸应力起源于GaN比衬底有着更大的热膨胀系数.本文讨论了在6H-SiC衬底上生长的氮化物外延层中残余应力的类型、数量及控制.为此目的,提出了在6H-SiC衬底上,无论是生长AlN,还是生长GaN,都可以采用(GaN/AlN)多层缓冲层的办法,作为控制残余应力的有效方法.我们还讨论了AlN和GaN外延层的结晶质量和残余应力间的关系. 展开更多
关键词 残余应力控制 AlN和GaN外延层 (AlN/GaN)多缓冲层 低压movpe
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部