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题名星载高可靠性Ku波段GaN功率放大器芯片
被引量：1
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作者
肖玮
金辉
余旭明
陶洪琪
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机构
南京电子器件研究所
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
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出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第1期16-20,共5页
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文摘
基于星载高可靠性的应用背景,采用0.20μm GaN HEMT工艺研制了一款12 V工作电压的Ku频段功率放大器芯片。利用电热结合的分析方法,确定了管芯结构及工作电压。基于Load-pull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗,设计了一种带谐波匹配的高效率输出匹配电路,并通过引入有耗匹配,研制出了低压稳定的级间匹配电路。芯片面积为2.8 mm×2.6 mm,管芯漏极动态电压仿真峰值低于30 V,实测结温小于80℃,满足宇航Ⅰ级降额要求。功率放大器在17.5~18.0 GHz、漏压12 V(连续波)条件下,典型饱和输出功率2.5 W,附加效率38%,功率增益大于20 dB,线性增益大于27 dB,满足星载高效率要求。
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关键词
GAN
KU波段
功率放大器
高可靠性
低压稳定
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Keywords
GaN
Ku-band
power amplifier
highly reliable
low-voltage stable
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分类号
TN72
[电子电信—电路与系统]
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