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退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响
被引量:
7
1
作者
姜胜林
林汝湛
+1 位作者
曾亦可
刘梅冬
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期102-106,共5页
应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响.结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7Sb2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550-950℃)基本上没有焦绿石相形成.当退火温度...
应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响.结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7Sb2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550-950℃)基本上没有焦绿石相形成.当退火温度达到750℃以后,Sb2O3已全部转变为稳定性好的尖晶石相,同时存在Bi2O3、ZnO的挥发.采用适当的退火温度,可得到具有优良电性能的ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻,其压敏电压低于5V,非线性系数可达20,漏电流密度小于0.5μA /mm2.
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关键词
无机非金属材料
新型溶胶-凝胶法
退火温度
ZnO陶瓷薄膜
低压
压敏
特性
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职称材料
Cr_2O_3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响
被引量:
3
2
作者
姜胜林
张海波
+1 位作者
刘梅冬
黄焱球
《华中科技大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第10期72-74,77,共4页
为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器 ,利用新型Sol Gel方法研究了Cr2 O3 掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 .复合先驱体溶液由Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3 COO) 2 ,Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,...
为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器 ,利用新型Sol Gel方法研究了Cr2 O3 掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 .复合先驱体溶液由Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3 COO) 2 ,Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 的溶胶中制成 .研究结果表明 :利用新型Sol Gel方法制备的ZnO陶瓷薄膜中 ,ZnCr2 O4相在较低的Cr2 O3 添加量时出现 ,当Cr2 O3 的摩尔分数为 0 .75 %时 ,ZnO陶瓷薄膜的非线性系数α为 7,压敏电压为 6V ,漏电流密度为 0 .7μA/mm2 .
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关键词
ZnO陶瓷薄膜
新型Sol-Gel方法
Cr2O3掺杂
低压
压敏
特性
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职称材料
题名
退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响
被引量:
7
1
作者
姜胜林
林汝湛
曾亦可
刘梅冬
机构
华中科技大学电子科学与技术系
华中科技大学
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期102-106,共5页
文摘
应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响.结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7Sb2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550-950℃)基本上没有焦绿石相形成.当退火温度达到750℃以后,Sb2O3已全部转变为稳定性好的尖晶石相,同时存在Bi2O3、ZnO的挥发.采用适当的退火温度,可得到具有优良电性能的ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻,其压敏电压低于5V,非线性系数可达20,漏电流密度小于0.5μA /mm2.
关键词
无机非金属材料
新型溶胶-凝胶法
退火温度
ZnO陶瓷薄膜
低压
压敏
特性
Keywords
Annealing
Antimony compounds
Electric properties
Leakage currents
Thin films
Voltage control
Zinc oxide
分类号
TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]
TB383 [电气工程—电工理论与新技术]
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职称材料
题名
Cr_2O_3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响
被引量:
3
2
作者
姜胜林
张海波
刘梅冬
黄焱球
机构
华中科技大学电子科学与技术系
中国地质大学材料科学与化学工程学院
出处
《华中科技大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第10期72-74,77,共4页
文摘
为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器 ,利用新型Sol Gel方法研究了Cr2 O3 掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 .复合先驱体溶液由Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3 COO) 2 ,Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 的溶胶中制成 .研究结果表明 :利用新型Sol Gel方法制备的ZnO陶瓷薄膜中 ,ZnCr2 O4相在较低的Cr2 O3 添加量时出现 ,当Cr2 O3 的摩尔分数为 0 .75 %时 ,ZnO陶瓷薄膜的非线性系数α为 7,压敏电压为 6V ,漏电流密度为 0 .7μA/mm2 .
关键词
ZnO陶瓷薄膜
新型Sol-Gel方法
Cr2O3掺杂
低压
压敏
特性
Keywords
ZnO-based ceramic films
novel sol-gel process
doped Cr_2O_3
low voltage varistors properties
分类号
TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
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1
退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响
姜胜林
林汝湛
曾亦可
刘梅冬
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
7
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职称材料
2
Cr_2O_3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响
姜胜林
张海波
刘梅冬
黄焱球
《华中科技大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
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职称材料
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