期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
PI衬底柔性透明硅薄膜太阳能电池的制备及性能 被引量：7
1
作者 李旺 朱登华 +6 位作者 刘石勇 刘路 王仕鹏 黄海燕 牛新伟 陆川 杜国平 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第8期34-37,共4页
利用硬质玻璃为载板，采用传统硅薄膜太阳能电池生产设备，在聚酰亚胺（PI）塑料薄膜衬底上沉积了B掺杂的ZnO（BZO）薄膜，并以此作为前电极制备了单节电池结构及多节串联一体结构的非晶硅（a-Si）太阳能电池；研究了PI衬底上BZO薄膜的... 利用硬质玻璃为载板，采用传统硅薄膜太阳能电池生产设备，在聚酰亚胺（PI）塑料薄膜衬底上沉积了B掺杂的ZnO（BZO）薄膜，并以此作为前电极制备了单节电池结构及多节串联一体结构的非晶硅（a-Si）太阳能电池；研究了PI衬底上BZO薄膜的光学及电学性能。结果表明，PI衬底上沉积BZO薄膜后在300~1200 nm波长范围的透光率为76.63%，方块电阻19.7Ω/□。所制备的单节和多节串联一体结构的a-Si薄膜太阳能电池的转化效率分别达到6.45%和5.1%，封装后电池组件具有一定的透光性，透光率约达到30.2%。 展开更多
关键词 聚酰亚胺衬底 柔性透明 低压化学沉积 ZNO薄膜 非晶硅薄膜 柔性太阳能电池
下载PDF
ITO/BZO复合薄膜制备及在非晶硅薄膜太阳能电池的应用 被引量：6
2
作者 黄建华 刘怀周 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期515-519,共5页
采用低压化学气相沉积(LPCVD)法在沉积ITO薄膜的玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(BZO)薄膜,研究了ITO缓冲层对ITO/BZO复合薄膜表观形貌、导电性能和光学性能的影响;并研究了ITO/BZO薄膜在非晶硅薄膜太阳能电池的应用。结果表明,以ITO作为... 采用低压化学气相沉积(LPCVD)法在沉积ITO薄膜的玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(BZO)薄膜,研究了ITO缓冲层对ITO/BZO复合薄膜表观形貌、导电性能和光学性能的影响;并研究了ITO/BZO薄膜在非晶硅薄膜太阳能电池的应用。结果表明,以ITO作为缓冲层来沉积BZO薄膜,有利于BZO晶粒尺寸的长大,并可以显著提高BZO薄膜的导电能力。ITO/BZO复合薄膜具有相对较高的导电能力和光学透光率,应用在非晶硅薄膜太阳能电池时转化效率提高0.20%。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 硼掺杂氧化锌 复合薄膜 低压化学沉积 非晶硅薄膜太阳能电池
下载PDF
B掺杂量对LPCVD生长大面积ZnO透明导电薄膜性能的影响 被引量：1
3
作者 黄建华 刘怀周 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期236-240,共5页
采用低压化学气相沉积（LPCVD）技术在大面积的玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO（BZO）透明导电薄膜,研究了不同B2H6掺杂量对BZO薄膜微观形貌、导电能力及其均匀性、透光率等性能的影响。结果表明,所制备的BZO薄膜表面具有自生长的绒面结构;B... 采用低压化学气相沉积（LPCVD）技术在大面积的玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO（BZO）透明导电薄膜,研究了不同B2H6掺杂量对BZO薄膜微观形貌、导电能力及其均匀性、透光率等性能的影响。结果表明,所制备的BZO薄膜表面具有自生长的绒面结构;B2H6掺杂量由30 sccm增加到60 sccm,BZO薄膜的方阻由28.6Ω/□减小到14.1Ω/□,导电能力显著增强同时方阻均匀性也明显提升;BZO薄膜在长波区的透光率随B2H6掺杂量的增加而明显降低,综合透光率结果,最佳B2H6掺杂量控制在6090 sccm之间。 展开更多
关键词 低压化学沉积 B掺杂Zn O薄膜 透明导电氧化物 方块电阻 均匀性 绒面结构
下载PDF
基于大厚度六方氮化硼中子探测器的制备
4
作者 刘敬润 曹炎 +8 位作者 刘晓航 范盛达 王帅 陈曦 刘洪涛 刘艳成 赵江滨 何高魁 陈占国 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第3期415-419,共5页
六方氮化硼是一种中子敏感材料。介绍了使用低压气相化学沉积在1673K下以大约20μm/h的生长速率制备了高质量203μm厚的六方氮化硼。在氮化硼的两侧沉积厚度为100nm的金电极,制备了垂直结构的六方氮化硼中子探测器。该器件的电学性质表... 六方氮化硼是一种中子敏感材料。介绍了使用低压气相化学沉积在1673K下以大约20μm/h的生长速率制备了高质量203μm厚的六方氮化硼。在氮化硼的两侧沉积厚度为100nm的金电极,制备了垂直结构的六方氮化硼中子探测器。该器件的电学性质表明制备的六方氮化硼材料的迁移率寿命的乘积(μτ)为2.8×10^(-6)cm^(2)/V,电阻率为1.5×10^(14)Ω·cm。在850V电压下,该探测器对热中子的探测效率为34.5%,电荷收集效率为60%。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 六方氮化硼 中子探测 低压气相化学沉积 深紫外光电探测器
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部