-
题名大功率低偏振度超辐射发光二极管的研制
被引量:2
- 1
-
-
作者
李吴皓
王定理
李中坤
单静春
黄晓东
汤宝
-
机构
武汉光迅科技股份有限公司
-
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第2期217-222,共6页
-
文摘
超辐射发光二极管(SLED)是一种非相干性光源,具有激光器功率大,耦合效能高的优点,同时也有着频谱宽、相干长度短等特点,可以应于光学相干层析技术和波分复用技术等领域。未来的发展方向是更大的功率,更大的带宽以及更低的消光比。本论文研究了1310 nm波段具有掩埋异质结构的高性能SLED芯片的设计与波导工艺制作,采取7°倾斜波导并镀上反射率小于0.1%的增透膜。经测试该SLED芯片具有大的饱和出光功率(超过20 mW),低的偏振消光比(低于0.5 dB),以及良好的光谱特性(3 dB光谱带宽大于50 nm,光谱纹波小于0.1 dB)。
-
关键词
超辐射发光二极管
掩埋异质结
大功率
低偏振消光比
宽光谱
-
Keywords
superluminescent diode
bury heterojunction
high power
low polarization
wide spectrum
-
分类号
TN365
[电子电信—物理电子学]
-