利用背散射电子衍射花样(EBSD),分析了冷轧变形量、退火温度和保温时间对高纯铝晶界特征分布的影响,并探讨了纯铝的变形再结晶行为与低∑重位点阵晶界(Coincidence Site Lattice,简称CSL)大量形成之间的内在联系。结果表明,变形量20%的...利用背散射电子衍射花样(EBSD),分析了冷轧变形量、退火温度和保温时间对高纯铝晶界特征分布的影响,并探讨了纯铝的变形再结晶行为与低∑重位点阵晶界(Coincidence Site Lattice,简称CSL)大量形成之间的内在联系。结果表明,变形量20%的试样在360℃退火时低∑-CSL晶界比例达到了44.2%,与低层错能金属相比,铝的∑3n晶界比例较低,其他低∑-CSL晶界比例较高。不同变形量试样的∑3n晶界比例在再结晶温度退火取得最大值,升高退火温度或延长保温时间,晶粒都将发生长大,一般大角度晶界的迁移会吞并已有的低∑-CSL晶界,造成∑3n晶界和低∑-CSL晶界比例都有所下降。展开更多
文摘利用背散射电子衍射花样(EBSD),分析了冷轧变形量、退火温度和保温时间对高纯铝晶界特征分布的影响,并探讨了纯铝的变形再结晶行为与低∑重位点阵晶界(Coincidence Site Lattice,简称CSL)大量形成之间的内在联系。结果表明,变形量20%的试样在360℃退火时低∑-CSL晶界比例达到了44.2%,与低层错能金属相比,铝的∑3n晶界比例较低,其他低∑-CSL晶界比例较高。不同变形量试样的∑3n晶界比例在再结晶温度退火取得最大值,升高退火温度或延长保温时间,晶粒都将发生长大,一般大角度晶界的迁移会吞并已有的低∑-CSL晶界,造成∑3n晶界和低∑-CSL晶界比例都有所下降。
