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题名集成电路中金属互连工艺的研究进展
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作者
张学峰
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机构
北京北方华创微电子装备有限公司
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出处
《半导体技术》
北大核心
2023年第12期1053-1061,共9页
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文摘
随着集成电路中器件尺寸不断微缩,RC延时成为制约电路工作频率的主要因素。作为后端制程发展的里程碑之一,引入铜(Cu)和低介电常数(κ)材料作为互连导体和介质材料可以显著降低RC延时。然而,随着工艺技术节点达到5 nm或更低,电阻的尺寸效应使得Cu互连技术无法满足性能需求。由于低κ材料在工艺集成上的限制,尺寸微缩导致的RC延时主要通过金属化方法来抑制。介绍了金属互连工艺的发展和挑战,综述了为解决上述问题近几年金属互连技术的最新研究进展,包括新工艺和新材料的开发以优化传统的扩散阻挡层/衬垫层,Ru半大马士革工艺以及混合金属互连工艺,展望了后摩尔时代金属互连技术的发展。
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关键词
铜(Cu)互连
低κ材料
后端工艺(BEOL)
金属化
尺寸微缩
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Keywords
copper(Cu)interconnect
low-k material
back end of line(BEOL)
metalliza-tion
scaling EEACC:2550F
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分类号
TN405.97
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名化学机械抛光技术现状与发展趋势
被引量：10
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作者
童志义
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机构
中国电子科技集团第
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出处
《电子工业专用设备》
2004年第6期1-6,共6页
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文摘
概述了ITRS对铜互连工艺提出的要求及90～65nmCMP技术所面临的挑战,介绍了W熏STI熏Cu/低k材料CMP及其清洗和终点检测技术的发展现状,最后讨论了CMP技术的一些发展趋势。
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关键词
CMP
浅沟道隔离
铜/低κ材料
清洗
终点检测
发展趋势
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Keywords
CMP
STI
Cu/low k Dielectric Film
Cleaning
End Detection
Tendency
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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