金相法分析高纯铝箔再结晶织构研究 被引量：6

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作者 林林 陈文 《四川冶金》 CAS 1997年第3期63-67,共5页

本文主要讨论了位错蚀坑法的原理、高纯铝箔中蚀坑法的浸蚀条件及蚀坑法在高压电容器原箔织构含量分析和位错密度分析中应用的可行性。

关键词 位错蚀坑 织构 铝箔 电容器 再结晶 金相法

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YAG晶体位错密度分布及蚀坑形貌

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作者 张瑞 梅大江 +8 位作者 石小兔 张庆礼 马荣国 张俊蕊 窦仁勤 孙贵花 王小飞 张德明 高进云 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1396-1405,共10页

YAG晶体在光电子领域有着重要的应用,晶体生长的缺陷控制是需要解决的瓶颈问题。本工作研究了缩颈和无缩颈提拉法生长的YAG晶体的位错形貌及密度分布,通过对YAG晶体进行抛光、浓磷酸位错腐蚀和金相显微镜分析研究,发现YAG晶体的头部位... YAG晶体在光电子领域有着重要的应用,晶体生长的缺陷控制是需要解决的瓶颈问题。本工作研究了缩颈和无缩颈提拉法生长的YAG晶体的位错形貌及密度分布,通过对YAG晶体进行抛光、浓磷酸位错腐蚀和金相显微镜分析研究,发现YAG晶体的头部位错密度最大,等径处的位错密度最小,延伸至收尾处位错密度略升高,缩颈结束收细直径的地方位错密度显著降低;分析了不同晶向的YAG位错腐蚀坑形貌,由表面模型计算了YAG各晶面的表面能,结果表明:YAG晶体位错蚀坑相对稳定的外露面为(110)和(112)面。通过极射投影图进一步说明了(110)和(112)面的稳定性及其与晶面的位置关系是决定位错腐蚀坑形貌的重要原因。 展开更多

关键词 钇铝石榴石 位错蚀坑 各向异性 表面能 极射投影

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工业铜单晶线材浸蚀蚀坑的研究 被引量：3

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作者 严文 王雪艳 +2 位作者 陈建 李巍 范新会 《西安工业大学学报》 CAS 2007年第1期46-51,共6页

对工业铜单晶线材用不同浸蚀剂,浸蚀时间,材料晶体取向等方面进行了浸蚀试验.结果表明,在氯化铁盐酸溶液中仅当配比为20 g(FeCl3)∶5 ml(HCl)∶100 ml(H2O)时会有蚀坑产生;蚀坑密度(EPD)随试样浸蚀时间和试样的变形量的增加而增大,当达... 对工业铜单晶线材用不同浸蚀剂,浸蚀时间,材料晶体取向等方面进行了浸蚀试验.结果表明,在氯化铁盐酸溶液中仅当配比为20 g(FeCl3)∶5 ml(HCl)∶100 ml(H2O)时会有蚀坑产生;蚀坑密度(EPD)随试样浸蚀时间和试样的变形量的增加而增大,当达到一定程度时会趋于饱和;铜单晶线材中(111)面EDP值高于(100)面;经过扫描电镜观察,判定该蚀坑为位错蚀坑.铜单晶线材中位错蚀坑密度与材料浸蚀时间,变形量以及晶体学取向有关. 展开更多

关键词 铜单晶 位错蚀坑 晶体取向 塑性变形

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硅酸钇晶体的生长、腐蚀形貌和光谱性能研究 被引量：1

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作者 庞辉勇 赵广军 +3 位作者 介明印 朱江 何晓明 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期421-424,共4页

本文采用中频感应提拉法成功生长了未掺杂的Y2SiO5(YSO)晶体,经过定向、切割、抛光后得到样品。经过腐蚀后,利用大视场显微镜和扫描电镜在样品表面上观察到了菱形和四边形的位错蚀坑、小角晶界和包裹物等缺陷;测试了经过氢气、空气退火... 本文采用中频感应提拉法成功生长了未掺杂的Y2SiO5(YSO)晶体,经过定向、切割、抛光后得到样品。经过腐蚀后,利用大视场显微镜和扫描电镜在样品表面上观察到了菱形和四边形的位错蚀坑、小角晶界和包裹物等缺陷;测试了经过氢气、空气退火前后,辐照前后YSO晶体的透过谱,结果表明:YSO晶体的吸收边大约在202nm,氢气退火后在200～300nm波段透过率增加,空气退火后透过率显著降低;辐照后,氢气退火的样品在200～500nm 波段透过率显著降低。 展开更多

关键词 YSO晶体 辐照 光谱 位错蚀坑 小角晶界

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一种LEC-GaAs单晶位锗密度检测和参考面制定的方法 被引量：2

5

作者 过海洲 吴颖炜 《固体电子学研究与进展》 CAS 1987年第1期72-77,共6页

本文从分析LEC-GaAs单晶中wug位错的分布规律出发,结合实验观察,提出了LEC-GaAs单晶{111}和{100}面位错密度检测方法,包括样品制备,位错显示剂和显示条件、测量条件以及取点部位等。 考虑到GaAs单晶的极性对器件工艺的影响,本文提出了... 本文从分析LEC-GaAs单晶中wug位错的分布规律出发,结合实验观察,提出了LEC-GaAs单晶{111}和{100}面位错密度检测方法,包括样品制备,位错显示剂和显示条件、测量条件以及取点部位等。 考虑到GaAs单晶的极性对器件工艺的影响,本文提出了一种由位错蚀坑的形状确定极性,在单晶锭上作两个参考面的方法,以保证衬片方位的一致性。 展开更多

关键词 晶体质量 极性 器件工艺 形状确定 EPD GAAS LEC-GaAs 参考面 位错蚀坑 晶面 面(晶体) 晶种 显示剂

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选择性腐蚀确定GaN薄膜中位错类型 被引量：1

6

作者 杨慧 林鑫 李国强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期943-949,共7页

提出了一种确定GaN外延薄膜中位错种类的方法。通过化学试剂对GaN薄膜表面进行选择性腐蚀,并用X射线衍射仪(XRD)及原子力显微镜(AFM)对腐蚀前后的薄膜进行了表征,确立了GaN薄膜表面的蚀坑形貌与位错类型之间的对应关系。XRD测试结果表明... 提出了一种确定GaN外延薄膜中位错种类的方法。通过化学试剂对GaN薄膜表面进行选择性腐蚀,并用X射线衍射仪(XRD)及原子力显微镜(AFM)对腐蚀前后的薄膜进行了表征,确立了GaN薄膜表面的蚀坑形貌与位错类型之间的对应关系。XRD测试结果表明,GaN薄膜中的位错密度并不随着腐蚀时间延长而发生变化。采用AFM对蚀坑形貌进行深度剖析,发现了四种不同的位错蚀坑:倒六角锥型蚀坑、倒六角平台型蚀坑、倒双六角平台型蚀坑以及混合型蚀坑。进一步研究表明,这四种不同的位错蚀坑分别对应于四种不同的位错种类,所有蚀坑基本都可以沿着这四种腐蚀路线演化而来。同时用扫描电镜(SEM)观察到的蚀坑形貌与AFM测试结果基本一致。 展开更多

关键词 位错种类 化学腐蚀 位错蚀坑 X射线衍射仪 原子力显微镜 扫描电镜

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掺钕钨酸钇钠晶体的缺陷

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作者 朱忠丽 刘景和 +2 位作者 林海 万玉春 孙域 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1249-1254,共6页

掺钕钨酸钇钠晶体Nd:NaY(WO4)2是一种性能优良的激光晶体。对该晶体中的包裹物、生长台阶等缺陷进行了观察,并分析了缺陷产生的原因。在晶体的不同部位取样进行扫描电镜和能谱分析,发现随着晶体生长过程的进行,晶体中Nd3+的浓度逐渐增... 掺钕钨酸钇钠晶体Nd:NaY(WO4)2是一种性能优良的激光晶体。对该晶体中的包裹物、生长台阶等缺陷进行了观察,并分析了缺陷产生的原因。在晶体的不同部位取样进行扫描电镜和能谱分析,发现随着晶体生长过程的进行,晶体中Nd3+的浓度逐渐增加。研究了晶体中位错蚀坑的分布特点,发现位错蚀坑的密度与晶体生长的不同部位、Nd3+的掺杂浓度等因素有关。 展开更多

关键词 掺钕钨酸钇钠晶体 形貌 缺陷 位错蚀坑

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稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te的微观缺陷腐蚀规律

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作者 王泽温 张龙 +1 位作者 谷智 介万奇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期561-564,共4页

以配比为 150mL饱和重铬酸钾水溶液比20mL HCl的腐蚀剂,对Hg0.89Mn0.11Te晶片以30s为单位,连续腐蚀了5次,对每次腐蚀后的表面形貌在光学显微镜和扫描电镜下分别进行了观察.所用晶片是采用垂直布里奇曼法生长而成,垂直晶锭轴向切割下的... 以配比为 150mL饱和重铬酸钾水溶液比20mL HCl的腐蚀剂,对Hg0.89Mn0.11Te晶片以30s为单位,连续腐蚀了5次,对每次腐蚀后的表面形貌在光学显微镜和扫描电镜下分别进行了观察.所用晶片是采用垂直布里奇曼法生长而成,垂直晶锭轴向切割下的圆形晶片.结果表明:腐蚀30s后,可观察到清晰的晶界及Te夹杂.而位错蚀坑密度随着腐蚀时间增长,先是增大,后又开始逐步减少,在60s时达到一个峰值,120s后又处于稳定.位错蚀坑尺寸随着腐蚀时间增长一直是逐步增大的.说明晶片实际的位错蚀坑需要腐蚀120s后才可以观察到.通过化学腐蚀机理分析,对实验结果进行了解释. 展开更多

关键词 Hg0.89Mn0.11Te 腐蚀剂 位错蚀坑 晶界 Te夹杂

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坩埚下降法生长CaF_2单晶的研究

9

作者 段安锋 范翊 +3 位作者 罗劲松 关树海 沈永宏 刘景和 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1328-1331,共4页

采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能。结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH-两倍振动吸收带,而且在可见-紫外波段也形成强烈的色心吸收带。... 采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能。结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH-两倍振动吸收带,而且在可见-紫外波段也形成强烈的色心吸收带。同时,杂质离子Ce3+的存在也导致晶体出现306nm的吸收带。 展开更多

关键词 CaF2晶体 下降法 位错蚀坑 光谱

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“位错蚀坑的观察”实验的改革

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作者 王二平 宗斌 王国红 《实验室科学》 2007年第4期47-49,共3页

在传统实验的基础上,利用ZnWO4晶体,同学们自己动手制备位错蚀坑样品,效果非常理想;实际运作过程锻炼了同学们的动手、分析能力,以及有关基础知识的掌握、应用。

关键词 材料科学基础 位错蚀坑 ZnWO4 自己动手

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Nd,Y∶SrF_(2)激光晶体的位错缺陷表征及分布研究

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作者 王迪 汤港 +5 位作者 张博 王墉哲 张中晗 姜大朋 寇华敏 苏良碧 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第7期1208-1218,共11页

氟化物激光晶体Nd,Y∶SrF_(2)(NYSF)具有热导率高、发射光谱宽、发射截面适中等特点,在高功率激光技术领域具有重要应用。激光晶体中的位错是反映其晶格完整性的一类重要的微观晶体缺陷,对晶体材料的力学、光学性能具有重要影响。本文... 氟化物激光晶体Nd,Y∶SrF_(2)(NYSF)具有热导率高、发射光谱宽、发射截面适中等特点,在高功率激光技术领域具有重要应用。激光晶体中的位错是反映其晶格完整性的一类重要的微观晶体缺陷,对晶体材料的力学、光学性能具有重要影响。本文采用坩埚下降法制备了NYSF激光晶体,分析了腐蚀实验条件对位错蚀坑形貌的影响,获得了化学腐蚀法研究NYSF晶体位错缺陷的最佳腐蚀工艺,即浓度为4 mol/L的盐酸溶液作为腐蚀液,腐蚀温度为60℃、腐蚀时间为9~12 min;表征了位错腐蚀坑形态的演变过程,探讨了晶格原子排列对位错蚀坑形态的影响;利用化学腐蚀方法表征了位错缺陷在晶体中的分布规律,即轴向分布为从放肩到尾部先减少后增加,径向分布为从中心到边缘逐步增加;分析了晶体生长条件对位错缺陷形成的影响,提出了位错密度随坩埚下降速率的提高而升高的可能原因。 展开更多

关键词 Nd Y∶SrF_(2) 激光晶体 氟化物晶体 坩埚下降法 位错 位错蚀坑形貌 晶体缺陷

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