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基底膜拉伸应变对培养的大鼠血管平滑肌细胞形态的影响
被引量：
7
1
作者
王红兵
卢晓
+3 位作者
黄岂平
秦健
王远亮
蔡绍皙
《中国应用生理学杂志》
CAS
CSCD
2000年第1期37-40,共4页
目的 :探索拉伸应变与血管平滑肌细胞 (VSMC)形态变化的关系 ,了解VSMC在血管壁对应力适应性改建中的响应。方法 :运用自行研制的基底膜伸张装置实验系统 ,通过液压工作方式对培养于硅胶膜上的VSMC施以不同强度或不同时间的应变影响 ,...
目的 :探索拉伸应变与血管平滑肌细胞 (VSMC)形态变化的关系 ,了解VSMC在血管壁对应力适应性改建中的响应。方法 :运用自行研制的基底膜伸张装置实验系统 ,通过液压工作方式对培养于硅胶膜上的VSMC施以不同强度或不同时间的应变影响 ,模拟生理应力微环境中VSMC受到的二维拉伸应变 ,结合显微形态观察 ,计算机图像处理 ,了解拉伸应变与VSMC形态变化的定量关系。结果 :①加载 3min～ 6h内VSMC铺展进行性增加 ,且较对照组快 ,6～ 2 4h铺展面积缩小 ,细胞长 /短径比与加载时间正相关 ;②加载培养可影响VSMC的排布 ,且细胞排布方式与加载时间有关 ;③融合生长的细胞较非融合生长的细胞加载后出现明显的舒 缩活动。结论 :①应变对VSMC形态变化呈双向影响 ;②适宜的应变刺激对VSMC表型维持有积极影响。
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关键词
血管平滑肌细胞
伸张
应变
铺展
收缩
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职称材料
周期应变对动脉平滑肌细胞分泌血管紧张素II的影响
被引量：
3
2
作者
黄岂平
王红兵
+4 位作者
卢晓
王远亮
秦健
蔡绍皙
张西正
《生物物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期584-588,共5页
应用自行设计的硅胶膜伸张加载装置对培养于硅胶膜上的Ｗｉｓｔａｒ 大鼠主动脉平滑肌细胞施以周期性二维伸张应变（ 最大伸长比：纵向０ ．７ ％ ，横向０ ．３ ％ ） ，运用放射免疫沉淀法对其ＡｇＩＩ 的分泌量进行测定， 结果表明：...
应用自行设计的硅胶膜伸张加载装置对培养于硅胶膜上的Ｗｉｓｔａｒ 大鼠主动脉平滑肌细胞施以周期性二维伸张应变（ 最大伸长比：纵向０ ．７ ％ ，横向０ ．３ ％ ） ，运用放射免疫沉淀法对其ＡｇＩＩ 的分泌量进行测定， 结果表明： 加载组血管紧张素ＩＩ 分泌量明显高于对照组（Ｐ＜ ０ ．００１ ，２ｈ ，１０ｈ 除外） ，对照组分泌曲线较平坦，而加载组曲线较尖锐；加载４ｈ ，ＡｇＩＩ分泌量达到峰值（２１９ ±２０ ．０ｐｇ／１０５ｃｅｌｌｓ） 。结合形态观察。
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关键词
伸张
应变
主动脉
平滑肌细胞
血管紧张素Ⅱ
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职称材料
LP－MOCVD生长伸张应变InGaAs／InP多量子阱的研究
3
作者
刘宝林
杨树人
+1 位作者
陈佰军
刘式墉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期239-243,共5页
首先从理论上研究了在应变情况下量子阱中能级的计算，然后利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ组份的控制及生长条件，最后生长伸张应变为０．５％的四个量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ结构材料，利用ＰＬ光谱测量得最小阶宽...
首先从理论上研究了在应变情况下量子阱中能级的计算，然后利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ组份的控制及生长条件，最后生长伸张应变为０．５％的四个量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ结构材料，利用ＰＬ光谱测量得最小阶宽为１．８ｎｍ。
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关键词
伸张
应变
量子阱
半导体
生长
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职称材料
题名
基底膜拉伸应变对培养的大鼠血管平滑肌细胞形态的影响
被引量：
7
1
作者
王红兵
卢晓
黄岂平
秦健
王远亮
蔡绍皙
机构
重庆大学生物工程研究院
出处
《中国应用生理学杂志》
CAS
CSCD
2000年第1期37-40,共4页
基金
国家自然科学基金!( 195 0 2 0 2 0
1973 2 0 0 3 )
文摘
目的 :探索拉伸应变与血管平滑肌细胞 (VSMC)形态变化的关系 ,了解VSMC在血管壁对应力适应性改建中的响应。方法 :运用自行研制的基底膜伸张装置实验系统 ,通过液压工作方式对培养于硅胶膜上的VSMC施以不同强度或不同时间的应变影响 ,模拟生理应力微环境中VSMC受到的二维拉伸应变 ,结合显微形态观察 ,计算机图像处理 ,了解拉伸应变与VSMC形态变化的定量关系。结果 :①加载 3min～ 6h内VSMC铺展进行性增加 ,且较对照组快 ,6～ 2 4h铺展面积缩小 ,细胞长 /短径比与加载时间正相关 ;②加载培养可影响VSMC的排布 ,且细胞排布方式与加载时间有关 ;③融合生长的细胞较非融合生长的细胞加载后出现明显的舒 缩活动。结论 :①应变对VSMC形态变化呈双向影响 ;②适宜的应变刺激对VSMC表型维持有积极影响。
关键词
血管平滑肌细胞
伸张
应变
铺展
收缩
Keywords
VSMC
tension strain
spread
contraction
分类号
Q463 [生物学—生理学]
Q66
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职称材料
题名
周期应变对动脉平滑肌细胞分泌血管紧张素II的影响
被引量：
3
2
作者
黄岂平
王红兵
卢晓
王远亮
秦健
蔡绍皙
张西正
机构
重庆大学生物工程研究院国家教委生物力学及生物流变学开放实验室
西安矿业学院
出处
《生物物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期584-588,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
应用自行设计的硅胶膜伸张加载装置对培养于硅胶膜上的Ｗｉｓｔａｒ 大鼠主动脉平滑肌细胞施以周期性二维伸张应变（ 最大伸长比：纵向０ ．７ ％ ，横向０ ．３ ％ ） ，运用放射免疫沉淀法对其ＡｇＩＩ 的分泌量进行测定， 结果表明： 加载组血管紧张素ＩＩ 分泌量明显高于对照组（Ｐ＜ ０ ．００１ ，２ｈ ，１０ｈ 除外） ，对照组分泌曲线较平坦，而加载组曲线较尖锐；加载４ｈ ，ＡｇＩＩ分泌量达到峰值（２１９ ±２０ ．０ｐｇ／１０５ｃｅｌｌｓ） 。结合形态观察。
关键词
伸张
应变
主动脉
平滑肌细胞
血管紧张素Ⅱ
Keywords
Tension strain Angiotens Aortic smooth muscle cells
分类号
Q66 [生物学—生物物理学]
Q463
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职称材料
题名
LP－MOCVD生长伸张应变InGaAs／InP多量子阱的研究
3
作者
刘宝林
杨树人
陈佰军
刘式墉
机构
吉林大学电子工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期239-243,共5页
文摘
首先从理论上研究了在应变情况下量子阱中能级的计算，然后利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ组份的控制及生长条件，最后生长伸张应变为０．５％的四个量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ结构材料，利用ＰＬ光谱测量得最小阶宽为１．８ｎｍ。
关键词
伸张
应变
量子阱
半导体
生长
Keywords
LP-MOCVD
InGaAs/InP
Tensile-strain
QW
分类号
O471.4 [理学—半导体物理]
TN304.054 [理学—物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基底膜拉伸应变对培养的大鼠血管平滑肌细胞形态的影响
王红兵
卢晓
黄岂平
秦健
王远亮
蔡绍皙
《中国应用生理学杂志》
CAS
CSCD
2000
7
下载PDF
职称材料
2
周期应变对动脉平滑肌细胞分泌血管紧张素II的影响
黄岂平
王红兵
卢晓
王远亮
秦健
蔡绍皙
张西正
《生物物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1999
3
下载PDF
职称材料
3
LP－MOCVD生长伸张应变InGaAs／InP多量子阱的研究
刘宝林
杨树人
陈佰军
刘式墉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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