期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
0.18μm RF CMOS双向可控硅ESD防护器件的研究(英文) 被引量：2
1
作者 柯逸辰 梁海莲 +2 位作者 顾晓峰 朱兆旻 董树荣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期284-288,299,共6页
基于传统双向可控硅(DDSCR)提出了两种静电放电(ESD)保护器件,可应对正、负ESD应力从而在2个方向上对电路进行保护。传统的DDSCR通过N-well与P-well之间的雪崩击穿来触发,而提出的新器件则通过嵌入的NMOS/PMOS来改变触发机制、降低触发... 基于传统双向可控硅(DDSCR)提出了两种静电放电(ESD)保护器件,可应对正、负ESD应力从而在2个方向上对电路进行保护。传统的DDSCR通过N-well与P-well之间的雪崩击穿来触发,而提出的新器件则通过嵌入的NMOS/PMOS来改变触发机制、降低触发电压。两种改进结构均在0.18μmRFCMOS下进行流片,并使用传输线脉冲测试系统进行测试。实验数据表明,这两种新器件具有低触发电压、低漏电流(～nA),抗ESD能力均超过人体模型2kV,同时具有较高的维持电压(均超过3.3V),可保证其可靠地用于1.8V、3.3V I/O端口而避免出现闩锁问题。 展开更多
关键词 静电放电 双向可控硅 传输线脉冲测试系统 人体模型
下载PDF
保护环对双向可控硅静电防护器件电容特性的影响
2
作者 杨帅康 汪洋 +2 位作者 苏雪冰 张玉叶 杨红娇 《电子产品世界》 2022年第6期74-78,共5页
本文研究了P型保护环对双向可控硅(DDSCR)静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR)和带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR)... 本文研究了P型保护环对双向可控硅(DDSCR)静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR)和带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR)和带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR_GR)器件。利用B1505A功率器件分析仪测试并讨论了器件的电容特性,同时利用传输线脉冲(TLP)测试仪分析了它们的静电性能。结果表明,保护环的增加对器件静电防护能力无较大影响,但在1MHz的频率下,LVDDSCR_GR的寄生电容由LVDDSCR的1135fF增加到1463fF,HVDDSCR_GR的寄生电容由HVDDSCR的810fF增加到1740fF,其根本原因是由于保护环引入了N型隔离环与P型外延层之间的寄生电容。 展开更多
关键词 双向可控硅 保护环 寄生电容 传输线脉冲测试系统
下载PDF
TLP系统在电子产品静电防护设计中的应用 被引量：1
3
作者 黄为 jerry tichenor 《安全与电磁兼容》 2016年第3期87-90,共4页
介绍了一款用于电子器件静电放电敏感度测试的传输线脉冲(TLP)测试系统,说明了该系统的测试目的、系统结构、使用方法,并结合测试波形与测试系统各项指标,分析了该测试系统的优越性。
关键词 传输线脉冲测试系统 静电放电 I-V曲线 漏电流 静电放电敏感度
下载PDF
双向可控硅静电防护器件中p型井对静电性能影响的研究
4
作者 张玉叶 汪洋 +2 位作者 杨帅康 苏雪冰 杨红姣 《中国集成电路》 2023年第4期36-39,72,共5页
基于0.18μm Bipolar CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究讨论了双向可控硅静电防护器件中p型井(PW)位置对器件维持电压以及鲁棒性的静电性能影响,可用于高压静电放电(ESD)保护。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了PW的... 基于0.18μm Bipolar CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究讨论了双向可控硅静电防护器件中p型井(PW)位置对器件维持电压以及鲁棒性的静电性能影响,可用于高压静电放电(ESD)保护。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了PW的尺寸在高压工艺下对双向对称可控硅性能的影响。测量结果表明,在不增加器件面积的情况下,通过高压对称DDSCR器件PW层次的左侧边界位置缩进,所得的DDSCR_PW器件的正向维持电压(Vh)虽然从30.15 V降低到15.63 V,反向维持电压从26.15 V降低到16.85 V,但与高压对称DDSCR器件相比,高压对称DDSCR_PW器件具有提升失效电流的优点,其正向失效电流从6.68 A增加到18.22 A,反向失效电流从7.07 A增加到9.92 A,论文阐述了产生此现象的原因。 展开更多
关键词 双向可控硅(DDSCR) 失效电流(It2) 维持电压(Vh) 传输线脉冲测试系统(TLP)
下载PDF
带有硅化物阻挡层的可控硅器件对维持电压的影响
5
作者 曹佩 汪洋 +3 位作者 芦俊 魏伟鹏 李婕妤 曹文苗 《电子产品世界》 2021年第9期76-79,共4页
基于0.18μm双极CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究并实现了一种阳极和阴极两侧均加入硅化物阻挡层(SAB)的可控硅(SCR)器件,可用于高压静电放电保护(ESD)。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了SAB层对可控硅性能的影响... 基于0.18μm双极CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究并实现了一种阳极和阴极两侧均加入硅化物阻挡层(SAB)的可控硅(SCR)器件,可用于高压静电放电保护(ESD)。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了SAB层对可控硅性能的影响。测量结果表明,在不增加器件面积的情况下,通过增加SAB层,器件的维持电压(Vh)可以从3.03 V提高到15.03 V。与传统SCR器件相比,带有SAB层的SCR器件(SCR_SAB)具有更高的维持电压。 展开更多
关键词 可控硅(SCR) 硅化物阻挡层(SAB) 仿真 传输线脉冲测试系统(TLP) 维持电压(Vh)
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部