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叉流高效降膜蒸发器传热传质规律研究 被引量:6
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作者 代彦军 李增耀 张鹤飞 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期451-456,共6页
建立了描述叉流式降膜蒸发过程的理论模型 ,预测结果与实验基本相符。在分析和探讨蒸发器传热传质规律过程中 ,发现根据入口水温的不同 ,蒸发器可分别用于蒸发冷却和海水淡化。从蒸发冷却和加热蒸发两个角度讨论了气流、水流及蒸发器结... 建立了描述叉流式降膜蒸发过程的理论模型 ,预测结果与实验基本相符。在分析和探讨蒸发器传热传质规律过程中 ,发现根据入口水温的不同 ,蒸发器可分别用于蒸发冷却和海水淡化。从蒸发冷却和加热蒸发两个角度讨论了气流、水流及蒸发器结构参数对系统性能的影响 。 展开更多
关键词 降膜蒸发器 热湿传递 蒸汽压力 传热传质规律
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多热源合成SiC传热规律 被引量:5
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作者 陈杰 王晓刚 郭继华 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期536-539,共4页
对多热源合成SiC冶炼炉的温度场进行了数值模拟,研究了冶炼炉内的温度分布、热流强度以及温度梯度的动态变化规律,揭示了多热源合成SiC的传热传质规律.研究表明, 由于多热源之间的屏蔽作用与热能叠加作用,导致多热源合成SiC技术比Acheso... 对多热源合成SiC冶炼炉的温度场进行了数值模拟,研究了冶炼炉内的温度分布、热流强度以及温度梯度的动态变化规律,揭示了多热源合成SiC的传热传质规律.研究表明, 由于多热源之间的屏蔽作用与热能叠加作用,导致多热源合成SiC技术比Acheson单热源炉的单炉产量提高48.1%,特、一级品率提高30%,节能10%以上,并且杜绝了单热源生产中频繁喷炉事故,使生产更安全. 展开更多
关键词 多热源炉 碳化硅 传热传质规律 温度场 数值模拟
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多热源合成SiC供电时间的选择研究 被引量:2
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作者 陈杰 王晓刚 《煤炭学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期233-236,共4页
以多热源工业生产为基础,建立了SiC冶炼炉温度场的数学模型,通过数值模拟,研究了多热源合成SiC的传热传质规律,获得了立体三热源冶炼炉合成磨料SiC的供电时间为66~72 h, 这一结果在工业现场得到了验证.
关键词 多热源合成SiC 供电时间 数值模拟 温度场 传热传质规律
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