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IGBT的低温特性及计算机仿真
1
作者
张玉林
胡高宏
+1 位作者
丘明
齐智平
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2006年第1期120-122,共3页
研究了非穿通型(Non-PunchThrough,NPTI)GBT在77～300K之间的暂稳态特性。研究表明,低温环境下NPT-IGBT的通态压降、寄生PNP晶体管电流增益和关断时间均有减小,门槛电压和跨导增加。在总结并改进硅材料主要参数在低温区的温度模型基础上...
研究了非穿通型(Non-PunchThrough,NPTI)GBT在77～300K之间的暂稳态特性。研究表明,低温环境下NPT-IGBT的通态压降、寄生PNP晶体管电流增益和关断时间均有减小,门槛电压和跨导增加。在总结并改进硅材料主要参数在低温区的温度模型基础上,分析了NPT-IGBT低温特性的物理机制,并实现其关键参数随温度变化趋势的计算机仿真,仿真结果与实验数据取得一致。
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关键词
晶体管
低温
仿真
/
绝缘
栅
双
极
晶体管
非穿通型
下载PDF
职称材料
题名
IGBT的低温特性及计算机仿真
1
作者
张玉林
胡高宏
丘明
齐智平
机构
中国科学院电工研究所
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2006年第1期120-122,共3页
文摘
研究了非穿通型(Non-PunchThrough,NPTI)GBT在77～300K之间的暂稳态特性。研究表明,低温环境下NPT-IGBT的通态压降、寄生PNP晶体管电流增益和关断时间均有减小,门槛电压和跨导增加。在总结并改进硅材料主要参数在低温区的温度模型基础上,分析了NPT-IGBT低温特性的物理机制,并实现其关键参数随温度变化趋势的计算机仿真,仿真结果与实验数据取得一致。
关键词
晶体管
低温
仿真
/
绝缘
栅
双
极
晶体管
非穿通型
Keywords
transistor
low temperature
simulation / IGBT
NPT
分类号
TN345 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
IGBT的低温特性及计算机仿真
张玉林
胡高宏
丘明
齐智平
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2006
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