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RIKEN介观器件腔中粒子输运过程的混沌性质及分形自相似结构研究 被引量:3
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作者 杨秦男 张延惠 +2 位作者 蔡祥吉 蒋国辉 徐学友 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期31-41,共11页
研究了粒子在RIKEN介观器件中的输运性质,RIKEN器件的理论模型是二维Sinai台球的一种,是研究粒子逃逸曲线混沌性质和分形规律的理想模型之一.采用逃逸曲线定性比较和分形维数定量计算两种方法,得到了开口宽度、腔长、拐角位置、圆弧半... 研究了粒子在RIKEN介观器件中的输运性质,RIKEN器件的理论模型是二维Sinai台球的一种,是研究粒子逃逸曲线混沌性质和分形规律的理想模型之一.采用逃逸曲线定性比较和分形维数定量计算两种方法,得到了开口宽度、腔长、拐角位置、圆弧半径等器件参数对逃逸曲线混沌区域分布的影响规律.结果发现逃逸曲线中存在分形自相似结构,揭示了粒子在RIKEN介观器件腔中输运过程存在的混沌性质,并首次运用"眼式结构"分析和相似比比较等方法对分形自相似结构进行了验证. 展开更多
关键词 器件 混沌性质 分形自相似 分形维数
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介观器件现状 被引量:1
2
作者 夏建白 《科学》 1998年第1期8-11,2,共4页
当半导体器件的尺度小于电子的相干长度时,电子的运动由电子的波动和相干特性决定。相干长度主要是由非弹性碰撞(例如声子散射)决定的,一般为0.1~1微米的量级。另一个重要的长度标度是平均自由程,它主要由弹性碰撞决定。在一个高质量的... 当半导体器件的尺度小于电子的相干长度时,电子的运动由电子的波动和相干特性决定。相干长度主要是由非弹性碰撞(例如声子散射)决定的,一般为0.1~1微米的量级。另一个重要的长度标度是平均自由程,它主要由弹性碰撞决定。在一个高质量的GaAs/AlGaAs调制掺杂异质结中,平均自由程能够超过10微米。当半导体器件的尺度小于它的平均自由程时,可以认为其中电子的运动是弹道的(但不一定保持它的初始位相)。位于这两个尺度范围内的半导体器件,统称为介观器件。本文将主要介绍介观器件,并讨论它们的优缺点以及应用前景。 展开更多
关键词 器件 半导体器件 量子干涉晶体管
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Stadium型介观器件腔中粒子逃逸率的研究
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作者 沈志朋 张延惠 +2 位作者 蔡祥吉 赵国鹏 张秋菊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第17期121-126,共6页
本文研究了粒子在二维弱开口的Bunimovich Stadium型介观混沌器件中的逃逸规律.利用经典统计的方法,通过改变器件端口宽度、圆弧半径及器件腔长等参数,首次发现随器件各项参数变化的分形维数与粒子逃逸率趋势符合,并揭示了混沌体系的逃... 本文研究了粒子在二维弱开口的Bunimovich Stadium型介观混沌器件中的逃逸规律.利用经典统计的方法,通过改变器件端口宽度、圆弧半径及器件腔长等参数,首次发现随器件各项参数变化的分形维数与粒子逃逸率趋势符合,并揭示了混沌体系的逃逸指数受器件形状的影响.统计并拟合了粒子逃逸率与粒子波数大小的关系,数值结果表明,粒子逃逸率与波数为二次函数关系,但逃逸率与能量大小不是严格的线性关系.进一步分析了在器件入口处粒子的衍射效应对粒子逃逸的影响,结果表明,衍射效应使粒子逃逸率增加,且粒子数的演化在时间较短时不再满足指数关系,长时间的演化再次满足指数衰减规律. 展开更多
关键词 器件 混沌 逃逸率 衍射效应
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