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Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜的介电损耗机理研究
1
作者
肖勇
许程源
+1 位作者
张光强
蒋书文
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期19-21,24,共4页
采用射频磁控溅射法在Al2O3基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜,研究了不同退火条件下BMN薄膜的介电损耗机理。结果表明,充分的退火能够减小氧空位缺陷密度,并降低介电损耗。氧气气氛下退火能够有效补偿BMN薄膜中的氧空位...
采用射频磁控溅射法在Al2O3基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜,研究了不同退火条件下BMN薄膜的介电损耗机理。结果表明,充分的退火能够减小氧空位缺陷密度,并降低介电损耗。氧气气氛下退火能够有效补偿BMN薄膜中的氧空位,使得介电损耗进一步降低。这说明氧空位导致的带电缺陷损耗是BMN薄膜材料主要的介电损耗机制。此外,BMN薄膜中也存在晶界损耗机制。
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关键词
铌酸铋镁(BMN)薄膜
氧空位
介电损耗
机制
退火
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职称材料
题名
Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜的介电损耗机理研究
1
作者
肖勇
许程源
张光强
蒋书文
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期19-21,24,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.50972024)
文摘
采用射频磁控溅射法在Al2O3基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜,研究了不同退火条件下BMN薄膜的介电损耗机理。结果表明,充分的退火能够减小氧空位缺陷密度,并降低介电损耗。氧气气氛下退火能够有效补偿BMN薄膜中的氧空位,使得介电损耗进一步降低。这说明氧空位导致的带电缺陷损耗是BMN薄膜材料主要的介电损耗机制。此外,BMN薄膜中也存在晶界损耗机制。
关键词
铌酸铋镁(BMN)薄膜
氧空位
介电损耗
机制
退火
Keywords
bismuth magnesium niobate （BMN） thin films
oxygen vacancies
dielectric loss mechanism
annealing
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜的介电损耗机理研究
肖勇
许程源
张光强
蒋书文
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2012
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