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粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn_(0.15)Ti_(0.85)O_3薄膜及其性能研究 被引量：1
1
作者 肖渊渊 黄玉音 朱归胜 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2013年第3期260-262,共3页
采用粉末靶材射频磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si基片上制备了厚度为300nm的BaSn0.15Ti0.85O3薄膜。薄膜的沉积速度达到40nm/min,比采用传统陶瓷靶材射频磁控溅射技术的沉积速度高出1个数量级。在10kHz～1MHz的测试条件下,薄膜的介电常数随... 采用粉末靶材射频磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si基片上制备了厚度为300nm的BaSn0.15Ti0.85O3薄膜。薄膜的沉积速度达到40nm/min,比采用传统陶瓷靶材射频磁控溅射技术的沉积速度高出1个数量级。在10kHz～1MHz的测试条件下,薄膜的介电常数随着频率的增加而减少,介电损耗均小于0.02;在-5～5V的偏置电压下,介电可调比达到59.3%。实验结果表明采用粉末靶材射频磁控溅射技术可以实现高品质铁电薄膜的快速沉积。 展开更多
关键词 BaSn0 15Ti0 85O3薄膜 射频磁控溅射法 粉末靶材 介电可调
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Zn掺杂制备介电可调PST薄膜
2
作者 郑赞 杜丕一 +2 位作者 赵冉 翁文剑 韩高荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A01期763-766,共4页
采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3(PST)铁电薄膜。XRD结果表明:550℃和600℃不同热处理条件下烧结的薄膜均呈单一的钙钛矿相结构。在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄膜的介电性能... 采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3(PST)铁电薄膜。XRD结果表明:550℃和600℃不同热处理条件下烧结的薄膜均呈单一的钙钛矿相结构。在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可调性与热处理温度及过程的关系。发现550℃条件下制备得到的Zn掺杂PST薄膜几乎没有介电可调性,而在600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜具有明显的介电可调性。另外,600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜,其可调性随着保温时间和冷却时间的延长有所增加,介电损耗随保温时间和冷却时间的增大而减小。 展开更多
关键词 介电可调 PST薄膜 溶胶凝胶 Zn掺杂 制备方法
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预极化对PST薄膜介电可调性的影响
3
作者 郑赞 杜丕一 +2 位作者 赵冉 翁文剑 韩高荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A02期188-191,共4页
采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜。利用XRD测定了薄膜的相结构,精密阻抗分析仪研究了薄膜的介电性能。在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可... 采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜。利用XRD测定了薄膜的相结构,精密阻抗分析仪研究了薄膜的介电性能。在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可调性大小与外加偏压施加顺序的关系。结果表明,该薄膜呈现单一的钙钛矿相结构。发现了在预先施加一个相对较高的预极化电场,薄膜在零电场下的介电常数得到了提高。预极化能更多地激发出介电薄膜中偶极子数目,增大了薄膜在零偏压处的介电常数,从而提高了薄膜的介电可调性,在不同的测试电压下可分别从提高3%到提高45%不等,测试电压越低,表现出来的这种提高就越大。 展开更多
关键词 Zn掺杂PST薄膜 预极化 介电可调
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介电可调材料及其微波应用 被引量：3
4
作者 席子婷 熊杰 +2 位作者 乔宝宝 夏卫民 张志成 《高分子通报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1-18,共18页
基于可调谐材料的微波器件是当前介电应用研究的热点之一,典型的应用包括移相器、天线波束控制、谐振器、滤波器、电压控制振荡器、匹配网络和可调功率分配器等,可调电容器是可调谐微波器件的核心。本综述在比较电容器结构性能优劣的基... 基于可调谐材料的微波器件是当前介电应用研究的热点之一,典型的应用包括移相器、天线波束控制、谐振器、滤波器、电压控制振荡器、匹配网络和可调功率分配器等,可调电容器是可调谐微波器件的核心。本综述在比较电容器结构性能优劣的基础上,系统论述了各类材料包括生物聚合物、金属有机框架材料、陶瓷-聚合物复合材料、液晶和氟聚合物的结构与介电可调性能的关系。结果表明,氟聚合物因其机械柔性、易加工和轻质等特点,可成为许多新应用的潜在候选材料。本文也可为微波领域的各类应用在材料选择等方面提供帮助。 展开更多
关键词 可调微波器件 介电可调材料 电容器 复合材料 聚合物
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介电可调薄膜材料及压控微波器件研究 被引量：2
5
作者 蒋书文 李汝冠 +2 位作者 王鲁豫 刘兴钊 李言荣 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期609-617,共9页
利用介电可调薄膜材料的调谐特性研制的介质压控微波器件高频特性好、功率容量大、响应速度快,还有易集成、功耗小、成本低、可靠性高的特点,相比半导体管、铁氧体以及MEMS器件有明显的优势。该文系统介绍了近年来国内外介电可调薄膜材... 利用介电可调薄膜材料的调谐特性研制的介质压控微波器件高频特性好、功率容量大、响应速度快,还有易集成、功耗小、成本低、可靠性高的特点,相比半导体管、铁氧体以及MEMS器件有明显的优势。该文系统介绍了近年来国内外介电可调薄膜材料及压控微波器件的研究进展,并结合作者的工作评述了介电可调薄膜材料和压控微波器件的应用情况。除研究最为集中的钛酸锶钡BaxSr1-xTiO3(BST)材料,还介绍了具有较高调谐率的铋基焦绿石铌酸铋镁Bi1.5MgNb1.5O7(BMN)薄膜材料,该材料介电损耗低(约0.002),介电常数适中(约86),温度系数小,是一种极具发展前景的微波介电可调材料。 展开更多
关键词 钛酸锶钡BST薄膜 铌酸铋镁BMN薄膜 介电可调薄膜材料 压控微波器件
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Cd掺杂BZCN薄膜的制备及其介电性能
6
作者 张凯 蒋书文 +2 位作者 程鹏 张鹰 齐增亮 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期33-35,共3页
用射频磁控溅射法,在Pt/Si基片上制备了立方烧绿石结构的Cd掺杂Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌以及介电性能的影响。结果表明,沉积温度为600℃,退火温度为700℃制备的薄膜,在测试频率为100 kHz... 用射频磁控溅射法,在Pt/Si基片上制备了立方烧绿石结构的Cd掺杂Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌以及介电性能的影响。结果表明,沉积温度为600℃,退火温度为700℃制备的薄膜,在测试频率为100 kHz,测试电场强度为1.33×106 V/cm的条件下,介电可调率达到11.8%,tanδ小于0.004 2。 展开更多
关键词 无机非金属材料 Cd掺杂BZCN薄膜 射频磁控溅射 介电性能 介电可调率
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