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低压断路器研发新技术综述 被引量:17
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作者 李兴文 《电器与能效管理技术》 2015年第9期1-7,14,共8页
介绍了当前国内外低压断路器研发新技术,包括电弧行为的光学测试、电弧与器壁产气材料的相互作用、更高电压下弧后击穿、磁脱扣器反力弹簧参数设计、选择性保护小型断路器分断过程仿真等。为产品的优化设计和性能提升提供参考。
关键词 低压断路器 电弧 光学测试 材料 弧后击穿 反力弹簧 分断过程
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考虑器壁侵蚀影响的低压断路器电弧运动特性仿真及实验 被引量:16
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作者 马强 荣命哲 +3 位作者 Anthony B.Murphy 吴翊 徐铁军 孙志强 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第12期74-81,共8页
以磁流体动力学(MHD)为基础建立了考虑器壁侵蚀影响的低压断路器中的电弧的数学模型。在传统的质量、动量和能量守恒方程的基础上增加了器壁材料的浓度方程,考虑了器壁材料的烧蚀对气体的热动力学特性和传输系数的影响,并且采用"... 以磁流体动力学(MHD)为基础建立了考虑器壁侵蚀影响的低压断路器中的电弧的数学模型。在传统的质量、动量和能量守恒方程的基础上增加了器壁材料的浓度方程,考虑了器壁材料的烧蚀对气体的热动力学特性和传输系数的影响,并且采用"视角因数法"计算到达器壁的辐射能量。利用基于有限容积法的商业软件对上述模型进行求解,得出灭弧室内温度场、浓度场、气流场的分布情况以及电压随时间的变化过程。仿真结果表明,由于灭弧室内"漩涡"的存在使得电弧后方的聚合物蒸气浓度大于电弧前方的聚合物蒸气浓度;由于产气材料的影响,电弧的最大电压增加了19.2%;产气材料对电弧运动有加速作用,由于产气材料的影响,电弧的平均运动速度增加了20.1%。实验结果验证了仿真模型的合理性。 展开更多
关键词 电弧等离子体 磁流体动力学 器壁侵蚀 材料
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低压灭弧系统中产气材料的作用及其选择 被引量:14
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作者 陈德桂 《低压电器》 2012年第8期1-5,共5页
结合高校和国际上有关研究工作,阐述了新一代低压断路器灭弧系统广泛引入产气材料,以提高其分断性能的方法,特别是用于新能源的690 V电器产品。介绍了产气材料对提高低压断路器开断性能的作用,并以此为基础,提出了产气材料的选择方法。
关键词 材料 低压断路器 分断性能 材料选择
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低压断路器的限流技术及现状 被引量:3
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作者 连理枝 仲秀平 《机电工程》 CAS 2006年第9期67-69,共3页
论述了低压断路器的限流技术:限流线、限流电阻、平行导体产生的斥(吸)力、双断点、双灭弧室的原理,并对当前断路器应用的蒸气喷射控制技术和产气材料作了介绍。
关键词 低压断路器 限流技术 喷射控制 材料
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考虑器壁侵蚀影响的空气电弧特性仿真研究 被引量:2
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作者 李兴文 陈德桂 孙海涛 《低压电器》 北大核心 2006年第4期5-9,共5页
考虑电弧的物理参数、电磁及热和辐射现象,应用商用计算流体力学软件Phoen ics对其进行二次开发,建立了低压断路器中空气电弧等离子体的三维磁流体动力学(MHD)数学模型。分析了电弧初始位置对于电弧运动的影响。基于PA6-6产气材料和电... 考虑电弧的物理参数、电磁及热和辐射现象,应用商用计算流体力学软件Phoen ics对其进行二次开发,建立了低压断路器中空气电弧等离子体的三维磁流体动力学(MHD)数学模型。分析了电弧初始位置对于电弧运动的影响。基于PA6-6产气材料和电弧相互作用的实验数据及混合电弧的传输及热动参数,研究了产气材料对于电弧特性的影响。结果表明,产气材料的存在使得电弧直径收缩,电弧电压升高。 展开更多
关键词 电弧模型 器壁侵蚀型电弧 材料 电弧初始位置
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关于低压断路器限流技术的应用及其它
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作者 连理枝 《华通技术》 2005年第3期19-23,共5页
论述了低压断路器的限流技术:限流线、限流电阻、平衡导体产生的斥(吸)力、双断点、双灭弧室的原理(机理),并对当前断路器VJC技术和产气材料的应用作了介绍。
关键词 低压断路器 限流技术 蒸汽喷射控制 材料
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AGNTO的制备和分子结构 被引量:9
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作者 杨利 张同来 +1 位作者 冯长根 郁开北 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第5期438-442,共5页
通过 3-硝基- 1, 2, 4-三唑- 5-酮( NTO)与氨基胍重碳酸盐反应制备 NTO氨基胍盐,并用 X射线衍射、元素分析、红外光谱对其进行了表征 .晶体属于单斜晶系,空间群为 P21/n.晶体学参数为: a=0.67870(10)nm, b=2.7915(4)nm, c=1.27... 通过 3-硝基- 1, 2, 4-三唑- 5-酮( NTO)与氨基胍重碳酸盐反应制备 NTO氨基胍盐,并用 X射线衍射、元素分析、红外光谱对其进行了表征 .晶体属于单斜晶系,空间群为 P21/n.晶体学参数为: a=0.67870(10)nm, b=2.7915(4)nm, c=1.2739(2)nm;β =96.930(10)°, V=2.3959(6)nm3, Z=12, Dc=1.698 g· cm- 3,μ ( Mo Kα )=1.47 cm- 1, F(000)=1272.晶体结构经全矩阵最小二乘法修正,最终偏离因子 R=0.0352, wR =0.0718.该盐是一种具有广泛应用前景的产气剂材料 . 展开更多
关键词 3-硝基-1 2 4三唑-5-酮 AGNTO NTO氨基胍盐 制备 氨基胍重碳酸盐 分子结构 材料
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