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边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响(英文)
1
作者 吴峻峰 李多力 +2 位作者 毕津顺 薛丽君 海潮和 《电子器件》 CAS 2006年第4期996-999,1003,共5页
就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体管,并且在高的背栅压下会产生明显的泄漏电流。分析表明尽管H型栅结构的器件在源和漏之间没有直接的边缘... 就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体管,并且在高的背栅压下会产生明显的泄漏电流。分析表明尽管H型栅结构的器件在源和漏之间没有直接的边缘泄漏通路,但是在有源扩展区部分,由于LOCOS技术引起的硅膜减薄和剂量损失仍就促使了边缘背栅阈值电压的降低。 展开更多
关键词 亚阈值泄漏电流 H型栅 PMOSFET
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