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应用于弱能量收集的低功耗DC-DC升压转换器 被引量：2
1
作者 韦雪明 覃毅青 +3 位作者 林思宇 蒋丽 韦保林 李建华 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第5期653-658,共6页
设计了一种应用于能量收集领域的低功耗、超低电压DC-DC升压转换器。研究了转换器工作频率与功率和效率的关系,通过选择合适的脉冲宽度调制(PWM)频率来提高输出功率。通过适当提升转换器开关功率管的栅极电压,减小了晶体管的泄露电流,... 设计了一种应用于能量收集领域的低功耗、超低电压DC-DC升压转换器。研究了转换器工作频率与功率和效率的关系,通过选择合适的脉冲宽度调制(PWM)频率来提高输出功率。通过适当提升转换器开关功率管的栅极电压,减小了晶体管的泄露电流,从而提高了输出电压。基于CMOS 65nm工艺进行设计。仿真结果表明,提出的方案能提高弱能量转换效率。当输入电压为100mV时,最大输出电压为1 000mV。DC-DC升压转换器的输出功率为3.08μW,转换器控制单元的功耗为697nW,转换效率达到57.3%。 展开更多
关键词 脉冲宽度调制 亚阈值泄漏 高效率转换
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45nmCMOS工艺下的低泄漏多米诺电路研究 被引量：1
2
作者 杨松 王宏 杨志家 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2008年第2期89-92,共4页
在研究了45nm CMOS工艺下晶体管泄漏电流特性的基础上,提出了一种可以同时减小多米诺逻辑电路亚阈值和栅极氧化层泄漏功耗,带有NMOS睡眠开关并使用双阈值电压、双栅极氧化层厚度的电路技术。该电路技术与标准的双阈值电压多米诺逻辑电... 在研究了45nm CMOS工艺下晶体管泄漏电流特性的基础上,提出了一种可以同时减小多米诺逻辑电路亚阈值和栅极氧化层泄漏功耗,带有NMOS睡眠开关并使用双阈值电压、双栅极氧化层厚度的电路技术。该电路技术与标准的双阈值电压多米诺逻辑电路相比,待机模式时消耗的总泄漏功耗在110℃时最高可以减小65.7%,在25℃时最高可以节省达94.1%。 展开更多
关键词 多米诺逻辑 阈值电压 亚阈值泄漏 栅极氧化层
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边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响(英文)
3
作者 吴峻峰 李多力 +2 位作者 毕津顺 薛丽君 海潮和 《电子器件》 CAS 2006年第4期996-999,1003,共5页
就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体管,并且在高的背栅压下会产生明显的泄漏电流。分析表明尽管H型栅结构的器件在源和漏之间没有直接的边缘... 就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体管,并且在高的背栅压下会产生明显的泄漏电流。分析表明尽管H型栅结构的器件在源和漏之间没有直接的边缘泄漏通路,但是在有源扩展区部分,由于LOCOS技术引起的硅膜减薄和剂量损失仍就促使了边缘背栅阈值电压的降低。 展开更多
关键词 亚阈值泄漏电流 H型栅 PMOSFET
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