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题名基于内嵌空腔绝缘体上硅的GAA器件电学表征与分析
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作者
周虹阳
刘强
赵兰天
陈锦
俞文杰
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机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国科学院大学
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第7期563-569,共7页
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基金
国家重点研发计划资助项目(2022YFB4401700)。
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文摘
全包围环栅(GAA)器件具有极强的栅控能力,但工艺较为复杂,需采用先进工艺节点制备。基于新型内嵌空腔绝缘体上硅(VESOI)衬底,设计并制备了2种结构的GAA器件(纯GAA器件和π-GAA-π器件)和作为对照组的π器件,并进行了电学表征和分析。2种GAA器件均表现出良好的电学性能,开关比均达到108。纯GAA器件表现出更小的亚阈值摆幅(62 mV/dec)、更大的电流密度和更小的漏致势垒降低(DIBL)值,且不受背栅偏压的影响,但其底部栅极与源、漏存在交叠区,加剧了栅致泄漏电流(GIDL)效应;π-GAA-π器件虽然不受GIDL效应的影响,但由于其串联了π沟道,器件电学性能下降。实验结果证明了基于VESOI衬底制备GAA器件的可行性,同时进一步讨论了更高的栅极与空腔对准精度对器件性能的提升,为后续工艺改进提供了参考。
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关键词
全包围环栅(GAA)器件
内嵌空腔绝缘体上硅(VESOI)衬底
亚阈值摆幅(ss)
背栅偏压
对准偏差
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Keywords
gate-all-around(GAA)device
void embedded silicon on insulator(VESOI)substrate
subthreshold swing(ss)
back gate bias voltage
alignment deviation
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名一种带有斜向扩展源的双栅隧穿场效应晶体管
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作者
熊承诚
孙亚宾
石艳玲
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机构
华东师范大学通信与电子工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第2期94-99,139,共7页
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文摘
设计并研究了一种带有轻掺杂漏(LDD)和斜向扩展源(OES)的双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET),并利用Sentaurus TCAD仿真工具对栅长及扩展源长度等关键参数进行了仿真分析。对比了该器件与传统TFET的亚阈值摆幅、关态电流和开关电流比,并从器件的带带隧穿概率分析其优势。仿真结果表明,该器件的最佳数值开关电流比及亚阈值摆幅分别可达3.56×10^(12)和24.5 mV/dec。另外,该DG-TFET在双极性电流和接触电阻方面性能良好,且具有较快的转换速率和较低的功耗。
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关键词
带带隧穿(BTBT)
双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)
扩展源(ES)
开关电流比
亚阈值摆幅(ss)
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Keywords
band-to-band tunneling(BTBT)
double-gate tunneling field-effect transistor(DG-TFET)
extended source(ES)
on-off current ratio
subthreshold swing(ss)
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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