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集成CMOS温度传感器设计、实现和测试 被引量：7
1
作者 曹新亮 余宁梅 卫秦啸 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期38-42,共5页
基于MOS管的阈值电压和载流子迁移率随温度的变化关系,设计了一种与CMOS工艺兼容的集成温度传感器。该温度传感器选用charted0.35μm工艺库,以Cadence进行电路图、版图设计,并以CadenceSpectre工具进行仿真,最后经流片、测试,实测与仿... 基于MOS管的阈值电压和载流子迁移率随温度的变化关系,设计了一种与CMOS工艺兼容的集成温度传感器。该温度传感器选用charted0.35μm工艺库,以Cadence进行电路图、版图设计,并以CadenceSpectre工具进行仿真,最后经流片、测试,实测与仿真对比结果显示:温度在25～105℃之间变化时,输出频率的变化范围为10.19～5.81MHz,且有较好的线性。此传感器对片上系统温度的监测、过热报警和振荡器频率漂移的补偿等均有重要的意义。 展开更多
关键词 互补对称金属-氧化物半导体 温度传感器 频率 测试 分析
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静态存储单元电路设计工艺的研究 被引量：3
2
作者 李彦旭 巴大志 成立 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期13-16,共4页
论述了静态存储单元电路对目前高速数字系统的意义。通过采用对双极型(Bipolar)、互补对称式金属–氧化物–半导体型(CMOS)、双极互补金属氧化物半导体型(BiCMOS)三种不同工艺所设计的静态存储单元电路在性能、特点方面进行比较的方法,... 论述了静态存储单元电路对目前高速数字系统的意义。通过采用对双极型(Bipolar)、互补对称式金属–氧化物–半导体型(CMOS)、双极互补金属氧化物半导体型(BiCMOS)三种不同工艺所设计的静态存储单元电路在性能、特点方面进行比较的方法,从而提出一些实际的解决措施,以便研发人员在设计具体的SRAM电路时有所参考。 展开更多
关键词 电路设计 静态存储器 双极型 互补对称式金属-氧化物-半导体电路 双极互补金属氧化物半导体电路 CMOS SRAM
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基于时序特征的CMOS施密特电路开关级设计 被引量：2
3
作者 汪鹏君 吴训威 夏银水 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期100-103,126,共5页
根据施密特电路对输入信号具有二种检测阈值的工作特点 ,提出了施密特电路与用作存贮元件的触发器之间具有相同的时序特征。利用时序电路的设计方法 ,系统地研究了传统的 CMOS施密特电路的各种设计 ,并发现了一些新的设计方案。
关键词 施密特电路 时序特征 开头级设计 互补对称式金属-氧化物-半导体电路
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