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基于RC触发NMOS器件的ESD电路设计 被引量:4
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作者 李志国 余天宇 +2 位作者 张颖 孙磊 潘亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期579-583,共5页
研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影响以及反相器结构带来的ESD性能差异,并讨论了在特定应用中... 研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影响以及反相器结构带来的ESD性能差异,并讨论了在特定应用中沟道放电器件的优势。通过一系列ESD测试电路的测试和分析,发现电阻电容触发结构可以明显提高ESD电路的保护能力,其中RC值10 ns设计的栅耦合NMOS(GCNMOS)电路具有最高的单位面积ESD保护能力,达到0.62 mA/μm2。另外对于要求触发电压特别低的应用场合,RC值1μs设计的GCNMOS电路将是最好的选择,ESD能力可以达到0.47 mA/μm2,而触发电压只有3 V。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos)工艺 电阻电容触发NMOS 静电放电(ESD)电路 传输线脉冲(TLP)测试 热效应
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Si基OLED微显示器阳极图案化研究 被引量:2
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作者 季渊 冉峰 +2 位作者 徐洪光 黄舒平 沈伟星 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1717-1721,共5页
在传统的Si基OLED微显示器像素阳极工艺流程基础上,提出利用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制作像素阳极的一次图案化工艺,从而精简工艺流程,节省投资。分析了常规CMOS工艺中Al作为像素阳极表面材料对OLED微显示器光电性能的影响,开发... 在传统的Si基OLED微显示器像素阳极工艺流程基础上,提出利用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制作像素阳极的一次图案化工艺,从而精简工艺流程,节省投资。分析了常规CMOS工艺中Al作为像素阳极表面材料对OLED微显示器光电性能的影响,开发了一种Si芯片作为微显示器基板,最小像素面积为12mm×4mm,在其表面制作有机发光材料,形成Si基OLED微显示器。实验结果表明,在5V驱动电压下,本文研制的OLED微显示器发光强度可达1 000cd/m2以上,电流密度0.1mA/mm2以上,光电响应速度280ns以下,表明利用常规CMOS工艺开发Si基微显示器的可行性。 展开更多
关键词 Si基OLED微显示器 表面金属 阳极图案化 互补金属氧化物半导体(cmos)工艺
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高稳定度低相位噪声温补晶振芯片设计 被引量:2
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作者 黎荣林 黎敏强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期32-36,共5页
设计了一种满足三级钟标准的高稳定度、低相位噪声温补晶体振荡器(TCXO)集成电路芯片。芯片由电压基准电路、压控晶体振荡电路、温度补偿电压产生电路和缓冲电路等模块组成,只需外接石英晶体谐振器和滤波电容便可构成精密的TCXO。温... 设计了一种满足三级钟标准的高稳定度、低相位噪声温补晶体振荡器(TCXO)集成电路芯片。芯片由电压基准电路、压控晶体振荡电路、温度补偿电压产生电路和缓冲电路等模块组成,只需外接石英晶体谐振器和滤波电容便可构成精密的TCXO。温度补偿电压产生电路输出的电压,随温度变化,满足精确的5次多项式函数特征,使得-40~85℃温度内温补晶振输出的频率温度稳定度优于±0.2×10-6;振荡电路采用了低相位噪声设计技术,使19.99 MHz温补晶振的相位噪声优于-142 d Bc/Hz@1 k Hz。芯片采用0.5μm CMOS工艺制造,面积为2.0 mm×2.0 mm,功耗低于15 m W。 展开更多
关键词 温补晶体振荡器(TCXO) 集成电路芯片 频率温度稳定度 相位噪声 互补金属氧化物半导体(cmos)工艺
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