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在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格 被引量：2
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作者 闫隆 张永平 +2 位作者 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期1017-1021,共5页
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111) (7× 7)表面上的自组织生长 .通过控制Ge的沉积量 ,在Si(111) (7× 7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格 .构成超晶格的Ge团簇均位于 (7... 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111) (7× 7)表面上的自组织生长 .通过控制Ge的沉积量 ,在Si(111) (7× 7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格 .构成超晶格的Ge团簇均位于 (7× 7)亚单胞的位置上 ,而且它们的形状和大小基本保持一致 . 展开更多
关键词 扫描隧道显微镜 STM Si(111)-(7×7)表面 二维ge团簇超晶格 自组织结构 半导体 外延生长 自组织生长 硅衬底
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