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含缺陷的二维CuI光电性质的第一性原理计算
被引量：
1
1
作者
宋娟
贺腾
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2022年第3期68-72,共5页
基于密度泛函理论计算了本征缺陷时二维CuI的光电特性,分析了能带结构以及复介电函数.本征2D CuI的带隙值为1.56 eV,为直接带隙半导体;I和Cu缺陷的引入使2D CuI的带隙值小,Cu缺陷的引入并未改变2D CuI的带隙方式,而I缺陷的引入使2D CuI...
基于密度泛函理论计算了本征缺陷时二维CuI的光电特性,分析了能带结构以及复介电函数.本征2D CuI的带隙值为1.56 eV,为直接带隙半导体;I和Cu缺陷的引入使2D CuI的带隙值小,Cu缺陷的引入并未改变2D CuI的带隙方式,而I缺陷的引入使2D CuI变为间接带隙半导体.光学性质计算结果表明本征2D CuI的静介电函数为2.47, I缺陷的引入对2D CuI的静介电函数影响较小,但是在Cu缺陷时2D CuI的静介电函数急剧增大.
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关键词
密度泛函理论
二维
cui
结构
本征缺陷
电子
结构
光学特征
下载PDF
职称材料
题名
含缺陷的二维CuI光电性质的第一性原理计算
被引量：
1
1
作者
宋娟
贺腾
机构
贵州大学大数据与信息工程学院
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2022年第3期68-72,共5页
基金
国家自然科学基金(61564002,11664005,61604046)
贵州省科学技术基金(黔科合基础[2017]1055)。
文摘
基于密度泛函理论计算了本征缺陷时二维CuI的光电特性,分析了能带结构以及复介电函数.本征2D CuI的带隙值为1.56 eV,为直接带隙半导体;I和Cu缺陷的引入使2D CuI的带隙值小,Cu缺陷的引入并未改变2D CuI的带隙方式,而I缺陷的引入使2D CuI变为间接带隙半导体.光学性质计算结果表明本征2D CuI的静介电函数为2.47, I缺陷的引入对2D CuI的静介电函数影响较小,但是在Cu缺陷时2D CuI的静介电函数急剧增大.
关键词
密度泛函理论
二维
cui
结构
本征缺陷
电子
结构
光学特征
Keywords
Density function theory
2D
cui
Intrinsic defects
Electronic structures
Optical properties
分类号
O47 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
含缺陷的二维CuI光电性质的第一性原理计算
宋娟
贺腾
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2022
1
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职称材料
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