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水热法制备二氧化钒纳米带的研究 被引量：1
1
作者 王休 张晓亮 +1 位作者 易戈文 贾均红 《西北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2012年第4期52-55,共4页
以NaHSO3作为还原剂,将V2O5颗粒还原为VO2.在260℃、pH=1的水热条件下反应8h制得亚稳相VO2(B).NaHSO3不仅作为还原剂,而且对产物形貌的控制起关键作用.通过水热反应得到的VO2(B)是长0.5～5μm、宽50～100nm的纳米带.600℃下退火处理6h,V... 以NaHSO3作为还原剂,将V2O5颗粒还原为VO2.在260℃、pH=1的水热条件下反应8h制得亚稳相VO2(B).NaHSO3不仅作为还原剂,而且对产物形貌的控制起关键作用.通过水热反应得到的VO2(B)是长0.5～5μm、宽50～100nm的纳米带.600℃下退火处理6h,VO2(B)完全转化为具有相变性质的VO2(M),相变温度为68.7℃. 展开更多
关键词 水热法 二氧化钒(vo2) 纳米带
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二氧化钒薄膜的反常热色性能和热滞回线
2
作者 张化福 景强 孙艳 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第8期640-644,共5页
利用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同厚度的二氧化钒(VO2)薄膜。实验结果表明,所制备的VO2薄膜都具有显著的热色性能。厚度较大的薄膜在低温时具有较高的透过率,而在高温时具有较低的透过率。然而,厚度较小的薄膜在500~860 nm波长... 利用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同厚度的二氧化钒(VO2)薄膜。实验结果表明,所制备的VO2薄膜都具有显著的热色性能。厚度较大的薄膜在低温时具有较高的透过率,而在高温时具有较低的透过率。然而,厚度较小的薄膜在500~860 nm波长内的情况正好相反,即低温透过率比高温时的小。厚度较小的薄膜在500~860 nm波长内具有沿逆时针方向的热滞回线,这恰好与波长大于860 nm的情况相反。利用光学干涉理论对这一反常的热色现象及热滞回线进行了理论解释,为进一步理解VO2薄膜的热色性能及相变性能提供参考。 展开更多
关键词 二氧化钒(vo2) 磁控溅射 反常热色性能 逆时针热滞回线 薄膜
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用于智能窗的低温相变VO_2薄膜
3
作者 徐小俊 《湖北第二师范学院学报》 2019年第2期7-11,共5页
用磁控溅射法和退火处理在石英衬底上制备了高质量的二氧化钒薄膜,实验结果显示制备的薄膜为纳米级,晶粒均匀。相变前后薄膜电阻变化了4个数量级,说明制备的薄膜具有很好的相变特性。电学和光学实验均证明了制备的薄膜相变温度在53℃左... 用磁控溅射法和退火处理在石英衬底上制备了高质量的二氧化钒薄膜,实验结果显示制备的薄膜为纳米级,晶粒均匀。相变前后薄膜电阻变化了4个数量级,说明制备的薄膜具有很好的相变特性。电学和光学实验均证明了制备的薄膜相变温度在53℃左右,比纯的单晶VO_2具有低温相变特性。热致相变实验和分光光度计测试结果均显示VO_2薄膜在红外波段具有很高的开关率,在波长为3.36处开关率达到70.1%,进一步证明了制备的VO_2薄膜在智能窗应用方面具有实用性。 展开更多
关键词 二氧化钒(vo2) 低温相变 智能窗 磁控溅射
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磁控溅射氧化钒相变薄膜的电阻温度特性测量 被引量：3
4
作者 乔亚 俞红兵 +2 位作者 齐博蕾 路远 凌永顺 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第2期202-204,共3页
利用MS500-B超高真空磁控溅射镀膜机，分别采用氧化法和还原法在普通玻璃基底上制备了二氧化钒（VOz）相变薄膜；并在20-80℃内往复变化时，利用XMT-100数字精密温度计和SX1934数字四探针测试仪测量两类样品的电阻-温度特性曲线。结果... 利用MS500-B超高真空磁控溅射镀膜机，分别采用氧化法和还原法在普通玻璃基底上制备了二氧化钒（VOz）相变薄膜；并在20-80℃内往复变化时，利用XMT-100数字精密温度计和SX1934数字四探针测试仪测量两类样品的电阻-温度特性曲线。结果表明，两类样品均具有热敏相变特性；氧化法制备薄膜的电阻为9．96～0．06kΩ，相变温度约为30℃；还原法制备薄膜的电阻为80．3～7．4kΩ，相变温度约为52℃。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 二氧化钒(vo2)薄膜 退火
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基于金属-绝缘体相变材料的高钝感集成半导体桥芯片设计 被引量：2
5
作者 程鹏涛 李慧 +4 位作者 骆建军 冯春阳 骆懿 任炜 梁小会 《火工品》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期1-7,共7页
为了提高半导体桥(SCB)火工品的安全性与可靠性,通过片上集成方式,在SCB两端并联金属-绝缘体相变材料VO_(2)对其进行分流防护。提出蛇形设计方法来降低VO_(2)薄膜在金属态的电阻值,使其与SCB阻值相匹配,测试了不同长宽比的VO_(2)薄膜及... 为了提高半导体桥(SCB)火工品的安全性与可靠性,通过片上集成方式,在SCB两端并联金属-绝缘体相变材料VO_(2)对其进行分流防护。提出蛇形设计方法来降低VO_(2)薄膜在金属态的电阻值,使其与SCB阻值相匹配,测试了不同长宽比的VO_(2)薄膜及相应的集成芯片在室温(25℃)至100℃范围内的电阻曲线,并对集成芯片及单独SCB在1A1W5min和1.5A2.25W5min安流试验中的传热过程进行了仿真。结果表明:蛇形设计可以有效降低VO_(2)薄膜电阻,其阻值与蛇形长宽比(Ws/L)成反比;VO_(2)薄膜能够对SCB起到一定的分流防护作用;集成芯片尺寸对安流试验热传导过程的平衡温度有一定影响;能够通过1.5 A安流试验的最大VO_(2)阻值为5Ω,这是下一步的设计目标。 展开更多
关键词 半导体桥(SCB) 二氧化钒(vo_(2)) 集成芯片 电阻 仿真
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低共熔溶剂中直接电解还原V_(2)O_(5)制备VO_(2)的研究 被引量：1
6
作者 卜骄骄 汝娟坚 +3 位作者 付自碧 金重喜 张远 王志伟 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期458-464,共7页
利用氯化胆碱-乙二醇低共熔溶剂(ChCl-EG DES)无毒、价廉、性质稳定且合成工艺简单的特性,以其为电解质,模压成型的多孔五氧化二钒(V_(2)O_(5))块体为阴极,石墨片为阳极,在搅拌速率300 r·min^(-1),温度80℃,槽电压2.8 V条件下直接... 利用氯化胆碱-乙二醇低共熔溶剂(ChCl-EG DES)无毒、价廉、性质稳定且合成工艺简单的特性,以其为电解质,模压成型的多孔五氧化二钒(V_(2)O_(5))块体为阴极,石墨片为阳极,在搅拌速率300 r·min^(-1),温度80℃,槽电压2.8 V条件下直接电解还原V_(2)O_(5)块体制得二氧化钒(VO_(2))。采用循环伏安曲线测试方法探讨了直接还原V_(2)O_(5)的电化学行为,通过X射线衍射(XRD)与扫描电镜(SEM)检测分别研究了槽电压对产物物相和形貌的影响规律,并探讨了V_(2)O_(5)直接电解还原的过程。循环伏安分析结果表明,80℃下在ChCl-EG DES中填入铂微孔电极的V_(2)O_(5)粉末能够被还原为VO_(2);在2.4~2.8 V范围内,随着槽电压的不断升高,阴极反应速率明显加快,V_(2)O_(5)块体被逐渐还原为VO_(2);电解还原过程发生在电解质、集流体以及钒氧化物这三者的接触点处,还原反应由块体表层不断向其内部推进。该方法具有工艺流程简单、反应温度低、对设备要求低以及环境友好的优点,为低温电化学制备VO_(2)粉体提供了一条新途径。 展开更多
关键词 低共熔溶剂(DESs) 五氧化二钒(V_(2)O_(5)) 二氧化钒(vo_(2)) 电解还原 槽电压
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太赫兹波束可调谐的编码超表面设计 被引量：2
7
作者 李增霖 唐华伟 +2 位作者 徐文霞 杨耸岳 史金辉 《电波科学学报》 CSCD 北大核心 2021年第6期932-937,共6页
编码超表面可以通过编码序列设计对波束进行灵活调控,文中提出一种基于二氧化钒(VO_(2))的可调谐太赫兹编码超表面.设计中借助可调谐单元与不可调谐单元,通过VO_(2)由绝缘态到金属态的相变,在0.97 THz处实现了多种远场波束的动态切换.此... 编码超表面可以通过编码序列设计对波束进行灵活调控,文中提出一种基于二氧化钒(VO_(2))的可调谐太赫兹编码超表面.设计中借助可调谐单元与不可调谐单元,通过VO_(2)由绝缘态到金属态的相变,在0.97 THz处实现了多种远场波束的动态切换.此外,还设计了双频带太赫兹编码超表面,在0.97和1.97 THz两个不同频率下均可实现双波束.这项工作为设计可调谐编码超表面、实现波束间灵活调控开辟了一条新的途径,将在通信和雷达领域具有广泛的应用前景. 展开更多
关键词 编码超表面 二氧化钒(vo_(2)) 波束调控 太赫兹波
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B-Mg共掺杂纳米VO_(2)的制备及其热致变色特性
8
作者 吕维忠 周俏婷 +4 位作者 周天滋 黄春波 厉良普 华悦 周少华 《深圳大学学报（理工版）》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期440-446,共7页
为降低二氧化钒(VO_(2))材料的相变温度并提高VO_(2)材料的光学特性,采用溶胶-凝胶辅助水热法,控制硼(B)的掺杂原子数分数为6.0%,通过后续的高温退火处理制备硼-镁(B-Mg)共掺杂的纳米VO_(2)粉体,然后将粉体制备成薄膜.通过对B-Mg共掺纳... 为降低二氧化钒(VO_(2))材料的相变温度并提高VO_(2)材料的光学特性,采用溶胶-凝胶辅助水热法,控制硼(B)的掺杂原子数分数为6.0%,通过后续的高温退火处理制备硼-镁(B-Mg)共掺杂的纳米VO_(2)粉体,然后将粉体制备成薄膜.通过对B-Mg共掺纳米VO_(2)粉体微结构进行表征,探究Mg的原子数分数对复合材料相变温度和光学特性的影响,获得满足应用标准的B-Mg共掺杂纳米VO_(2)材料.结果表明,复合材料中掺杂的B元素和Mg元素分别以B^(3+)和Mg^(2+)形式存在于VO_(2)结构中,当Mg的原子数分数为1.8%时,复合材料表现出相对优秀的热致变色特性,且具有最低的相变温度(tc=30.8℃),其太阳光调制幅度(ΔT_(sol)=11.8%)能维持在10%以上,平均可见光透过率(Tˉ_(lum)=69.7%)比未掺杂的VO_(2)薄膜高12.1%,满足热致变色智能窗户的要求.研究结果为制备适用于热致变色智能窗户领域的VO_(2)材料提供了理论依据. 展开更多
关键词 智能材料 二氧化钒(vo_(2)) 溶胶-凝胶辅助水热法 B-Mg共掺杂 热致变色特性 相变温度
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