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溶胶-凝胶制备二氧化硅薄膜的开裂问题研究 被引量：36
1
作者 方平安 吴召平 《玻璃与搪瓷》 CAS 北大核心 2000年第3期14-19,13,共7页
为制备微晶玻璃增强用二氧化硅薄膜 ,采用溶胶 -凝胶工艺 (SOL -GEL)在普通钠钙硅玻璃基片上做了预试 ,对过程中薄膜的开裂问题进行了详细的分析和研究。结果表明 :溶胶的组成与凝胶干燥和热处理过程中的应力不均是开裂的主要原因。借... 为制备微晶玻璃增强用二氧化硅薄膜 ,采用溶胶 -凝胶工艺 (SOL -GEL)在普通钠钙硅玻璃基片上做了预试 ,对过程中薄膜的开裂问题进行了详细的分析和研究。结果表明 :溶胶的组成与凝胶干燥和热处理过程中的应力不均是开裂的主要原因。借助差热分析 (DTA)、红外吸收光谱分析 (IR)、高倍光学显微镜等分析测试手段 ,通过调整原料配比、控制干燥过程的相对湿度和调节热处理过程中的升温速率 ,较好地解决了膜面开裂问题 ,获得了表面均匀不开裂的二氧化硅薄膜。 展开更多
关键词 二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶 开裂 微晶玻璃 镀膜
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二氧化硅薄膜的制备及应用 被引量：29
2
作者 王永珍 龚国权 崔敬忠 《真空与低温》 2003年第4期228-233,共6页
二氧化硅薄膜具有良好的硬度、光学、介电性质及耐磨、抗蚀等特性,在光学、微电子等领域有着广泛的应用前景,是目前国际上广泛关注的功能材料。论述了有关二氧化硅薄膜的制备方法,相应性质及其应用前景。
关键词 二氧化硅薄膜 制备方法 功能材料 物理气相沉积 化学气相沉积 氧化法 溶胶凝胶法 液相沉积法
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酸催化正硅酸乙脂溶胶-凝胶二氧化硅薄膜的制备 被引量：17
3
作者 殷明志 姚熹 +1 位作者 李振荣 张良莹 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期847-850,880,共5页
针对正硅酸乙脂 (TEOS)溶胶 -凝胶工艺制备的二氧化硅凝胶薄膜在热处理过程中出现的龟裂现象 ,通过控制TEOS水解条件 ,使反应体的最初水解中间体以任意三维方向线状聚合 ,再水解时能形成线状 -粒状结构二氧化硅溶胶 .水解体系中引入的... 针对正硅酸乙脂 (TEOS)溶胶 -凝胶工艺制备的二氧化硅凝胶薄膜在热处理过程中出现的龟裂现象 ,通过控制TEOS水解条件 ,使反应体的最初水解中间体以任意三维方向线状聚合 ,再水解时能形成线状 -粒状结构二氧化硅溶胶 .水解体系中引入的有机添加剂丙三醇与水解中间体结合后 ,改变了二氧化硅的聚集状态 ,而聚乙烯醇使二氧化硅溶胶具有无机 -有机网状结构 .通过该工艺制备的二氧化硅溶胶易于成膜 ;所形成的二氧化硅薄膜结构均匀 ,厚度可控 ,表面致密 ,其折射率为 1 5 43～ 1 5 80 ,热导率为 0 3W / (m·K) . 展开更多
关键词 酸催化 制备 正硅酸乙脂 溶胶-凝胶工艺 二氧化硅薄膜 纳米多孔薄膜 薄膜结构
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溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO_2薄膜 被引量：17
4
作者 何志巍 甄聪棉 +1 位作者 兰伟 王印月 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期3130-3134,共5页
以正硅酸乙酯 (TEOS)为原料 ,采用旋转涂敷的方法 ,结合溶胶 凝胶技术在硅衬底上制备超低介电常数多孔SiO2 薄膜 采用两种不同的改性方法对薄膜表面进行改性 ,傅里叶变换红外光谱分析发现改性后薄膜中含有大量的—CH3键 ,从而减少了孔... 以正硅酸乙酯 (TEOS)为原料 ,采用旋转涂敷的方法 ,结合溶胶 凝胶技术在硅衬底上制备超低介电常数多孔SiO2 薄膜 采用两种不同的改性方法对薄膜表面进行改性 ,傅里叶变换红外光谱分析发现改性后薄膜中含有大量的—CH3键 ,从而减少了孔洞塌陷 .用扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌 ,发现薄膜内孔洞尺寸在 70— 80nm之间 调节溶胶pH值 ,发现pH值越小凝胶时间越长 对改性样品热处理的结果表明 ,在 30 0℃时介电常数最低达2 0 5 . 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 纳米多孔材料 二氧化硅薄膜 介电常数 傅里叶变换 红外光谱分析 正硅酸乙酯
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PECVD SiO_2薄膜内应力研究 被引量：16
5
作者 孙俊峰 石霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期397-400,共4页
研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法生长SiO2薄膜的内应力。借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺条件,如淀积温度、气体流量、反应功率、腔体压力等,分析了这些参数对SiO2薄膜内应力的... 研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法生长SiO2薄膜的内应力。借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺条件,如淀积温度、气体流量、反应功率、腔体压力等,分析了这些参数对SiO2薄膜内应力的影响。同时讨论了内应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理,对工艺条件的优化有一定参考价值。 展开更多
关键词 内应力 二氧化硅薄膜 等离子增强化学气相淀积
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疏水增透SiO_2膜的制备及其性能研究 被引量：13
6
作者 张晔 吴东 +1 位作者 孙予罕 彭少逸 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第4期355-358,共4页
以正硅酸乙酯(TEOS)和二甲基二乙氧基硅烷(DDS)为前驱体,在碱催化体系中通过选择合适的原料配比以及对体系溶胶-凝胶过程的控制使DDS和TEOS的水解产物发生共缩聚反应,进而制备出改性的SiO2溶胶,并采用旋转镀膜法(spin-coating)直接获得... 以正硅酸乙酯(TEOS)和二甲基二乙氧基硅烷(DDS)为前驱体,在碱催化体系中通过选择合适的原料配比以及对体系溶胶-凝胶过程的控制使DDS和TEOS的水解产物发生共缩聚反应,进而制备出改性的SiO2溶胶,并采用旋转镀膜法(spin-coating)直接获得了同时具有良好疏水和增透性能的SiO2光学膜,克服了增透膜防潮性能差的缺点.同时采用透射电子显微镜(TEM)、粒度分布(SDP)等手段研究了不同条件下溶胶的性质及其对膜层性能的影响,并与未经改性的SiO2增透膜进行了比较,结果表明改性后的膜层不仅疏水性大大增加,且在相同镀膜条件下,膜层的厚度随着老化时间的延长增加较小,故其透过率曲线在300～800nm范围内不易出现多个增透峰. 展开更多
关键词 疏水增透 SIO2膜 制备 性能 溶胶-凝胶 正硅酸乙酯-二甲基二乙氧基硅烷 旋转镀膜 二氧化硅薄膜 玻璃
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实验条件对纳米多孔SiO_2薄膜结构及特性的影响 被引量：12
7
作者 吴广明 王珏 +7 位作者 沈军 杨天河 张勤远 周斌 邓忠生 范滨 周东平 张凤山 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期175-181,共7页
报道了实验制备条件对纳米多孔SiO2 薄膜结构、折射率、红外吸收、XPS等特性的影响 ,尤其是报道了一种新的快速、方便、有效实现纳米多孔SiO2 薄膜折射率连续调节的方法 .在溶胶 凝胶基础上 ,采用碱、酸一步法以及碱 /酸两步法和浸渍镀... 报道了实验制备条件对纳米多孔SiO2 薄膜结构、折射率、红外吸收、XPS等特性的影响 ,尤其是报道了一种新的快速、方便、有效实现纳米多孔SiO2 薄膜折射率连续调节的方法 .在溶胶 凝胶基础上 ,采用碱、酸一步法以及碱 /酸两步法和浸渍镀膜技术制备了纳米多孔SiO2 薄膜 .使用原子力显微镜、扫描电镜、XPS、傅里叶红外光谱仪、椭偏仪等方法测量和分析了薄膜的特性 .实验结果给出从碱一步法、碱 /酸两步法、到酸一步法形成的薄膜 ,SiO2 颗粒变小 ,孔隙率降低 ,折射率从 1 18连续增加到 1 41;Si2 p峰向高束缚能方向移动 ,并接近块体的值 ;红外吸收光学模ω4 的频率向低波数方向移动 ,揭示了Si O Si键角的不断降低 .这些结果表明 ,碱 /酸两步法能方便、有效地连续控制纳米多孔SiO2 薄膜的结构 ;实验条件对薄膜特性的影响起因于纳米多孔结构改变引起的SiO2 结构变化 . 展开更多
关键词 溶胶-凝胶技术 纳米多孔结构 实验条件 二氧化硅薄膜
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溶胶-凝胶工艺制备SiO_2薄膜的结构控制和稳定性研究 被引量：11
8
作者 肖轶群 谢志勇 +2 位作者 沈军 周斌 吴广明 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1302-1306,共5页
采用溶胶-凝胶工艺在酸性、碱性和碱/酸两步催化条件下制备纳米多孔结构的SiO2薄膜。使用透射电子显微镜(TEM)、激光粒子分析仪测试了溶胶的微观结构和颗粒分布;使用反射式扫描椭偏仪、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)测试了薄... 采用溶胶-凝胶工艺在酸性、碱性和碱/酸两步催化条件下制备纳米多孔结构的SiO2薄膜。使用透射电子显微镜(TEM)、激光粒子分析仪测试了溶胶的微观结构和颗粒分布;使用反射式扫描椭偏仪、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)测试了薄膜的光学性能和微观形貌。结果表明:通过改变溶胶-凝胶过程中的催化条件可控制薄膜微观结构和光学性能。溶胶在长期存贮期间符合镀膜的稳定性要求。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 二氧化硅薄膜 稳定性 颗粒度
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镶嵌在SiO_2薄膜中的纳米InSb颗粒的制备 被引量：9
9
作者 朱开贵 石建中 +1 位作者 魏彦峰 张立德 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第13期1389-1393,共5页
用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .通过控制热处理的条件 ,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒 .InSb颗粒的尺寸与热处理温度和时间成... 用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .通过控制热处理的条件 ,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒 .InSb颗粒的尺寸与热处理温度和时间成正比 ,但是并不满足t1/3 的关系 .另外 ,还通过X射线衍射以及X射线光电子能谱对InSb SiO2 展开更多
关键词 磁控溅射 二氧化硅薄膜 锑化铟 纳米颗粒
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快速热氧化制备二氧化硅薄膜的红外研究 被引量：10
10
作者 陈涛 席珍强 +1 位作者 杨德仁 阙端麟 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期5-8,共4页
通过傅立叶红外吸收光谱分析了不同温度和时间下在硅衬底上快速热氧化(RTO)处理后的样品。结果表明,在处理相同的时间下,随着热处理温度的升高,二氧化硅薄膜的非对称伸展振动模式峰强度增强,其峰位发生了偏移。在800℃下制备二氧化硅薄... 通过傅立叶红外吸收光谱分析了不同温度和时间下在硅衬底上快速热氧化(RTO)处理后的样品。结果表明,在处理相同的时间下,随着热处理温度的升高,二氧化硅薄膜的非对称伸展振动模式峰强度增强,其峰位发生了偏移。在800℃下制备二氧化硅薄膜的热氧化动力学规律不同于1200℃下的情况。在800℃下,快速热氧化制备的薄膜中含有非化学计量比的氧化硅(SiOx),SiOxDE再氧化使得薄膜的氧化生长速率不断增加,同时也是导致红外吸收光谱中ASM峰位向长波数方向偏移。在1200℃下,快速热氧化制备的薄膜成份是二氧化硅,这种薄膜具有良好的介电性能。 展开更多
关键词 快速热氧化(RTO) 二氧化硅薄膜 傅立叶红外吸收光谱
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ECR-PECVD制备SiO_2薄膜中衬底射频偏压的作用 被引量：6
11
作者 张劲松 任兆杏 +2 位作者 梁荣庆 隋毅峰 刘卫 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期59-64,共6页
采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 (ECR PECVD)技术在单晶衬底上制备了SiO2 薄膜 ,研究了射频偏压对薄膜特性的影响。通过X射线光电子能谱 (XPS)、傅里叶变换红外线光谱 (FTIR)、原子力显微镜 (AFM)和扫描隧道显微镜 (STM... 采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 (ECR PECVD)技术在单晶衬底上制备了SiO2 薄膜 ,研究了射频偏压对薄膜特性的影响。通过X射线光电子能谱 (XPS)、傅里叶变换红外线光谱 (FTIR)、原子力显微镜 (AFM)和扫描隧道显微镜 (STM)三维形貌图测量等手段 ,对成膜特性进行了分析。实验结果表明 ,通过改变射频偏压的参数来控制离子轰击能量 ,对ECR PECVD成膜的内应力、溅射现象。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体 SIO2薄膜 射频偏压 ECR-PECVD 二氧化硅薄膜 离子轰击能量 成膜特性
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射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨 被引量：5
12
作者 叶光 林志贤 郭太良 《龙岩师专学报》 2002年第6期44-45,48,共3页
介绍了在玻璃衬底上射频磁控溅射SiO2薄膜的工艺技术,给出了薄膜淀积速率,膜内组分与工艺条件特别是溅射气压的关系。实验证明,和其他镀膜技术相比,射频磁控溅射可以在更低的温度下制备致密、均匀、重复性好的SiO2薄膜。
关键词 射频磁控溅射 二氧化硅薄膜 SIO2薄膜 淀积速率 制备工艺 集成电路
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CVD法制备SiO_2薄膜工艺条件的研究 被引量：5
13
作者 郑慧雯 章娴君 王显祥 《西南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期251-254,共4页
在Al2 O3 陶瓷基片上以正硅酸乙酯 (TEOS)为原料 ,高纯氮气作载气 ,采用低压冷壁式设备和化学气相沉积(CVD)方法制备SiO2 薄膜 ,研究了基片温度、TEOS温度和沉积时间对SiO2 薄膜沉积速率的影响 .采用XRD ,XPS和SEM技术对SiO2
关键词 CVD法 制备 二氧化硅薄膜 化学气相沉积 沉积速率 陶瓷材料
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真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性质 被引量：7
14
作者 杜开英 陈义 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期303-308,共6页
使用真空紫外（ＶＵＶ）光直接光ＣＶＤ工艺，在低温（５０－１５０℃）下成功地淀积出了优质的ＳｉＯ２薄膜．测试结果表明：淀积膜的红外吸收峰与高温热生长膜的相符合；氧和硅原子的组分非常接近化学计量比；光折射率在１．４２－１... 使用真空紫外（ＶＵＶ）光直接光ＣＶＤ工艺，在低温（５０－１５０℃）下成功地淀积出了优质的ＳｉＯ２薄膜．测试结果表明：淀积膜的红外吸收峰与高温热生长膜的相符合；氧和硅原子的组分非常接近化学计量比；光折射率在１．４２－１．５５之间；介电常数大于３．６；击穿电场强度在１×１０７Ｖ／ｃｍ的量级；用氯氟酸腐蚀液（参考配方：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１２）测得膜的平均腐蚀速率约为１．２７ｕｍ／ｓ．试用表明，当使用本实验工艺于硅器件的表面钝化、涂覆及层间隔离，替代ＰＥＣＶＤ和热ＣＶＤ工艺时，器件的击穿特性和反向漏电流均明显地改善． 展开更多
关键词 二氧化硅薄膜 生长 低温 CVD法
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自组装法制备的亚波长纳米多孔二氧化硅薄膜 被引量：7
15
作者 叶鑫 倪锐芳 +2 位作者 黄进 蒋晓东 郑万国 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1233-1239,共7页
通过自组装技术在玻璃基底上制备了二氧化硅薄膜的亚波长多孔结构,这种类似于多晶的胶体晶体结构其特征尺寸约为90nm,通过不同的提拉速度可以实现可见到红外不同波段的增透。系统研究了胶体乳液浓度、基片提拉速度对亚波长多孔薄膜透射... 通过自组装技术在玻璃基底上制备了二氧化硅薄膜的亚波长多孔结构,这种类似于多晶的胶体晶体结构其特征尺寸约为90nm,通过不同的提拉速度可以实现可见到红外不同波段的增透。系统研究了胶体乳液浓度、基片提拉速度对亚波长多孔薄膜透射谱的影响,探索了在不同波段实现高效率增透的最佳制备条件。通过等效介质理论(EMT)分析了这种亚波长多孔薄膜的光学特性,结果表明控制亚波长多孔结构的占空比可以改变等效膜层的折射率实现高效率增透。通过扫描电镜(SEM)表征了多孔膜的表面形貌,并通过图像处理的方式得到二氧化硅纳米粒子的占空比因子。实验结果表明:在一定范围内,提拉速度不同,对应的等效膜层的折射率会不同,膜层的透射率也不同。组装这种亚波长多孔纳米微结构最高增透率达到99.8%,且具有一定的宽带增透效果,通过控制膜层的厚度可以实现从可见光到红外波段的有效调谐,其在1 064nm处的损伤阈值为21.74J/cm2。 展开更多
关键词 二氧化硅薄膜 增透膜 等效介质理论 亚波长多孔结构 损伤阈值 自组装法
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镶嵌在SiO_2薄膜中InAs纳米颗粒的Raman散射 被引量：6
16
作者 朱开贵 石建中 邵庆益 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期2304-2306,共3页
对镶嵌在SiO2 薄膜中纳米InAs颗粒的Raman散射谱进行了研究 .与大块InAs晶体相比 ,InAs纳米颗粒的Raman散射谱具有相似的特征 ,即由纵光学声子模和横光学声子模组成 ,但是散射峰宽化并红移 .用声子限域效应解释了散射峰的红移现象 ,并结... 对镶嵌在SiO2 薄膜中纳米InAs颗粒的Raman散射谱进行了研究 .与大块InAs晶体相比 ,InAs纳米颗粒的Raman散射谱具有相似的特征 ,即由纵光学声子模和横光学声子模组成 ,但是散射峰宽化并红移 .用声子限域效应解释了散射峰的红移现象 ,并结合InAs纳米颗粒的应力效应解释了红移量与理论值的差异 . 展开更多
关键词 RAMAN散射 二氧化硅薄膜 砷化铟 纳米颗粒
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反应磁控溅射法制备二氧化硅薄膜的研究 被引量：7
17
作者 朱春燕 王稳奇 郗华 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期8-10,共3页
采用反应磁控溅射的方法沉积二氧化硅薄膜,研究了二氧化硅薄膜的光学特性,并与用反应离子束溅射方法沉积二氧化硅薄膜进行了对比。实验结果表明:用反应磁控溅射法沉积二氧化硅薄膜,薄膜的折射率、沉积速率主要受反应气体(氧气)浓度的影... 采用反应磁控溅射的方法沉积二氧化硅薄膜,研究了二氧化硅薄膜的光学特性,并与用反应离子束溅射方法沉积二氧化硅薄膜进行了对比。实验结果表明:用反应磁控溅射法沉积二氧化硅薄膜,薄膜的折射率、沉积速率主要受反应气体(氧气)浓度的影响,氧气含量超过15%(体积分数)后,溅射过程进入反应模式,沉积速率随氧气浓度增加而降低;入射光波长为630 nm时,薄膜折射率为1.50。对比2种薄膜沉积方法后确定,在二氧化硅薄膜工业生产中,反应磁控溅射方法更为可取。 展开更多
关键词 磁控溅射 二氧化硅薄膜 光学特性
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磁控溅射二氧化硅薄膜的制备工艺 被引量：4
18
作者 宗婉华 马振昌 王立侠 《半导体情报》 1994年第6期29-33,39,共6页
研究了在半绝缘ＧａＡｓ衬底上磁控溅射ＳｉＯ＿２薄膜的工艺技术。对影响生长薄膜的因素进行了实验分析，给出了生长速率、腐蚀速率及组分等参数与工艺条件的关系。实验证明，和其它镀膜技术相比，磁控溅射可以在更低的温度下制作致密... 研究了在半绝缘ＧａＡｓ衬底上磁控溅射ＳｉＯ＿２薄膜的工艺技术。对影响生长薄膜的因素进行了实验分析，给出了生长速率、腐蚀速率及组分等参数与工艺条件的关系。实验证明，和其它镀膜技术相比，磁控溅射可以在更低的温度下制作致密、均匀、重复性好的ＳｉＯ＿２膜。 展开更多
关键词 磁控溅射 二氧化硅薄膜 砷化镓
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有序介孔二氧化硅薄膜制备及其组装化学 被引量：2
19
作者 张学骜 刘长利 +3 位作者 钱斯文 吴晓森 王建方 吴文健 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1322-1329,共8页
本文综述了近年来利用有机模板法合成有序介孔二氧化硅薄膜的研究进展,重点阐述了两相界面外延生长和蒸发诱导自组装两种制备方法及其合成机理。此外,讨论了有序介孔二氧化硅薄膜的组装化学,包括金属元素掺杂,纳米粒子在介孔薄膜中的组... 本文综述了近年来利用有机模板法合成有序介孔二氧化硅薄膜的研究进展,重点阐述了两相界面外延生长和蒸发诱导自组装两种制备方法及其合成机理。此外,讨论了有序介孔二氧化硅薄膜的组装化学,包括金属元素掺杂,纳米粒子在介孔薄膜中的组装,以及有机物/二氧化硅纳米复合薄膜的制备,并对介孔二氧化硅薄膜未来的发展趋势做了展望。 展开更多
关键词 有序介孔 二氧化硅薄膜 制备 组装化学
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溶胶-凝胶SiO2薄膜氨热两步后处理 被引量：5
20
作者 章春来 祖小涛 +9 位作者 蒋晓东 袁晓东 王毕艺 宴良宏 张洪亮 徐世珍 田东斌 尹伟 赵松楠 吕海兵 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期956-960,共5页
以正硅酸乙酯为前驱体,氨水作催化剂,采用溶胶-凝胶法提拉镀制SiO2双面膜,对薄膜进行氨处理和热处理。采用椭偏仪、分光光度计、红外光谱、扫描探针显微镜、静滴接触角测量仪表征薄膜的特性。研究表明:经氨热两步后处理,膜厚持续减小,... 以正硅酸乙酯为前驱体,氨水作催化剂,采用溶胶-凝胶法提拉镀制SiO2双面膜,对薄膜进行氨处理和热处理。采用椭偏仪、分光光度计、红外光谱、扫描探针显微镜、静滴接触角测量仪表征薄膜的特性。研究表明:经氨热两步后处理,膜厚持续减小,折射率经氨处理先增大了0.236,再经热处理又减小了0.202,膜层透光性变好,透过率峰值持续向短波方向移动;经两步后处理的膜面平整度明显变好,与水的接触角先增大到58.92°后减小到38.07°。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 二氧化硅薄膜 氨处理 热处理 椭偏仪
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