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SiO_2掺杂TiO_2催化超声降解甲基橙溶液 被引量：14
1
作者 王君 张向东 +3 位作者 李绮 韩建涛 李莹 赵迪 《化学研究》 CAS 2004年第1期12-15,共4页
采用实验室合成的SiO2掺杂TiO2作为催化剂,以甲基橙超声降解反应为模型,研究了各种因素对SiO2掺杂TiO2催化超声降解甲基橙的影响.结果表明在SiO2掺杂TiO2催化剂作用下超声降解甲基橙的效果明显优于非掺杂的锐钛矿型TiO2的催化效果.SiO2... 采用实验室合成的SiO2掺杂TiO2作为催化剂,以甲基橙超声降解反应为模型,研究了各种因素对SiO2掺杂TiO2催化超声降解甲基橙的影响.结果表明在SiO2掺杂TiO2催化剂作用下超声降解甲基橙的效果明显优于非掺杂的锐钛矿型TiO2的催化效果.SiO2掺杂TiO2催化剂用量在0.5～1.0g/L之间,超声波频率25kHz,输出功率1.0W/cm2,pH为1.0～3.0时,在甲基橙水溶液初始浓度20mg/L的条件下,80min,降解率达到了98%以上,COD的去除率也达到了99.0%.因此,SiO2掺杂TiO2催化超声降解有机污染物的方法具有很好的应用前景. 展开更多
关键词 二氧化硅掺杂 二氧化钛催化剂 甲基橙溶液 超声降解 染料废水 废水处理
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SiO_2掺杂对PMS-PZT陶瓷结构和电性能的影响 被引量：7
2
作者 范桂芬 吕文中 +1 位作者 汪小红 杨桁 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期35-37,共3页
对Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)0.1Zr0.47Ti0.43O3(简称PMS-PZT)+w(SiO2)(0≤w≤0.6%)三元系压电陶瓷材料的微观结构和电性能进行了研究。XRD图谱表明室温下该材料为钙钛矿结构,并随SiO2掺杂物的加入材料由四方相向三方相转变。实验结果表... 对Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)0.1Zr0.47Ti0.43O3(简称PMS-PZT)+w(SiO2)(0≤w≤0.6%)三元系压电陶瓷材料的微观结构和电性能进行了研究。XRD图谱表明室温下该材料为钙钛矿结构,并随SiO2掺杂物的加入材料由四方相向三方相转变。实验结果表明:当w(SiO2)为0.1%时,在1300℃,1h条件下烧结,能获得较好的综合性能:εr为1642,tgδ为0.0043,kp为0.57,Qm为1553,d33为325pC·N–1,可以满足压电电动机和压电变压器等高功率应用方面的要求。 展开更多
关键词 无机非金属材料 锰锑 锆一钛酸铅 压电陶瓷 二氧化硅掺杂 压电性能
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SiO2掺杂对ZnO–Pr6O11基压敏电阻性能的影响 被引量：4
3
作者 刘建科 宋帆 +2 位作者 张瑞婷 徐亚宁 田书凯 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1712-1716,共5页
研究了SiO2掺杂对ZnO-Pr6O11基压敏电阻的微观结构、电性能的影响。结果表明:随着SiO2掺杂量的增加,压敏电压从137 V/mm增加到434 V/mm,后又减小到101 V/mm;当SiO2掺杂量为1.5%(摩尔分数)时,非线性系数(α)达到最大(31);当SiO2掺杂量为3... 研究了SiO2掺杂对ZnO-Pr6O11基压敏电阻的微观结构、电性能的影响。结果表明:随着SiO2掺杂量的增加,压敏电压从137 V/mm增加到434 V/mm,后又减小到101 V/mm;当SiO2掺杂量为1.5%(摩尔分数)时,非线性系数(α)达到最大(31);当SiO2掺杂量为3.0%时,压敏电压达到最大,漏电流降到最小(1.1μA/cm^2)。当SiO2掺杂量为1.5%时,损耗角正切值达到最小值;当SiO2掺杂量为4.5%时,相对介电常数达到最大值。实验证实通过SiO2掺杂得到了非线性系数高和低损耗的压敏电阻。 展开更多
关键词 二氧化硅掺杂 氧化锌压敏电阻 微观结构 电学性能
原文传递
SiO_2掺杂对BST-MgO陶瓷微观结构和介电性能的影响 被引量：1
4
作者 汪小红 史霄 +1 位作者 何建平 吕文中 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期13-16,共4页
采用普通陶瓷工艺制备了0.4Ba0.6Sr0.4TiO3-0.6MgO-xSiO2(0≤x≤5.0%)陶瓷,研究了SiO2含量对所制BST-MgO(BSTM)陶瓷微观结构以及低频、微波介电性能的影响。XRD分析表明,随着掺杂量的增加,SiO2在BSTM陶瓷中首先以SiO2的形式存在,然后与... 采用普通陶瓷工艺制备了0.4Ba0.6Sr0.4TiO3-0.6MgO-xSiO2(0≤x≤5.0%)陶瓷,研究了SiO2含量对所制BST-MgO(BSTM)陶瓷微观结构以及低频、微波介电性能的影响。XRD分析表明,随着掺杂量的增加,SiO2在BSTM陶瓷中首先以SiO2的形式存在,然后与MgO反应生成Mg2SiO4。质量分数x为0.5%的SiO2掺杂提高了BSTM陶瓷的致密度及可调率,并降低了其微波损耗,此时,陶瓷样品的可调率为16.21%,Q.f=109.5 GHz。随着SiO2掺杂量的进一步增加,BSTM陶瓷的可调率有所提高,介电常数逐渐降低,微波品质因数先降后升。在x=3.0%时,BSTM陶瓷的可调率达17.6%,Q.f=89 GHz。 展开更多
关键词 无机非金属材料 钛酸锶钡 氧化镁 二氧化硅掺杂 介电性能 可调率
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SiO_(2)掺杂对ZnO-Pr_(6)O_(11)基压敏陶瓷电学性能的影响
5
作者 朱桥 曹文斌 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期3206-3211,共6页
采用固相烧结法制备ZnO-Pr_(6)O_(11)-Co_(2)O_(3)-Cr_(2)O_(3)-Er_(2)O_(3)-SiO_(2)压敏陶瓷,研究了SiO_(2)掺杂对ZnO压敏陶瓷的物相、微观形貌、压敏特性和阻抗特性等的影响。结果表明:SiO_(2)具有抑制晶粒生长的作用,随着SiO_(2)掺... 采用固相烧结法制备ZnO-Pr_(6)O_(11)-Co_(2)O_(3)-Cr_(2)O_(3)-Er_(2)O_(3)-SiO_(2)压敏陶瓷,研究了SiO_(2)掺杂对ZnO压敏陶瓷的物相、微观形貌、压敏特性和阻抗特性等的影响。结果表明:SiO_(2)具有抑制晶粒生长的作用,随着SiO_(2)掺杂量增加,晶粒尺寸逐渐减小;SiO_(2)掺杂量为1.0%(摩尔分数)时,ZnO压敏陶瓷的性能最好,生成的第二相物质最多,击穿场强、平均晶界电压、非线性系数、晶界电阻率和晶界势垒高度均为最大,其值分别为435.5 V/mm,1.63 V,17.5,17400 MΩ·cm和0.37 e V,漏电流最小为1μA;与未掺杂SiO_(2)的ZnO压敏陶瓷相比,击穿场强和非线性系数分别提高了3.6倍和6.6倍。 展开更多
关键词 氧化锌压敏陶瓷 二氧化硅掺杂 微观结构 压敏性能 阻抗性能
原文传递
多孔SnO_2纳米纤维的制备与表征
6
作者 夏鑫 牛潇 +1 位作者 周惠敏 魏取福 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期13-17,共5页
利用静电纺丝及煅烧技术,使用二氧化硅纳米颗粒掺杂及氢氟酸蚀刻后处理技术,成功制备多孔结构的二氧化锡纳米纤维。采用扫描电子显微镜及透射电子显微镜观察氢氟酸蚀刻前后纤维形貌的变化;利用X射线衍射仪及能量色散X射线能谱仪分析二... 利用静电纺丝及煅烧技术,使用二氧化硅纳米颗粒掺杂及氢氟酸蚀刻后处理技术,成功制备多孔结构的二氧化锡纳米纤维。采用扫描电子显微镜及透射电子显微镜观察氢氟酸蚀刻前后纤维形貌的变化;利用X射线衍射仪及能量色散X射线能谱仪分析二氧化锡及掺杂纤维的晶型结构,验证了纤维比表面积的变化。结果表明:随着掺杂二氧化硅颗粒含量的增加,二氧化锡纤维直径变粗,表面粗糙度增加;经过氢氟酸蚀刻后的二氧化锡纳米纤维出现了一定程度的溶胀现象,二氧化硅颗粒成功被蚀刻,纤维比表面积提高。 展开更多
关键词 二氧化锡纳米纤维 静电纺丝 二氧化硅掺杂 比表面积
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注F^+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究 被引量：1
7
作者 武光明 朱江 高剑侠 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期28-29,共2页
向SIMOX材料的SiO2埋层或Si/SiO2界面注入170 keV F+,进而制成CMOS/SOI材料,采用60Co g 辐射器辐照并测量材料的I-V特性。结果表明:向CMOS/SOI材料埋层注入F+离子,能提高CMOS/SOI材料的抗电离辐照性能。而且,注入F+的剂量为11015cm2时,... 向SIMOX材料的SiO2埋层或Si/SiO2界面注入170 keV F+,进而制成CMOS/SOI材料,采用60Co g 辐射器辐照并测量材料的I-V特性。结果表明:向CMOS/SOI材料埋层注入F+离子,能提高CMOS/SOI材料的抗电离辐照性能。而且,注入F+的剂量为11015cm2时,材料的抗辐照能力较强。这对制作应用于电离辐射环境的COMS/SOI器件极其有益。 展开更多
关键词 CMOS/SOI材料 抗辐射 加固 二氧化硅埋层掺杂
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