高功率微波沿面闪络击穿机制粒子模拟 被引量：9

1

作者 董烨 周前红 +3 位作者 董志伟 杨温渊 周海京 孙会芳 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期950-958,共9页

针对高功率微波介质沿面闪络击穿物理过程,首先建立了理论模型,包括:动力学方程、粒子模拟算法、二次电子发射,以及电子与气体分子蒙特卡罗碰撞模型、电子碰撞介质表面退吸附气体分子机制;其次,基于理论模型,编制了1D3VPIC-MCC程序,分... 针对高功率微波介质沿面闪络击穿物理过程,首先建立了理论模型,包括:动力学方程、粒子模拟算法、二次电子发射,以及电子与气体分子蒙特卡罗碰撞模型、电子碰撞介质表面退吸附气体分子机制;其次,基于理论模型,编制了1D3VPIC-MCC程序,分别针对真空二次电子倍增、高气压体电离击穿和低气压面电离击穿过程,运用该程序仔细研究了电子和离子随时间演化关系、电子运动轨迹、电子及离子密度分布、空间电荷场时空分布、电子平均能量、碰撞电子平均能量、碰撞电子数目随时间演化关系、电子能量分布函数、平均二次电子发射率以及能量转换关系。研究结果表明:真空二次电子倍增引发的介质表面沉积功率只能达到入射微波功率1%左右的水平,不足以击穿;气体碰撞电离主导的高气压体电离击穿,是由低能电子(eV量级)数目指数增长到一定程度导致的,形成位置远离介质表面,形成时间为μs量级;低气压下的介质沿面闪络击穿,是在二次电子倍增和气体碰撞电离共同作用下,由于数目持续增长的高能电子(keV量级)碰撞介质沿面导致沉积功率激增而引发的,形成位置贴近介质沿面,形成时间在ns量级。 展开更多

关键词 高功率微波 介质沿面闪络击穿 二次电子倍增 蒙特卡罗碰撞 粒子模拟

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325 MHz spoke腔的二次电子倍增效应 被引量：4

2

作者 徐波 李中泉 +3 位作者 沙鹏 王光伟 潘卫民 何源 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2723-2726,共4页

采用CST软件的粒子工作室模块,对spoke超导腔中可能发生的二次电子倍增效应进行了分析研究,并采用二次电子倍增效应发生后形成稳定状态时的粒子数增长率来表征其强度。模拟计算表明:该腔存在两处二次电子倍增效应,spoke柱两端的两点一... 采用CST软件的粒子工作室模块,对spoke超导腔中可能发生的二次电子倍增效应进行了分析研究,并采用二次电子倍增效应发生后形成稳定状态时的粒子数增长率来表征其强度。模拟计算表明:该腔存在两处二次电子倍增效应,spoke柱两端的两点一阶倍增;spoke腔两端侧壁与中心圆筒交界处的单点一阶倍增;二次电子倍增在加速腔压为0.65MV时的增长率最高,而腔压大于1 MV时,增长率均为负,即无倍增发生。 展开更多

关键词 二次电子倍增 增长率 spoke腔 二次电子发射系数

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中国散裂中子源二期双spoke超导腔设计 被引量：1

3

作者 周文中 潘卫民 +15 位作者 葛锐 贺斐思 李中泉 王子晗 米正辉 黄彤明 戴劲 马强 徐妙富 李梅 王小龙 刘佰奇 张新颖 刘华昌 彭军 王生 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期102-110,共9页

中国散裂中子源是中国第一台、世界第四台脉冲型散裂中子源,其已于2020年2月达到100 kW功率的设计指标,运行稳定高效,供束效率位于国际前列。中国散裂中子源二期升级方案中总束流功率将升级到500 kW,其中直线加速器段将采用超导加速腔结... 中国散裂中子源是中国第一台、世界第四台脉冲型散裂中子源,其已于2020年2月达到100 kW功率的设计指标,运行稳定高效,供束效率位于国际前列。中国散裂中子源二期升级方案中总束流功率将升级到500 kW,其中直线加速器段将采用超导加速腔结构,束流能量由80 MeV提高到300 MeV。其中在80~165 MeV能量段采用324 MHz双spoke超导腔,在165~300 MeV能量段采用648 MHz 6-cell椭球超导腔。采用CST、COMSOL等仿真软件完成324 MHz双spoke超导腔的电磁、机械设计及优化,达到实际运行指标要求。为了提高腔运行的稳定性,在腔的设计中对E_(P)/E_(acc)着重进行了优化,使其尽量降低。 展开更多

关键词 双spoke超导腔 氦压灵敏度 洛伦兹力失谐 二次电子倍增 调谐灵敏度

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TiN镀层对射频器件表面二次电子倍增的抑制作用 被引量：5

4

作者 焦晓静 苏党帅 王茜 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第S1期282-287,共6页

射频器件中的二次电子倍增效应通常会产生许多不良影响,使用TiN镀层来抑制射频器件中的二次电子倍增已经有许多成功的应用。本文概述了TiN镀层的二次电子发射性能及其对真空系统释气率的影响,总结了TiN镀层在陶瓷窗、超导腔、直线加速... 射频器件中的二次电子倍增效应通常会产生许多不良影响,使用TiN镀层来抑制射频器件中的二次电子倍增已经有许多成功的应用。本文概述了TiN镀层的二次电子发射性能及其对真空系统释气率的影响,总结了TiN镀层在陶瓷窗、超导腔、直线加速器等射频器件中的应用,得出了相关结论。 展开更多

关键词 射频 二次电子倍增 氮化钛(TiN)

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真空强电磁场环境下铝的二次电子倍增规律 被引量：1

5

作者 商圣飞 杨晓宁 +3 位作者 杨勇 毕研强 武南开 于澜涛 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期1606-1613,共8页

针对卫星表面受强电磁环境的影响导致的充放电问题,采用1D3V的粒子网格(PIC)方法对卫星表面铝材料在空间强电磁环境作用下的二次电子倍增作用规律进行研究。结果表明:星表铝材料在不同微波幅值、不同频率下的二次电子倍增效应存在“最... 针对卫星表面受强电磁环境的影响导致的充放电问题,采用1D3V的粒子网格(PIC)方法对卫星表面铝材料在空间强电磁环境作用下的二次电子倍增作用规律进行研究。结果表明:星表铝材料在不同微波幅值、不同频率下的二次电子倍增效应存在“最易”倍增区间;二次电子倍增规律表现为在特定频率下,铝的二次电子倍增随着微波电场幅值的增大先增强后降低,表现出最佳倍增区间的效应;在特定幅值下,铝的二次电子倍增效应也会先增强后降低,但是整体表现出低频时倍增强,高频时抑制倍增的效应。 展开更多

关键词 高功率微波 空间电磁环境 星表材料 二次电子倍增 放电

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场致发射与二次电子倍增效应的程序开发 被引量：4

6

作者 王川 Andreas Adelmann +1 位作者 张天爵 姜兴东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1244-1246,共3页

与瑞士保罗希尔研究所合作,在双方合作开发的通用加速器模拟程序库OPAL中添加了3维复杂几何处理模块及场致发射与二次电子发射模块,使得OPAL具备了进行3维复杂结构中场致发射与二次电子倍增效应模拟的能力,可用于优化复杂高频/微波器件... 与瑞士保罗希尔研究所合作,在双方合作开发的通用加速器模拟程序库OPAL中添加了3维复杂几何处理模块及场致发射与二次电子发射模块,使得OPAL具备了进行3维复杂结构中场致发射与二次电子倍增效应模拟的能力,可用于优化复杂高频/微波器件的结构设计从而抑制暗电流发射或二次电子倍增效应。 展开更多

关键词 场致发射 二次电子倍增 程序开发 高频谐振腔

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高功率微波介质窗表面矩形槽抑制二次电子倍增 被引量：3

7

作者 宋佰鹏 范壮壮 +3 位作者 苏国强 穆海宝 张冠军 刘纯亮 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期271-275,共5页

为深入研究高功率微波(HPM)作用下介质窗沿面击穿破坏的物理机制,探索提高闪络场强阈值的方法和途径,开展了介质窗表面矩形刻槽抑制电子倍增的理论与试验研究。首先根据动力学方程建立了介质窗表面电子倍增模型并分析了介质窗槽内电子... 为深入研究高功率微波(HPM)作用下介质窗沿面击穿破坏的物理机制,探索提高闪络场强阈值的方法和途径,开展了介质窗表面矩形刻槽抑制电子倍增的理论与试验研究。首先根据动力学方程建立了介质窗表面电子倍增模型并分析了介质窗槽内电子运动轨迹,考虑了矩形槽结构对表面微波电场的影响,理论分析表明在闪络击穿的起始和发展阶段矩形槽可有效抑制电子倍增。在S波段(2.86 GHz,脉宽1μs)下开展了介质窗表面矩形刻槽的击穿破坏试验,试验结果发现表面矩形刻槽可大幅度提高微波传输功率,在槽深(1.0mm)一定时不同的刻槽宽度(0.5 mm和1.0 mm)对应的微波功率抑制范围不同。采用PIC-MC仿真模拟槽内倍增电子的时空演化,仿真结果很好地验证了试验现象。 展开更多

关键词 高功率微波 二次电子倍增 介质窗 沿面闪络 矩形槽

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高功率微波及材料特性参数对沿面击穿的影响 被引量：3

8

作者 董烨 董志伟 +2 位作者 周前红 杨温渊 周海京 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1215-1220,共6页

为研究高功率微波及材料特性参数对介质沿面闪络击穿过程的影响,采用自编的1D3VPIC-MCC程序,通过粒子模拟手段,得到了电子与离子数目、电子及离子密度分布、空间电荷场时空分布、电子平均能量、放电功率、表面沉积功率、激发电离损耗功... 为研究高功率微波及材料特性参数对介质沿面闪络击穿过程的影响,采用自编的1D3VPIC-MCC程序,通过粒子模拟手段,得到了电子与离子数目、电子及离子密度分布、空间电荷场时空分布、电子平均能量、放电功率、表面沉积功率、激发电离损耗功率、电离频率等重要物理量。结果表明:电离频率随场强增加而增加,达到饱和后缓慢下降,强场诱发的二次电子数目更多导致本底沉积功率增高;电离频率随频率减小而增加,达到饱和后缓慢下降,频率太高会抑制次级电子倍增;因此,低频强场下击穿压力较大;反射引发表面电场下降及磁场增加效应,降低表面场强虽使表面击穿压力下降,但磁场的增加会导致二次电子倍增起振时间缩短,且会增加器件内部击穿风险;圆极化相对线极化诱导二次电子数目更多、本底沉积功率更高,击穿风险增加;短脉冲产生电子、离子总数少,平均能量低,沉积功率低,击穿风险低于长脉冲;脉冲上升时间的缩短和延长,只会提前或推后击穿时间,并不会改善击穿压力;材料二次电子发射率的增加会给击穿造成巨大压力,表面光滑度对击穿过程影响不大;电离频率和电子平均能量随释气压强增加均先增加后减小,低气压二次电子倍增占优,高气压碰撞电离占优。 展开更多

关键词 高功率微波 介质沿面闪络击穿 二次电子倍增 蒙特卡罗碰撞 粒子模拟

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复杂结构沿面闪络产生发展阶段模拟研究 被引量：3

9

作者 王川 邹俭 +1 位作者 张天爵 曾乃工 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期130-133,共4页

以天光Ⅱ-A装置X-pinch负载腔为例,采用包含场致发射、二次电子倍增模型的三维模拟软件OPAL,对复杂结构中真空绝缘体沿面闪络的产生与发展阶段进行了模拟研究。模拟结果表明,阳极产生的二次电子在平行于绝缘体表面的电场分量的作用下从... 以天光Ⅱ-A装置X-pinch负载腔为例,采用包含场致发射、二次电子倍增模型的三维模拟软件OPAL,对复杂结构中真空绝缘体沿面闪络的产生与发展阶段进行了模拟研究。模拟结果表明,阳极产生的二次电子在平行于绝缘体表面的电场分量的作用下从阴极座向大半径的运动,是导致沿面闪络的主要原因。并提出了阻断沿面闪络的方法及其原理。采用阻断沿面闪络的措施后,后续多次X-pinch负载腔放电实验证明,正常的回流电流增加了近20%,真空绝缘体上的沿面闪络得到了抑制。 展开更多

关键词 真空沿面闪络 场致发射 二次电子倍增 三维模拟研究

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CSNS-Ⅱ超导椭球腔的高频设计和二次电子倍增研究 被引量：2

10

作者 李波 刘华昌 +5 位作者 王云 吴小磊 瞿培华 李阿红 樊梦旭 陈强 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期11-16,共6页

中国散裂中子源二期(China Spallation Neutron Source,CSNS-Ⅱ)升级,直线加速器能量增益将由现在的80 MeV提高到300 MeV,打靶束流功率由100 kW提高到500 kW。直线加速器升级采用Spoke腔加椭球腔的全超导结构,其中5-cell椭球腔负责把H^-... 中国散裂中子源二期(China Spallation Neutron Source,CSNS-Ⅱ)升级,直线加速器能量增益将由现在的80 MeV提高到300 MeV,打靶束流功率由100 kW提高到500 kW。直线加速器升级采用Spoke腔加椭球腔的全超导结构,其中5-cell椭球腔负责把H^-从150 MeV加速到300 MeV,工作频率为648 MHz,几何β(g βgλ/2为椭球腔单元长度,λ为工作波长)取0.60。利用三维全波电磁场仿真软件CST (Computer Simulation Technology)对该椭球腔进行了研究分析,优化了椭球腔的高频参数和几何尺寸,使得轴向电场平整度、峰值电场比、峰值磁场比分别达到98.2%、2.70和4.89 mT·(MV/m)^-1,R/Q值为305.59 Ω。通过计算分析椭球腔的二次电子倍增效应,对发生二次电子倍增严重的地方进行了形状改良,减弱二次电子倍增,并且加速梯度在8 MV·m^-1以上完全抑制了二次电子倍增。另外,对椭球腔的洛伦兹力进行了初步计算分析。 展开更多

关键词 超导 椭球腔 二次电子倍增 洛伦兹力

原文传递

横磁模下介质表面二次电子倍增的抑制 被引量：2

11

作者 李爽 常超 +4 位作者 王建国 刘彦升 朱梦 郭乐田 谢佳玲 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第13期380-387,共8页

在介质加载加速器结构(DLA)内,提出采用刻槽结构结合外加磁场的方法用于在电磁场横磁(TM)模式下抑制介质表面的电子倍增.通过理论分析和数值模拟,比较了刻槽结构和纵向磁场对斜面上电子碰撞能量和渡越时间的影响,得到了在介质表面同时... 在介质加载加速器结构(DLA)内,提出采用刻槽结构结合外加磁场的方法用于在电磁场横磁(TM)模式下抑制介质表面的电子倍增.通过理论分析和数值模拟,比较了刻槽结构和纵向磁场对斜面上电子碰撞能量和渡越时间的影响,得到了在介质表面同时存在法向RF电场及切向RF电场时,采用刻槽结构并施加一定的纵向磁场强度,可有效抑制二次电子倍增的发展,提高介质面的击穿阈值. 展开更多

关键词 介质加载加速器 横磁模 二次电子倍增 击穿

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TiN镀层对真空系统释气率的影响概述 被引量：1

12

作者 焦晓静 韩锋 苏党帅 《真空》 CAS 北大核心 2011年第5期86-90,共5页

抑制射频真空系统表面二次电子倍增的一种常用方法是在系统内表面镀TiN薄膜,因为TiN薄膜具有较低的二次电子发射率。但对于真空应用来说,必须关注TiN薄膜的真空释气率问题。本文综述了国内外在TiN镀层真空特性方面的研究现状,其中涉及Ti... 抑制射频真空系统表面二次电子倍增的一种常用方法是在系统内表面镀TiN薄膜,因为TiN薄膜具有较低的二次电子发射率。但对于真空应用来说,必须关注TiN薄膜的真空释气率问题。本文综述了国内外在TiN镀层真空特性方面的研究现状,其中涉及TiN镀层低释气率的物理机制、产生低释气率TiN薄膜的最优化镀膜条件以及两种常用镀膜方法的比较。 展开更多

关键词 氮化钛 二次电子倍增 真空特性 释气率 涂层

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电磁辐照金属铝膜材料释气效应研究 被引量：1

13

作者 李尧 范杰清 +4 位作者 张芳 谭群 郝建红 董志伟 赵强 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期62-66,共5页

为研究空间环境中通用航天器表面覆盖的热控层电磁辐照效应,采用粒子模拟(PIC)和蒙特卡罗(MC)模拟相结合方法,建立了真空环境下电磁辐照航天器热控材料模型,模拟了场致电子发射、次级电子倍增、释气雪崩电离的全过程,并讨论了释气密度... 为研究空间环境中通用航天器表面覆盖的热控层电磁辐照效应,采用粒子模拟(PIC)和蒙特卡罗(MC)模拟相结合方法,建立了真空环境下电磁辐照航天器热控材料模型,模拟了场致电子发射、次级电子倍增、释气雪崩电离的全过程,并讨论了释气密度对热防护材料表面产生释气电离现象的影响。通过对比不同释气密度下该过程产生的电子和离子情况,获得热防护材料表面释气产生雪崩电离的阈值。模拟结果表明,当铝膜表面气体密度较小时,由于材料表面释气碰撞电离概率偏低而不会发生雪崩电离;只有当释气密度超过阈值时,材料表面释气碰撞电离过程加强,材料表面发生雪崩电离生成等离子体,等离子体吸收电磁波能量,其离子和电子总能量提升,可能对金属铝膜材料造成损伤。 展开更多

关键词 电磁辐照 PIC-MCC模拟 二次电子倍增 释气 碰撞电离

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二次电子倍增对射频平板腔建场过程的影响 被引量：1

14

作者 董烨 刘庆想 +2 位作者 庞健 周海京 董志伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第17期287-296,共10页

建立了射频平板腔动态建场等效电路以及腔体双边二次电子倍增的混合物理模型,利用自主编制的1D3V-PIC二次电子倍增程序和射频平板腔动态建场全电路程序,研究分析了不同腔体Q值情况下二次电子倍增对射频平板腔动态建场过程的影响.数值模... 建立了射频平板腔动态建场等效电路以及腔体双边二次电子倍增的混合物理模型,利用自主编制的1D3V-PIC二次电子倍增程序和射频平板腔动态建场全电路程序,研究分析了不同腔体Q值情况下二次电子倍增对射频平板腔动态建场过程的影响.数值模拟表明:射频平板腔建场过程中不存在二次电子倍增的情况下,腔体Q值越高,建场时间越长,注入能量等于腔体储能和腔体耗能,建场前期腔体储能速度快于耗能速度,建场后期腔体耗能速度快于储能速度,建场成功后平均腔体消耗功率与平均注入功率相等.射频平板腔建场过程中存在二次电子倍增情况下,腔体Q值越高,进入二次电子倍增的时刻越晚,二次电子倍增作用时间越长;二次电子发射面积越大,二次电子电流峰值越高.二次电子倍增的持续加载,最终会导致射频平板腔建场过程的失败;腔体Q值越高或二次电子发射面积越大,射频平板腔建场成功的概率越低.相关模拟结果可为工程设计提供一定的参考. 展开更多

关键词 二次电子倍增 射频建场 粒子模拟 等效电路

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上海同步辐射装置次谐波聚束腔中二次电子倍增效应的模拟

15

作者 张猛 赵明华 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期403-406,共4页

上海光源直线加速器采用一个次谐波聚束腔组成预注入器,其性能的稳定性和可靠性直接关系到电子束流的品质。二次电子倍增效应是其不稳定性的原因之一,为考察其中的二次电子倍增效应,将上海光源次谐波聚束腔与最普通的重入式谐振腔进行... 上海光源直线加速器采用一个次谐波聚束腔组成预注入器,其性能的稳定性和可靠性直接关系到电子束流的品质。二次电子倍增效应是其不稳定性的原因之一,为考察其中的二次电子倍增效应,将上海光源次谐波聚束腔与最普通的重入式谐振腔进行对比。结果表明,在实际使用的工作范围内,优化次谐波腔形状可有效抑制其中的二次电子倍增效应。进一步的考察表明,腔体结构的圆滑设计是抑制二次电子倍增的原因。 展开更多

关键词 次谐波聚束器 二次电子倍增 计数函数 模拟

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CSNS-Ⅱ低β超导椭球腔的电磁设计

16

作者 瞿培华 刘华昌 +7 位作者 李波 王云 李阿红 陈强 吴小磊 樊梦旭 彭军 罗喜保 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第8期58-65,共8页

为中国散裂中子源二期工程(Chinese Spallation Neutron Source-Ⅱ,CSNS-Ⅱ)设计了一种低β超导椭球腔,利用2D程序SUPERFISH对该腔体的单元尺寸和高频等设计参数进行优化,获得的工作频率为648 MHz,几何β(βg)为0.47,单元个数为5,峰值... 为中国散裂中子源二期工程(Chinese Spallation Neutron Source-Ⅱ,CSNS-Ⅱ)设计了一种低β超导椭球腔,利用2D程序SUPERFISH对该腔体的单元尺寸和高频等设计参数进行优化,获得的工作频率为648 MHz,几何β(βg)为0.47,单元个数为5,峰值电场比Epk/Eacc、峰值磁场比Bpk/Eacc和轴向电场平整度分别为3.35、6.1 mT·(MV/m)^-1和98.42%。通过2D软件MultiPac和3D软件CST粒子工作室(Computer Simulation Technology Particle Studio,CST PS)分析了优化后腔型的二次电子倍增情况,2D结果显示在峰值场0~80 MV·m^-1区间,二次电子发射系数小于1,表明整个腔体不会发生Multipacting(MP)效应。与2D结果不同,3D结果表明在椭球赤道位置存在MP效应,但在赤道处引入一个小凸起,并进行适当的后处理和高功率老练,则可以显著抑制MP效应。与国际上同类型椭球腔进行对比,主要高频性能参数基本相当。 展开更多

关键词 低β超导椭球腔 SUPERFISH 腔型设计 MultiPac CST PS 二次电子倍增

原文传递

电磁粒子仿真软件VSim微波领域应用

17

作者 王玉峰 贾宏新 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第S1期553-556,共4页

数值模拟是微波器件研究和设计的重要手段。Particle-In-Cell(PIC)是比较常用的数值模拟方法,Tech-X公司开发的基于PIC算法的VSim软件提供功能丰富的微波和THz器件中的电磁粒子仿真能力,可以用于微波和THz器件的性能优化、可靠性分析,... 数值模拟是微波器件研究和设计的重要手段。Particle-In-Cell(PIC)是比较常用的数值模拟方法,Tech-X公司开发的基于PIC算法的VSim软件提供功能丰富的微波和THz器件中的电磁粒子仿真能力,可以用于微波和THz器件的性能优化、可靠性分析,也可用于复杂介质电磁特性研究。VSim软件提供电磁场和等离子体的演化过程结果以及等离子体的相图等参数,可使研究者深入了解器件的物理机制。 展开更多

关键词 VSim PARTICLE In Cell 微波器件 磁控管 速调管 行波管 二次电子倍增

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空间RF器件二次电子倍增特性与检测

18

作者 郑淑梅 周辉 习靖 《无线电工程》 2007年第6期46-49,共4页

介绍了低气压环境中二次电子倍增放电的产生机理和特性。提出了对射频传输器件二次电子倍增放电的产生原因和通用检测方法,并通过工程应用测试给出发生二次电子倍增放电现象的实例。总结了射频信号在低气压环境传输过程中,射频连接器、... 介绍了低气压环境中二次电子倍增放电的产生机理和特性。提出了对射频传输器件二次电子倍增放电的产生原因和通用检测方法,并通过工程应用测试给出发生二次电子倍增放电现象的实例。总结了射频信号在低气压环境传输过程中,射频连接器、同轴传输线和射频腔体器件在设计方面应重点注意的方面及采取的相应抑制措施,为工程应用提供参考。 展开更多

关键词 低气压 雪崩 二次电子倍增 RF器件 放电

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金属双边二次电子倍增的理论分析与数值模拟 被引量：9

19

作者 董烨 董志伟 杨温渊 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期454-462,共9页

针对金属双边二次电子倍增现象,分析给出了电子共振方程、共振相位、相位聚焦条件以及碰撞电势;并根据二次电子发射的材料特性,研究了金属双边二次电子倍增的敏感区间。利用蒙特卡罗方法抽样选取电子初始发射能量和角度,数值研究了二次... 针对金属双边二次电子倍增现象,分析给出了电子共振方程、共振相位、相位聚焦条件以及碰撞电势;并根据二次电子发射的材料特性,研究了金属双边二次电子倍增的敏感区间。利用蒙特卡罗方法抽样选取电子初始发射能量和角度,数值研究了二次电子倍增的敏感区间,并与理论结果进行了比对,给出了二次电子数目随时间的增长关系。利用材料二次发射特性的经验公式,辅以电子碰撞角和碰撞能量计算以及对二次电子初始能量和发射角度的蒙特卡罗随机抽样算法,编制了3维全电磁粒子模拟程序NEPTUNE的金属边界二次电子发射功能模块,模拟金属双平板二次电子倍增过程,获得了二次电子倍增物理图像、二次电子数目随时间演化规律等结果。模拟结果不仅验证了理论分析,还表明在合适的条件下,空间电荷限制作用将导致二次电子倍增的饱和。 展开更多

关键词 高功率微波 金属双边二次电子倍增 蒙特卡罗方法 3维全电磁粒子模拟程序

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星载微波器件无源互调和二次电子倍增放电的产生与抑制 被引量：6

20

作者 张世全 殷世民 葛德彪 《安全与电磁兼容》 2003年第1期12-14,共3页

在星载微波器件的设计和使用过程中,产生于大功率条件下微波器件中的无源互调和二次电子倍增放电始终是一对容易发作的问题。为了加深对这两种特殊现象的理解,文章探讨了星载微波器件的无源互调和二次电子倍增放电的产生原因,并给出了... 在星载微波器件的设计和使用过程中,产生于大功率条件下微波器件中的无源互调和二次电子倍增放电始终是一对容易发作的问题。为了加深对这两种特殊现象的理解,文章探讨了星载微波器件的无源互调和二次电子倍增放电的产生原因,并给出了抑制措施。 展开更多

关键词 星载微波器件 无源互调 二次电子倍增放电 产生原因 抑制措施

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