期刊文献+
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
分置式斯特林制冷机耦合间隙对探测器性能的影响
1
作者 李振雷 谢萌 +1 位作者 饶启超 韩蓬磊 《红外》 CAS 2024年第6期42-47,共6页
分置式斯特林制冷机作为红外探测器组件的重要组成部分,在实际应用中对红外探测器组件的性能影响较大。其中,分置式斯特林制冷机与杜瓦耦合时的耦合间隙是对红外探测器组件的性能影响最大的因素之一。因此针对二者的耦合间隙对探测器性... 分置式斯特林制冷机作为红外探测器组件的重要组成部分,在实际应用中对红外探测器组件的性能影响较大。其中,分置式斯特林制冷机与杜瓦耦合时的耦合间隙是对红外探测器组件的性能影响最大的因素之一。因此针对二者的耦合间隙对探测器性能的影响进行了实验研究。当芯片温度为75 K且制冷机的冷头温度为70 K时,模拟仿真冷指与杜瓦的变形量,耦合间隙变形为0.0096 mm。低温环境对制冷机冷指与杜瓦变形的影响较小,可以忽略冷指与杜瓦变形对耦合间隙的影响。实验结果表明,红外探测器组件的降温时间随耦合间隙的增大而逐渐增大。随着时间的逐渐增大,不同耦合间隙对应的直流电流也各不相同。同一时刻下,耦合间隙越小,直流电流就越小。二极管电压随时间的增加呈现出逐渐增大并逐渐平稳的状态。在达到控温状态前,同一时刻下,耦合间隙越小,二极管电压越大。 展开更多
关键词 分置式斯特林制冷机 耦合间隙 降温时间 直流电流 二极管电压
下载PDF
利用法拉第筒测试环形强流电子束束流 被引量:2
2
作者 朱晓欣 谭维兵 +3 位作者 苏兆峰 宋玮 胡祥刚 李小泽 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2019年第3期536-540,共5页
通过优化设计法拉第筒的响应电阻和分布电感,在“TPG700”平台上对无箔二极管阴极发射的环形电子束束流进行轴向测试。结果表明,无波二极管工作在低磁场(<1 T)条件下,在二极管电压较低时,优化后的法拉第筒测试获得的电子束束流前沿较... 通过优化设计法拉第筒的响应电阻和分布电感,在“TPG700”平台上对无箔二极管阴极发射的环形电子束束流进行轴向测试。结果表明,无波二极管工作在低磁场(<1 T)条件下,在二极管电压较低时,优化后的法拉第筒测试获得的电子束束流前沿较慢,随着二极管电压的升高,电子束束流前沿明显变快;在强磁场(>2 T)条件下,法拉第筒测试结果与罗果夫斯基线圈测试结果一致。该结果表明,相比于罗果夫斯基线圈,法拉第筒更能准确地测试出无箔二极管的前向电子束束流。 展开更多
关键词 束流测量 法拉第筒 二极管电压 二极管电流
下载PDF
三电平移相全桥变换器整流二极管RC吸收参数多目标优化设计 被引量:8
3
作者 王海超 范学鑫 +3 位作者 杨国润 王瑞田 张新生 罗毅飞 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期159-168,共10页
传统的整流二极管RC吸收参数设计基于谐振等效电路,不能精确刻画二极管反向恢复过程,RC参数难以优化。为此,基于大功率PIN二极管集总电荷模型,采用多目标优化设计RC吸收电路参数。首先,根据三电平移相全桥变换器拓扑结构及调制方式,分析... 传统的整流二极管RC吸收参数设计基于谐振等效电路,不能精确刻画二极管反向恢复过程,RC参数难以优化。为此,基于大功率PIN二极管集总电荷模型,采用多目标优化设计RC吸收电路参数。首先,根据三电平移相全桥变换器拓扑结构及调制方式,分析了RC参数对整流二极管反向电压尖峰的影响规律。其次,基于大功率PIN二极管的集总电荷模型对理论分析进行了仿真验证。然后,采用多目标优化设计RC吸收电路。最后,实验结果验证了最优RC参数抑制整流二极管反向电压尖峰的有效性。 展开更多
关键词 三电平移相全桥变换器 二极管反向恢复 集总电荷物理模型 整流二极管电压尖峰 RC吸收电路
下载PDF
HITACHI公司齐纳二极管产品目录
4
《电子设计工程》 1995年第5期50-50,共1页
HITACHI公司齐纳二极管产品目录MHD封装的HZS—B系列通用齐纳二极管通电40ms后测量齐纳二极管电压。订货时请指明HZS2.7NB1,…,HZS9.1NB3。封装:DO—34(MHD)。HITACHI公司齐纳二极管... HITACHI公司齐纳二极管产品目录MHD封装的HZS—B系列通用齐纳二极管通电40ms后测量齐纳二极管电压。订货时请指明HZS2.7NB1,…,HZS9.1NB3。封装:DO—34(MHD)。HITACHI公司齐纳二极管产品目录... 展开更多
关键词 齐纳二极管 HITACHI 二极管电压 产品目录
下载PDF
MHD封装的HZS—N系列通用齐纳二极管
5
《电子设计工程》 1995年第5期51-51,共1页
MHD封装的HZS—N系列通用齐纳二极管通电40ms后测量齐纳二极管电压。订货时请指明HZS2.7NB1,…,HZS9.1NB3。封装:DO—34(MHD)。MHD封装的HZS—N系列通用齐纳二极管...
关键词 齐纳二极管 二极管电压
下载PDF
二极管正向电压测试能力验证计划结果分析
6
作者 刘国强 《环境技术》 2024年第8期158-161,196,共5页
本文分析了能力验证计划“二极管正向电压测试”项目的结果。通过对参加机构的测试数据进行分析,评估了各机构在二极管正向电压测试方面的整体水平,并识别出可能存在的问题和改进方向。研究结果表明,各参加机构都有着较高的技术水平和... 本文分析了能力验证计划“二极管正向电压测试”项目的结果。通过对参加机构的测试数据进行分析,评估了各机构在二极管正向电压测试方面的整体水平,并识别出可能存在的问题和改进方向。研究结果表明,各参加机构都有着较高的技术水平和专业能力,能够准确完成测试任务。文章最后提出了针对性的建议,旨在提升整个行业的检测技术水平。 展开更多
关键词 二极管正向电压测试 能力验证 统计分析
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部