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题名1T’-MoTe_2原位生长关键工艺技术
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作者
熊丝纬
孙清清
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机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期625-630,共6页
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基金
国家自然科学基金面上项目(61376092)
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文摘
二元过渡金属硫族化合物碲化钼(MoTe_2),由于其室温下合适的禁带宽度和较高的理论迁移率,将作为沟道材料应用于下一代集成电路器件中,而受到普遍的关注。通过碲(Te)和钼(Mo)的原位固相反应,在真空环境中不同温度条件下退火得到1T’-MoTe_2薄膜。利用喇曼光谱、X射线光电子能谱分析以及椭圆偏振光谱化对制备的MoTe_2薄膜进行表征分析,研究了不同退火温度对MoTe_2薄膜质量的影响。实验表明,在450℃退火条件下,薄膜喇曼峰强高,半峰宽较窄,结晶质量良好。但是,由于高温下单质和化合态Te的再蒸发效应,当退火温度从450℃上升到600℃时,薄膜喇曼峰强明显减小且半峰宽变宽,结晶质量显著变差。
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关键词
二元过渡金属硫族化合物(tmd)
1T’-碲化钼(1T’-Mo
Te2)
原位生长
薄膜合成
再蒸发效应
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Keywords
binary transition metal dichalcogenide（tmd）
1T＇-molybdenum ditelluride（1T＇MoTe_2）
in-situ growth
synthesis of thin film
reevaporation effect
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分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
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