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题名之字形β-Ga_2O_3纳米材料的合成和表征
被引量:1
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作者
王月辉
刘璐
田宏燕
解莹
王红蕾
王东军
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机构
河北科技师范学院理化学院
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出处
《河北科技师范学院学报》
CAS
2010年第1期15-18,共4页
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文摘
采用溶剂热的方法,以NaN3和GaCl3做反应物,在二甲苯做溶剂的条件下,成功的合成了之字形β-Ga2O3纳米材料。利用XRD,TEM,SAED,EDS,HRTEM,PL和模型分别对之字形β-Ga2O3纳米材料的形貌和结构进行了分析。结果表明,之字形β-Ga2O3纳米材料是良好的单晶,沿着[10 3]方向子自堆垛生长。另外光致发光光谱也显示之字形β-Ga2O3纳米材料在370 nm处有很强的发射峰,并且发生了几十纳米的蓝移。
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关键词
纳米材料
之字形β-ga2o3
溶剂热
单晶
自堆垛
蓝移
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Keywords
solvothermal
zigzag-shaped β-ga2o3
monocrystal
self-stowing
blue-shift
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分类号
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
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