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中远红外非线性光学晶体研究进展 被引量：16
1
作者 贾宁 王善朋 陶绪堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第24期1-12,共12页
3—5μm和8—12μm波段中远红外激光,在国防和民用领域均具有广泛的应用,作为全固态激光频率转换系统的核心部件,非线性光学晶体需要不断地优化和发展.本文从红外非线性光学晶体材料组成角度出发,总结了几种具有重大应用前景的磷族化合... 3—5μm和8—12μm波段中远红外激光,在国防和民用领域均具有广泛的应用,作为全固态激光频率转换系统的核心部件,非线性光学晶体需要不断地优化和发展.本文从红外非线性光学晶体材料组成角度出发,总结了几种具有重大应用前景的磷族化合物(ZnGeP_2,CdSiP_2)、硫属化合物(CdSe, GaSe, LiInS_2系列,BaGa_4S_7系列)以及准位相匹配晶体(OP-GaAs, OP-GaP)等中远红外波段非线性光学晶体的研究进展. 展开更多
关键词 中远红外激光 非线性光学晶体 研究进展
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中长波Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe激光晶体生长及元件制备
2
作者 黄昌保 胡倩倩 +5 位作者 朱志成 李亚 毛长宇 徐俊杰 吴海信 倪友保 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期551-553,共3页
本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm... 本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm波段存在明显的吸收,同时,Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体在7~15μm波段透过率均接近CdSe晶体透过极限(~70%),换算吸收系数约为0.005 cm^(-1)。采用钼坩埚密封布里奇曼法制备的Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe晶体具有过渡金属离子掺杂浓度可控、掺杂均匀、晶体品质高等优点,可同时作为中波红外激光晶体和长波红外非线性光学晶体材料。 展开更多
关键词 中远红外激光 非线性光学晶体 激光晶体 过渡金属掺杂 CdSe晶体 晶体生长 布里奇曼法
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中远红外及太赫兹波段非线性晶体硒化镓 被引量：6
3
作者 杨春晖 马天慧 +1 位作者 朱崇强 雷作涛 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1402-1409,共8页
中远红外及太赫兹波段激光在国防和民用领域都有非常突出和迫切的需求,硒化镓(GaSe)晶体是一综合性能优异的红外非线性光学材料,通过差频产生和光学参量振荡可实现这两个波段的可调谐激光输出。综述了GaSe晶体及掺杂晶体在合成、生长、... 中远红外及太赫兹波段激光在国防和民用领域都有非常突出和迫切的需求,硒化镓(GaSe)晶体是一综合性能优异的红外非线性光学材料,通过差频产生和光学参量振荡可实现这两个波段的可调谐激光输出。综述了GaSe晶体及掺杂晶体在合成、生长、掺杂性能及差频产生中远红外及太赫兹辐射方面的最新研究成果,重点介绍了GaSe晶体及掺杂晶体的光学、力学性能,非线性性能及它们在频率转换方面的应用性能。通过全面的分析找出综合性能最优的掺杂晶体种类。 展开更多
关键词 硒化镓晶体 中远红外激光 非线性光学材料 太赫兹
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磷属化物非线性光学晶体研究进展 被引量：2
4
作者 陈金东 林晨升 叶宁 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第8期1405-1411,共7页
红外非线性光学晶体可以通过频率转换输出中远红外激光,在军事和民用领域都具有重要的应用。硫属化物和磷属化物皆是优秀的中远红外非线性光学材料的候选体系,近二十年来,硫属非线性光学材料得到了广泛研究和应用,然而对磷属非线性光学... 红外非线性光学晶体可以通过频率转换输出中远红外激光,在军事和民用领域都具有重要的应用。硫属化物和磷属化物皆是优秀的中远红外非线性光学材料的候选体系,近二十年来,硫属非线性光学材料得到了广泛研究和应用,然而对磷属非线性光学材料的研究还相当匮乏。本文从新材料探索方面,综述了目前已经报道的磷属非线性光学材料的研究进展,按照晶体结构将其分为三大类,即经典的黄铜矿型结构、同原子键结构以及其他四面体堆积结构。主要讨论了这些化合物的晶体结构、非线性光学性能以及构效关系。最后探讨了磷属红外非线性光学晶体未来的发展方向。 展开更多
关键词 红外非线性光学晶体 磷属化物 中远红外激光 黄铜矿型 同原子键 四面体堆积
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高压辅助法制备红外非线性AgGaGe5Se(12)、AgGaGeS4晶体 被引量：1
5
作者 马佳仁 黄昌保 +2 位作者 倪友保 吴海信 王振友 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期2423-2428,共6页
AgGaGe_5Se_(12)、AgGaGeS_4非线性晶体在中远红外激光具有良好的应用前景。合成高纯多晶是制备可器件化单晶元件的关键。但S、Se易挥发、高温下饱和蒸气压高,易导致石英坩埚的爆炸,组分偏离化学计量比。为此,本文采用一种新型的高压辅... AgGaGe_5Se_(12)、AgGaGeS_4非线性晶体在中远红外激光具有良好的应用前景。合成高纯多晶是制备可器件化单晶元件的关键。但S、Se易挥发、高温下饱和蒸气压高,易导致石英坩埚的爆炸,组分偏离化学计量比。为此,本文采用一种新型的高压辅助法合成出大尺寸高纯的多晶原料,解决了石英坩埚爆炸和组份偏离问题,并在此基础上进行了单晶的生长过程。多晶X射线粉末衍射测试结果与模拟图谱或者标准PDF卡片一致; X射线荧光光谱分析得到各元素百分含量非常接近化学计量比,AgGaGe_5Se_(12)中Ag、Ga、Ge、Se各占7. 86%、5. 08%、23. 80%、63. 26%,AgGaGeS_4中Ag、Ga、Ge、S各占28. 22%、18. 24%、19. 52%、34. 02%;单晶透过率测试得到AgGaGe_5Se_(12)、AgGaGeS_4透过率分别为60%、70%,证明此方法制备的AgGaGe_5Se_(12)、AgGaGeS_4晶体性能优良,展现了该方法在多晶合成的应用潜力。 展开更多
关键词 AgGaGe5Se12 AgGaGeS4 中远红外激光 高压辅助法
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大尺寸GaSe单晶生长和光学性能
6
作者 马天慧 朱崇强 +3 位作者 雷作涛 杨春晖 张红晨 王慧文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期182-186,共5页
通过双温区法合成了GaSe多晶原料,单次合成量可达300 g以上。通过垂直Bridgman–Stockbarger法生长了直径40 mm、长度130 mm的GaSe单晶体,测定了热学和光学性能。结果显示:吸收系数小于1 cm^–1的透过波段为0.64μm^17.80μm,吸收系数小... 通过双温区法合成了GaSe多晶原料,单次合成量可达300 g以上。通过垂直Bridgman–Stockbarger法生长了直径40 mm、长度130 mm的GaSe单晶体,测定了热学和光学性能。结果显示:吸收系数小于1 cm^–1的透过波段为0.64μm^17.80μm,吸收系数小于0.1 cm^–1的透过波段为0.64μm^12.82μm;太赫兹光谱显示有2个吸收峰,分别在0.58 THz和1.10 THz处,吸收系数均小于5.5 cm^–1;GaSe单晶体的激光损伤阈值为3.2 J/cm^2。 展开更多
关键词 硒化镓晶体 中远红外激光 非线性光学材料 太赫兹
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