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黄铜矿半导体电学特性对其中等嗜热菌浸出行为的影响 被引量：1
1
作者 张家明 张雁生 +4 位作者 张博 常可欣 李腾飞 王军 覃文庆 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期111-114,共4页
为了研究黄铜矿半导体电学特性对其生物浸出的影响机制,采用霍尔效应测试技术分析了3种不同来源黄铜矿的半导体电学特性,并在45℃、170 r/min、2%矿浆浓度条件下进行了中等嗜热混合菌浸出试验。结果表明,黄铜矿A的载流子浓度为-9.190... 为了研究黄铜矿半导体电学特性对其生物浸出的影响机制,采用霍尔效应测试技术分析了3种不同来源黄铜矿的半导体电学特性,并在45℃、170 r/min、2%矿浆浓度条件下进行了中等嗜热混合菌浸出试验。结果表明,黄铜矿A的载流子浓度为-9.190×10^(18)cm^(-3),绝对值明显高于黄铜矿B和C的载流子浓度(-3.065×10^(18)cm^(-3)和-2.183×10^(17)cm^(-3));黄铜矿A的电阻率为0.054 65Ω·cm,明显低于黄铜矿B和C的电阻率(0.146 9Ω·cm和0.930 6Ω·cm);黄铜矿的载流子浓度、电阻率与其铜浸出率存在明显联系,黄铜矿的载流子浓度越高、电阻率越小,铜的浸出速率就越高,浸出19 d后,3种黄铜矿纯矿物(A、B、C)的铜浸出率分别为66.1%,25.3%和21.4%;电化学试验结果表明,3种黄铜矿的氧化还原反应过程基本相同,但黄铜矿A的腐蚀电流密度明显高于另外两者。 展开更多
关键词 黄铜矿 半导体电学特性 中等嗜热浸矿菌 生物浸出 电化学
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