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中子单粒子效应研究现状及进展 被引量：14
1
作者 杨善潮 齐超 +8 位作者 刘岩 郭晓强 金晓明 陈伟 白小燕 林东生 王桂珍 王晨辉 李斌 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期4-10,共7页
回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感... 回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感性加剧的物理机制。分析认为目前中子单粒子效应已成为小尺寸大规模互补金属氧化物半导体器件的主要中子效应表现;中子辐射效应研究中,除了位移损伤效应以外还必需重视由中子电离造成的中子单粒子效应。 展开更多
关键词 中子辐照效应 中子单粒子效应 随机静态存储器 低能中子
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氮化镓在不同中子辐照环境下的位移损伤模拟研究 被引量：7
2
作者 谢飞 臧航 +3 位作者 刘方 何欢 廖文龙 黄煜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第19期45-53,共9页
电子器件中的半导体材料经过中子辐照后产生大量位移损伤,进而影响器件性能,氮化镓(GaN)材料是第三代宽禁带半导体, GaN基电子器件在国防、空间和航天等辐射服役环境中具有重要应用.本文利用蒙特卡罗软件Geant4模拟了中子在GaN材料中的... 电子器件中的半导体材料经过中子辐照后产生大量位移损伤,进而影响器件性能,氮化镓(GaN)材料是第三代宽禁带半导体, GaN基电子器件在国防、空间和航天等辐射服役环境中具有重要应用.本文利用蒙特卡罗软件Geant4模拟了中子在GaN材料中的输运过程,对在大气中子、压水堆、高温气冷堆和高通量同位素堆外围辐照区四种中子辐照环境下GaN中的初级反冲原子能谱及加权初级反冲原子能谱进行了分析.研究发现:在四种辐照环境下GaN中初级反冲原子能谱中,均在0.58 MeV附近处出现不常见的"尖峰",经分析该峰为核反应产生的H原子峰,由于低能中子(n, p)反应截面较大,该峰的强弱和低能中子占总能谱的比例有关;通过对比四种中子辐照环境下GaN中初级反冲原子能谱分布可知,大气中子能谱辐照产生的初级反冲原子能量更低、分布范围更广,裂变堆能谱下较高能量的初级反冲原子的比例较大,大气中子和高通量同位素堆辐照环境下的初级反冲原子能谱与加权初级反冲原子谱形状更相似,结合核反应产物对电学性能的影响,高通量同位素堆外围辐照区更适合用于模拟GaN在大气中子环境下的辐照实验.该结果对GaN基电子器件在辐射环境下长期服役评估研究和GaN材料的反应堆模拟中子辐照环境实验研究具有参考价值. 展开更多
关键词 GEANT4 氮化镓 初级反冲原子能谱 中子辐照效应
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ST嬗变堆中心柱的中子学及中子辐照效应研究 被引量：2
3
作者 张国书 冯开明 郭增基 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期25-30,共6页
基于先进核数据库ENDF B VI和计算机程序对ST嬗变堆中心柱的中子学及辐照损伤的二维分析计算结果 ,分别对中心柱导体因中子辐照影响而引起电阻率、电阻、电流和欧姆电阻功率等的沿径向不均匀分布 ,以及辐照损伤对中心柱热工水力问题及... 基于先进核数据库ENDF B VI和计算机程序对ST嬗变堆中心柱的中子学及辐照损伤的二维分析计算结果 ,分别对中心柱导体因中子辐照影响而引起电阻率、电阻、电流和欧姆电阻功率等的沿径向不均匀分布 ,以及辐照损伤对中心柱热工水力问题及更换寿命的影响进行了分析和计算。结果表明 ,中子辐照直接改变了中心柱导体材料的电阻率分布。热工 水力学分析和计算表明 ,电流不均匀分布可显著地延长中心柱的使用寿命 ,并估算出ST嬗变堆中心柱设计的更换寿命大约 展开更多
关键词 球形托卡马克 中心柱 中子学 辐照损伤 ST嬗变堆 中子辐照效应
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活化法测定试管处的中子注量
4
作者 郑春 代少丰 王强 《中国工程物理研究院科技年报》 2006年第1期63-64,共2页
为了研究生化武器的模拟物的快中子辐照效应，在快中子脉冲堆CFBR-Ⅱ堆上进行了生化制剂样品的辐照实验。制剂样品均放置在直径约10mm，高度约40mm的玻璃或聚酯试管中，样品有固体和液体等形态，在本次辐照实验中用S和Au活化箔的比活度... 为了研究生化武器的模拟物的快中子辐照效应，在快中子脉冲堆CFBR-Ⅱ堆上进行了生化制剂样品的辐照实验。制剂样品均放置在直径约10mm，高度约40mm的玻璃或聚酯试管中，样品有固体和液体等形态，在本次辐照实验中用S和Au活化箔的比活度结合事先测定的中子能谱等确定了样品处的中子注量。由于样品在试管内，不能放置探测器，因此，首先在没有放置试管和样品时将两种活化箔放在将要放置样品的地方，同时在中子能谱和中子注量已知的一点放置活化箔，CFBR-Ⅱ堆稳定功率运行20min。 展开更多
关键词 中子注量 活化法 试管 测定 CFBR-Ⅱ堆 中子辐照效应 快中子脉冲堆 辐照实验
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15MnTi 钢的中子辐照效应 被引量：1
5
作者 吕继新 《核动力工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期43-45,共3页
介绍了１５ＭｎＴｉ钢的母材、焊缝及其热影响区在不同注量的快中子辐照后、材料的机械性能变化情况。根据试验结果得到，辐照温度为５０℃，快中子注量在１．０×１０１８ｃｍ－２到６．０×１０１８ｃｍ－２之间，１５ＭｎＴ... 介绍了１５ＭｎＴｉ钢的母材、焊缝及其热影响区在不同注量的快中子辐照后、材料的机械性能变化情况。根据试验结果得到，辐照温度为５０℃，快中子注量在１．０×１０１８ｃｍ－２到６．０×１０１８ｃｍ－２之间，１５ＭｎＴｉ钢的脆性转变温度增量ΔＴｃｖ与积分快中子注量的经验关系公式。 展开更多
关键词 压力容器支座 反应堆 锰钛钢 中子辐照效应
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DLC薄膜中子辐照效应
6
作者 刘贵昂 王天民 谢二庆 《核科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期157-160,165,共5页
采用射频等离子体化学汽相沉积法得到了类金刚石（以下简称DLC）薄膜,并用能量为14MeV的中子对其进行辐照,辐照剂量为1.4×1012n/cm2～7.2×1012n/cm2。通过Raman及红外光谱分析得出,中子辐照造成膜中SP3C-C键的明显减少及SP2C=... 采用射频等离子体化学汽相沉积法得到了类金刚石（以下简称DLC）薄膜,并用能量为14MeV的中子对其进行辐照,辐照剂量为1.4×1012n/cm2～7.2×1012n/cm2。通过Raman及红外光谱分析得出,中子辐照造成膜中SP3C-C键的明显减少及SP2C=C键的增加,并形成少见的非晶型SP1C≡C键碳（直线型碳）,使DLC膜进一步非晶化。经辐照后的DLC薄膜红外透过率均有所提高,在实验剂量范围内,基本上与辐照剂量无关。 展开更多
关键词 DLC薄膜 中子辐照效应 类金刚石薄膜 结构 抗辐射性能
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集成运算放大器的中子辐照损伤效应研究
7
作者 李杰 刘远 +2 位作者 罗心月 恩云飞 何玉娟 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2016年第7期755-760,共6页
论文针对双极型运算放大器的中子辐照损伤效应开展实验与理论研究。从双极型器件的中子辐照损伤机理出发,考虑器件电流增益随中子注量的退化,对集成运放的偏置电流、开环增益、共模抑制比与电源抑制比等敏感参数展开试验与理论研究。基... 论文针对双极型运算放大器的中子辐照损伤效应开展实验与理论研究。从双极型器件的中子辐照损伤机理出发,考虑器件电流增益随中子注量的退化,对集成运放的偏置电流、开环增益、共模抑制比与电源抑制比等敏感参数展开试验与理论研究。基于中子辐照损伤系数,针对集成运放中敏感参数随中子注量的退化进行仿真研究,并通过电路敏感性分析明确运放中子辐照损伤的敏感器件与敏感单元。 展开更多
关键词 集成运算放大器 中子辐照效应 损伤机理 实验与仿真
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