质子和1MeV中子在硅中能量沉积的模拟计算 被引量：8

1

作者 陈世彬 张义门 +2 位作者 陈雨生 黄流兴 张玉明 《高能物理与核物理》 EI CSCD 北大核心 2001年第4期365-370,共6页

在现有中子截面数据和粒子与物质相互作用的理论基础上 ,编写了计算中子非电离能量损失 (NIEL)和电离能量损失 (IEL)程序 ,利用该程序和引进的TRIM95程序计算了 1MeV中子和质子在硅中IEL和NIEL的大小和分布等 ,并对计算结果进行了分析... 在现有中子截面数据和粒子与物质相互作用的理论基础上 ,编写了计算中子非电离能量损失 (NIEL)和电离能量损失 (IEL)程序 ,利用该程序和引进的TRIM95程序计算了 1MeV中子和质子在硅中IEL和NIEL的大小和分布等 ,并对计算结果进行了分析和比较 . 展开更多

关键词 中子损伤 计算机模拟 蒙特卡罗 能量沉积 质子损伤 硅 半导体器件辐射 非电离能量损失(NIEL) 电离能量损失(IEL) 中子截面 粒子与物质相互作用

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1MeV中子在Si和SiO_2中非电离能量损失和电离能量损失的蒙特卡罗计算 被引量：2

2

作者 陈世彬 张义门 +2 位作者 陈雨生 黄流兴 张玉明 《辐射防护》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期48-52,共5页

在现有实验数据的基础上结合多种理论 ,给出了计算中子在材料中非电离能量损失 ( NIEL )和电离能量损失 ( IEL)的蒙特卡罗 ( MC)计算方法 ,利用此方法编写的计算程序可以对任意材料、多层结构中中子产生的 NIEL和 IEL以及空位和声子分... 在现有实验数据的基础上结合多种理论 ,给出了计算中子在材料中非电离能量损失 ( NIEL )和电离能量损失 ( IEL)的蒙特卡罗 ( MC)计算方法 ,利用此方法编写的计算程序可以对任意材料、多层结构中中子产生的 NIEL和 IEL以及空位和声子分布等进行计算。对硅和二氧化硅材料 1Me V中子损伤进行的计算结果表明 。 展开更多

关键词 中子损伤 计算机模拟 蒙特卡罗模拟 能量沉积 辐射效应 硅 二氧化硅 半导体材料 辐射损伤

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裂变中子照射对小鼠脾脏淋巴细胞增殖功能的影响 被引量：1

3

作者 王宝勤 熊景峰 +2 位作者 王珏 谭洪玲 涂开成 《中华放射医学与防护杂志》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期100-104,共5页

小鼠经梯度剂量的裂变中子和６０Ｃｏγ射线照射，照后１天脾脏淋巴细胞数的变化，显示了其是由对中子和γ射线辐射敏感和辐射抗性两种成分组成，而同一种成分对中子辐射的敏感性又高于对γ射线的辐射敏感性。对中子和γ射线辐射敏感成... 小鼠经梯度剂量的裂变中子和６０Ｃｏγ射线照射，照后１天脾脏淋巴细胞数的变化，显示了其是由对中子和γ射线辐射敏感和辐射抗性两种成分组成，而同一种成分对中子辐射的敏感性又高于对γ射线的辐射敏感性。对中子和γ射线辐射敏感成分的Ｄ０值分别为０．４０Ｇｙ和０．９６Ｇｙ，ＲＢＥ值为２．４０。用丝裂原刺激后的３Ｈ－ＴｄＲ掺入法测定照后小鼠脾脏淋巴细胞的增殖反应，表明脾脏的Ｔ、Ｂ淋巴细胞也是由辐射敏感性不同的两种成分组成。对中子和γ射线敏感性高的Ｔ细胞的Ｄ３７值约为０．８２和０．７５Ｇｙ，Ｂ细胞的Ｄ３７值约为１．０５和２．３８Ｇｙ，ＲＢＥ值相应为０．９１和２．２７。裂变中子２．３Ｇｙ和６０Ｃｏγ射线等效致死剂量４．５Ｇｙ照射后，小鼠脾脏Ｔ淋巴细胞转化功能的损伤和恢复的趋势基本一致。Ｂ淋巴细胞转化功能的损伤和恢复的趋势也基本一致。 展开更多

关键词 裂变中子 淋巴细胞 小鼠 脾脏 中子损伤

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砷化镓探测器的灵敏度研究 被引量：1

4

作者 杨洪琼 杨建伦 王慧芳 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期198-203,224,共7页

本文介绍了中子辐照损伤的砷化镓光电导探测器对强流γ脉冲辐射的响应。给出了掺铬砷化馆和本征砷化镓探测器的灵敏度随中子辐照损伤注量的变化规律及随着施加偏压的变化关系。

关键词 核探测器 砷化镓 中子损伤 灵敏度

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中子在硅中能量沉积的Monte Carlo模拟 被引量：2

5

作者 陈世彬 《西安工业大学学报》 CAS 2007年第4期360-362,共3页

不同的半导体器件对高能中子在半导体材料中的电离能量沉积和非电离能量沉积的响应规律不同,研究半导体器件的辐射损伤需要首先研究其材料的损伤.在现有中子截面数据库和粒子与物质相互作用的理论基础上,利用中子输运的Monte Carlo模拟... 不同的半导体器件对高能中子在半导体材料中的电离能量沉积和非电离能量沉积的响应规律不同,研究半导体器件的辐射损伤需要首先研究其材料的损伤.在现有中子截面数据库和粒子与物质相互作用的理论基础上,利用中子输运的Monte Carlo模拟方法,提出了1MeV中子电离能量损失和非电离能量损失的模拟方法,编程计算了1 MeV中子在硅中电离能量损失和非电离能量损失的大小和分布,以及初始反冲原子的平均能量等.计算结果与文献基本符合,表明该方法是可行的.对进一步研究器件的辐射损伤效应奠定了基础. 展开更多

关键词 中子损伤 计算机模拟 蒙特卡罗 能量沉积

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中子辐射对P型HPGe探测器的影响

6

作者 张子良 张建勇 +3 位作者 姜小盼 秦秀波 王宝义 侯新生 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期577-580,共4页

采用钚碳源(PuC)来刻度HPGe探测器,通过实验结果分析,探讨了快中子对HPGe探测器的损伤的影响以及石蜡材料对屏蔽中子的效应;研究了中子能量注量对P型高纯锗探测器HPGe的能量分辨率的影响,以及其能量分辨率随屏蔽材料厚度的变化关系。

关键词 中子损伤 P型HPGe 中子注量 能量分辨率

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中子急性损伤对GM-CSF转基因小鼠肝脏和肺中VEGF表达的影响

7

作者 王彬 杨占山 +3 位作者 王天昶 李娜 胡莉钧 杨斌俊 《苏州大学学报（医学版）》 CAS 北大核心 2011年第1期43-47,共5页

目的研究粒细胞-巨噬细胞集落刺激因子(GM-CSF)转基因小鼠经中子照后肺脏和肝脏中血管内皮细胞生长因子(VEGF)蛋白的表达变化。方法 BALB/C小鼠进行全身中子照射,吸收剂量为0.6Gy,分为未转基因组和转基因组,转基因组于照射前24 h进行hGM... 目的研究粒细胞-巨噬细胞集落刺激因子(GM-CSF)转基因小鼠经中子照后肺脏和肝脏中血管内皮细胞生长因子(VEGF)蛋白的表达变化。方法 BALB/C小鼠进行全身中子照射,吸收剂量为0.6Gy,分为未转基因组和转基因组,转基因组于照射前24 h进行hGM-CSF活体基因电转染。两组小鼠照射后1、14和28 d分批活杀,应用HE染色观察组织病理形态学变化,免疫组化法检测VEGF的蛋白表达及用Western blot研究VEGF在肺脏和肝脏中的表达变化。结果转基因组小鼠在照后14～28 d,肺脏及肝脏病理损伤较轻,VEGF蛋白表达水平较未转基因组增高。结论 GM-CSF基因活体转染对小鼠中子急性损伤极期和恢复期血管生成和恢复具有促进作用。 展开更多

关键词 中子损伤 粒细胞-巨噬细胞集落刺激因子 基因转染 血管内皮细胞生长因子 肺脏 肝脏

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兰宝石对于反应堆最有用

8

作者 那刹 《国外核新闻》 北大核心 1992年第6期21-21,共1页

【《英国原子能管理局时报》1992年1月第364期报道】最近在柏林召开的1991年延长核电厂寿命会议上,英国原子能管理局反应堆服务部门宣布,小小的兰宝石晶体置于核电站反应堆的内部,可用来测量反应堆材料的中子损伤效应。

关键词 兰宝石 中子损伤 核电站反应堆 反应堆材料 测量技术 服务部门 辐照损伤 电力公司 威尔 光谱分析仪

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化学成分以及辐照条件对压力容器钢中子辐照损伤的影响 被引量：5

9

作者 黄鹤飞 RADIGUET Bertrand PAREIGE Philippe 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第23期106-112,共7页

在核电站反应堆中,压力容器作为压水堆的第二道安全屏障,在压水堆安全运行和防止核泄漏方面发挥着极为重要的作用。反应堆内的中子辐照会引起压力容器钢微观结构的变化,进而降低其力学性能,影响核反应堆的安全。总结了中子辐照下压力容... 在核电站反应堆中,压力容器作为压水堆的第二道安全屏障,在压水堆安全运行和防止核泄漏方面发挥着极为重要的作用。反应堆内的中子辐照会引起压力容器钢微观结构的变化,进而降低其力学性能,影响核反应堆的安全。总结了中子辐照下压力容器钢及其模型合金中形成的缺陷,并进一步综述了化学成分和中子辐照条件,包括铜、镍、磷、锰、硅和铬等元素,中子注量以及中子注量率等参数对压力容器钢中子辐照损伤的影响。 展开更多

关键词 压力容器钢缺陷 中子辐照损伤化学成分 中子注量 中子注量率

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NPN型双极晶体管中子位移损伤差异实验研究

10

作者 刘炜剑 李瑞宾 +6 位作者 王桂珍 白小燕 金晓明 刘岩 齐超 王晨辉 李俊霖 《现代应用物理》 2024年第3期105-111,119,共8页

利用西安脉冲反应堆(Xi’an pulsed reactor,XAPR)的稳态中子对NPN型双极晶体管(NPN bipolar junction transistor,NPN-BJT)进行中子辐照实验,开展NPN-BJT不同固定发射极电流I_(E)条件下的中子位移损伤差异研究。研究结果表明:同一I_(E... 利用西安脉冲反应堆(Xi’an pulsed reactor,XAPR)的稳态中子对NPN型双极晶体管(NPN bipolar junction transistor,NPN-BJT)进行中子辐照实验,开展NPN-BJT不同固定发射极电流I_(E)条件下的中子位移损伤差异研究。研究结果表明:同一I_(E)条件下,集成NPN-BJT与2N2222A NPN-BJT的电流增益退化都随辐照中子注量的增加呈逐渐增强趋势;在同一中子注量辐照下,随双极晶体管固定I_(E)的增大,中子辐射损伤常数K_(τ)降低,中子辐照前后电流增益的变化量减小,晶体管电流增益退化程度减弱,因此在一定范围内,提高固定I_(E)可在一定程度上增强NPN-BJT抗中子辐射能力。 展开更多

关键词 NPN型双极晶体管 固定发射极电流 中子位移损伤 电流增益

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基于核数据的中子诱发原子离位损伤截面评估方法

11

作者 陈胜利 袁岑溪 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期303-313,共11页

中子辐照损伤是核能系统面临的重要挑战之一。中子辐照损伤是由中子核反应诱发的,通常通过离位损伤(用平均每原子离位数DPA计)量化。离位损伤的过程为中子核反应产生的反冲核,在辐照损伤中称为初级碰撞原子(Primary Knock-on Atom,PKA)... 中子辐照损伤是核能系统面临的重要挑战之一。中子辐照损伤是由中子核反应诱发的,通常通过离位损伤(用平均每原子离位数DPA计)量化。离位损伤的过程为中子核反应产生的反冲核,在辐照损伤中称为初级碰撞原子(Primary Knock-on Atom,PKA),引发材料中原子级联碰撞产生,因此其评估需要基于中子核反应理论或相关核数据。由于现有评价核数据库中未包含全部反冲能谱分布,中子辐照导致的离位损伤截面需要基于已有微分截面与守恒方程计算。本工作回顾了中子辐照诱发离位损伤的两种计算思路、系统地归纳了不同核反应类型(包括离散与连续的两体反应、中子俘获反应以及多体反应)导致的离位损伤截面计算理论方法、并指出了现有方法的不足。最后,以事故容错包壳材料FeCrAl为例,基于ENDF/B-Ⅷ.0数据库计算了多组不同Cr与Al含量的离位损伤截面。初步研究结果表明FeCrAl的中子辐照离位损伤评估对其中Cr与Al含量的敏感性较低且高出Fe单质的DPA截面约3%~4%,因此DPA评估中可暂不考虑不同Cr与Al含量的影响。但Cr与Al的含量可能会影响离位阈能与损伤能量。 展开更多

关键词 核数据 中子核反应 中子辐照损伤 DPA截面 FECRAL

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基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响 被引量：3

12

作者 王晨辉 陈伟 +6 位作者 刘岩 李斌 杨善潮 金晓明 白小燕 齐超 林东生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期171-176,共6页

通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×10... 通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×1012,6×1012,8×1012,1×1013 cm-2的中子辐照实验,研究基区表面势的增加和降低对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤退化特性的影响。研究结果表明,基区表面势的增加引起栅控横向PNP晶体管共射极电流增益倒数的变化量随辐照中子注量的退化速率增加,基区表面势的降低对位移损伤退化速率无明显影响。 展开更多

关键词 基区表面势 栅控横向PNP晶体管 中子位移损伤

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锗酸铋晶体快中子辐照损伤及其等温时效研究 被引量：3

13

作者 李欣年 方晓明 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第1期73-77,共5页

锗酸铋(BGO)晶体作为一种优良的无机闪烁体被广泛用于高能物理和γ辐射探测技术中,这必然涉及辐照损伤的问题.该文试图对锗酸铋晶体的辐射损伤形成机理予以描述,对其进行两种不同剂量的14MeV快中子辐照和室温等温时效以及高温退火处理,... 锗酸铋(BGO)晶体作为一种优良的无机闪烁体被广泛用于高能物理和γ辐射探测技术中,这必然涉及辐照损伤的问题.该文试图对锗酸铋晶体的辐射损伤形成机理予以描述,对其进行两种不同剂量的14MeV快中子辐照和室温等温时效以及高温退火处理,将辐照前后的BGO闪烁体作为探头,测定其本底谱和137Cs的γ能谱.通过分析BGO闪烁体的峰总比、能量分辨率及道漂等变化,来揭示BGO快中子辐照损伤的形成和退火回复机制. 展开更多

关键词 BGO晶体 快中子辐照损伤 等温时效 锗酸铋晶体 退火回复机制 BGO闪烁体 能谱

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中子辐射损伤等效性研究进展 被引量：1

14

作者 邹德慧 邱东 +1 位作者 许波 周静 《同位素》 CAS 2015年第1期54-64,共11页

为建立不同辐射源损伤评价的统一标准,制定武器抗中子辐射性能考核及验收的依据,国内外确定了中子辐射损伤等效标准源,开展了大量的等效性研究工作。本文从位移损伤函数、辐射源能谱以及二者的结合关系方面梳理了理论研究进展。从基本... 为建立不同辐射源损伤评价的统一标准,制定武器抗中子辐射性能考核及验收的依据,国内外确定了中子辐射损伤等效标准源,开展了大量的等效性研究工作。本文从位移损伤函数、辐射源能谱以及二者的结合关系方面梳理了理论研究进展。从基本实验方法、效应参数及场量参数的控制趋势方面总结了实验研究进展。探讨了降低实验不确定度的方法,展望了辐射损伤等效性研究工作的方向。 展开更多

关键词 中子辐射损伤 等效系数 损伤函数 能谱 损伤常数

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CFETR第一壁及赤道面外包层中子辐照损伤初步分析 被引量：2

15

作者 石巍 曾勤 +1 位作者 李卫 陈红丽 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期63-68,共6页

中国聚变工程实验堆(Chinese Fusion Engineering Testing Reactor,CFETR)的包层和偏滤器第一壁面向堆芯等离子体,第一壁辐照损伤分析对于托克马克安全运行至关重要。赤道面外包层较其它包层距离堆芯等离子体中心更近,其结构材料承受中... 中国聚变工程实验堆(Chinese Fusion Engineering Testing Reactor,CFETR)的包层和偏滤器第一壁面向堆芯等离子体,第一壁辐照损伤分析对于托克马克安全运行至关重要。赤道面外包层较其它包层距离堆芯等离子体中心更近,其结构材料承受中子辐照大。因此,进行中子辐照损伤评估十分必要。基于此目的,采用计算机辅助设计(Computer Aided Design,CAD)模型和蒙特卡罗中子学建模转换接口Mc CAD完成中子学建模,并用蒙特卡罗方法的粒子输运程序计算第一壁和氦冷固态外包层结构材料辐照损伤。此外,对比了铍和钨作为面向等离子体材料两种情况下第一壁的受损情况。计算结果表明,氦冷固态包层模型下结构材料可以满足CFETR一期的运行要求。 展开更多

关键词 中国聚变工程实验堆 第一壁 赤道面外包层 中子辐照损伤

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基于蒙特卡罗模拟研究锆钛酸铅镧材料的中子辐照损伤

16

作者 王丽敏 段丙皇 +4 位作者 许献国 李昊 陈治军 杨坤杰 张硕 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期281-289,共9页

锆钛酸铅镧(Pb_(0.94)La_(0.06)Zr_(0.96)Ti_(0.04)O_(3),PLZT)具有良好的介电和储能性质,是高效、高能量密度电容元件和存储器件的基体材料.为研究该材料的中子辐照损伤,首先基于Geant4程序包模拟了能量为1-14 MeV中子辐照浩钛酸铅镧(P... 锆钛酸铅镧(Pb_(0.94)La_(0.06)Zr_(0.96)Ti_(0.04)O_(3),PLZT)具有良好的介电和储能性质,是高效、高能量密度电容元件和存储器件的基体材料.为研究该材料的中子辐照损伤,首先基于Geant4程序包模拟了能量为1-14 MeV中子辐照浩钛酸铅镧(PLZT)材料产生的反冲原子能谱,然后根据产生的反冲原子种类和最大能量,利用二元碰撞方法模拟了不同能量的离子在PLZT中产生的位移损伤(包括空位和间隙原子),最后根据反冲原子能谱和对应能量离子在材料中产生的缺陷数目计算了不同能量的中子在PLZT材料中产生缺陷浓度以及分布.结果发现,对于1-14 MeV能区的快中子而言,其在厚度为3 cm的PLZT材料中产生的缺陷数目近似与中子能量无关,约为460±120空位/中子.辐照损伤在3cm厚度内随深度的增加而略有减小,总体变化小于50%,该减小主要是由于中子的反散射导致.本工作为计算中子在材料中的位移损伤提供了一种方法,同时模拟结果可为研究PLZT基电子器件的中子辐照效应提供指导. 展开更多

关键词 锆钛酸铅镧 蒙特卡罗模拟 中子辐照损伤 缺陷浓度

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基于蒙特卡罗方法的固态氚增殖剂聚变中子辐照损伤行为分析 被引量：1

17

作者 黄学龙 信敬平 +2 位作者 刘少军 郑明杰 毛小东 《核科学与工程》 CSCD 北大核心 2017年第4期590-596,共7页

实验包层模块(TBM)是聚变反应堆最重要的组件之一,作用是产氚和能量提取。锂陶瓷具有良好的化学稳定性、热机械性能、产氚性能以及可在更高温度下使用等特点,被认为是聚变堆包层最具吸引力的氚增殖剂材料。中国ITER-TBM设计方案采用了... 实验包层模块(TBM)是聚变反应堆最重要的组件之一,作用是产氚和能量提取。锂陶瓷具有良好的化学稳定性、热机械性能、产氚性能以及可在更高温度下使用等特点,被认为是聚变堆包层最具吸引力的氚增殖剂材料。中国ITER-TBM设计方案采用了氦冷固态氚增殖剂(HCCB)TBM结构,其聚变环境下的辐照损伤行为可为中国HCCB TBM结构设计提供支持。针对固态氚增殖剂聚变中子辐照损伤问题,利用蒙特卡罗模拟,对比分析了Li_4SiO_4和Li_2TiO_3的中子辐照离位损伤和嬗变气体损伤。结果表明:在相同的服役时间下,Li_4SiO_4比Li_2TiO_3将产生更多的嬗变气体,且在高6 Li丰度情况下,其中子辐照损伤也更严重,会产生更高的损伤剂量和更大的损伤截面。但是,嬗变气体所造成的空位损伤Li_2TiO_3要比Li_4SiO_4严重;对两种陶瓷材料来讲,氦损伤效应均强于氚损伤效应。 展开更多

关键词 聚变 Li4SiO4 Li2TiO3 中子辐照损伤

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核材料中子辐照损伤的团簇动力学模拟综述

18

作者 郑淇蓉 魏留明 +2 位作者 李永钢 张传国 曾雉 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期76-86,共11页

核材料中子辐照损伤是影响核能装置安全性和稳定性的关键问题之一。由于难以开展大量的中子辐照实验来评估核材料的损伤机理,因此相关理论模拟至关重要。介观尺度团簇动力学(CD)模型由于不受时间和空间尺度的限制,是一种研究材料中子辐... 核材料中子辐照损伤是影响核能装置安全性和稳定性的关键问题之一。由于难以开展大量的中子辐照实验来评估核材料的损伤机理,因此相关理论模拟至关重要。介观尺度团簇动力学(CD)模型由于不受时间和空间尺度的限制,是一种研究材料中子辐照损伤长时间演化的有效方法。本文综述了CD的模型、数值算法和最新进展,重点介绍了CD在典型核材料的中子辐照问题中的系列应用,并对CD的未来发展进行了展望。 展开更多

关键词 核结构材料 中子辐照损伤 团簇动力学

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变容二极管中子辐照损伤

19

作者 陈盘训 《核电子学与探测技术》 CAS 1987年第2期93-98,共6页

在中子辐照环境下,变容二极管C—V特性发生变化,在给定偏置下,结电容随中子注量的增加而下降。它是因外延层中引入深俘获能级所致,在高中子注量下,漏电流和正向压降均变大,优值Q也发生变化。

关键词 变容二极管 中子辐照损伤 C-V特性 深俘获能级

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纳米WS_2和MoS_2在西安脉冲堆中辐照损伤的计算机模拟

20

作者 王立鹏 潘孝兵 +5 位作者 朱养妮 朱广宁 江新标 凤仪 张学斌 张忠兵 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期18-22,共5页

采用蒙特卡罗程序(MCNP)对纳米材料WS2和MoS2在西安脉冲堆辐照实验下的位移损伤—原子离位数率进行了模拟计算与分析,确定了堆芯辐照样品内的中子注量率分布;对各样品的中子剂量率、γ剂量率进行了计算,采用典型的热中子反应堆的能谱加... 采用蒙特卡罗程序(MCNP)对纳米材料WS2和MoS2在西安脉冲堆辐照实验下的位移损伤—原子离位数率进行了模拟计算与分析,确定了堆芯辐照样品内的中子注量率分布;对各样品的中子剂量率、γ剂量率进行了计算,采用典型的热中子反应堆的能谱加权,基于平均位移Kerma因子的方法,利用NJOY程序从最新的ENDF/B VII.1评价库中获取各元素的69群损伤截面,对各元素原子离位截面进行了计算,最终得到了各样品的原子离位数率。计算结果显示,纳米材料WS2和MoS2最大原子离位数率可达1.51?10-8DPA·s?1,且快中子对原子离位数率贡献要大于热中子。 展开更多

关键词 西安脉冲堆 中子辐照损伤 原子离位率

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