在托卡马克实验装置中,D-T聚变反应释放出的14 Me V高能中子,与周围部件接触会引起包层材料活化、热负载过高等一系列问题,因此在包层设计和优化过程中,相关的中子学计算显得尤为重要。为了研究不同描述的中子源模型对中国聚变工程实验...在托卡马克实验装置中,D-T聚变反应释放出的14 Me V高能中子,与周围部件接触会引起包层材料活化、热负载过高等一系列问题,因此在包层设计和优化过程中,相关的中子学计算显得尤为重要。为了研究不同描述的中子源模型对中国聚变工程实验堆(China Fusion Engineering Test Reactor,CFETR)中子学计算的影响,使用基于蒙特卡罗方法的MCNP(Monte Carlo N Particle Transport Code)程序来模拟中子输运过程,分别计算点源、均匀体源、基于L、H、A模约束的中子源模型对不同中子学计算的影响。结果表明,不同描述的中子源模型对氚增殖比影响较小,对中子壁负载和功率密度分布影响比较明显。展开更多
文摘在托卡马克实验装置中,D-T聚变反应释放出的14 Me V高能中子,与周围部件接触会引起包层材料活化、热负载过高等一系列问题,因此在包层设计和优化过程中,相关的中子学计算显得尤为重要。为了研究不同描述的中子源模型对中国聚变工程实验堆(China Fusion Engineering Test Reactor,CFETR)中子学计算的影响,使用基于蒙特卡罗方法的MCNP(Monte Carlo N Particle Transport Code)程序来模拟中子输运过程,分别计算点源、均匀体源、基于L、H、A模约束的中子源模型对不同中子学计算的影响。结果表明,不同描述的中子源模型对氚增殖比影响较小,对中子壁负载和功率密度分布影响比较明显。
