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两步碳化制备纳米WC粉末及其合金性能 被引量：6
1
作者 雷纯鹏 吴爱华 +1 位作者 唐建成 刘刚 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2841-2846,共6页
研究了两步碳化工艺对氢还原/碳化制备的纳米WC粉末及其WC-Co合金性能的影响。结果表明,WC粉末的晶粒聚集和异常粗大颗粒主要是由于碳化初期钨颗粒因烧结合并增粗,而钨粉碳化不完全主要是由于碳化后期的温度偏低,利用先低温碳化后高温... 研究了两步碳化工艺对氢还原/碳化制备的纳米WC粉末及其WC-Co合金性能的影响。结果表明,WC粉末的晶粒聚集和异常粗大颗粒主要是由于碳化初期钨颗粒因烧结合并增粗,而钨粉碳化不完全主要是由于碳化后期的温度偏低,利用先低温碳化后高温碳化的两步碳化工艺不仅能够有效抑制纳米颗粒烧结合并增粗,而且可以使钨粉充分碳化,得到颗粒细小、均匀,W2C含量极少的WC粉末;采用1120℃碳化加1180℃碳化的两步碳化工艺制备出的138 nm的WC粉末,W2C含量少于0.5%(质量分数),以其为原料制备的WC-Co烧结体显微组织结构均匀,为超细晶硬质合金,综合性能优良,洛氏硬度HRA高达93.7,抗弯强度高达4380 MPa。 展开更多
关键词 形貌结构 纳米W 纳米WC 均匀性 两步碳化
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WC粉末中的生长孪晶 被引量：1
2
作者 黄新 孙亚丽 +2 位作者 刘清才 颜杰 金永中 《中国钨业》 CAS 北大核心 2005年第6期27-30,40,共5页
通过对不同氧化钨前驱氧化物的采用,研究两步碳化法对WC粉末微观结构的影响,在国内首次探讨WC粉末中生长孪晶的形成机制及其结构特点,阐述生长孪晶对硬质合金性能的影响。
关键词 蓝钨 黄钨 WC粉末 两步碳化 生长孪晶
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纳米碳酸钙材料的工业合成与应用 被引量：4
3
作者 姬泓巍 徐环 +1 位作者 辛惠蓁 宁霞 《青岛海洋大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 2002年第4期634-640,共7页
该文对目前工业上生产纳米碳酸钙的方法作了较为详细的综述。对一步碳化法、两步碳化法、多段喷雾碳化法、旋转填充床碳化反应器碳化技术制备链形、纺锤形、球形。
关键词 纳米碳酸钙 一步碳化法 两步碳化法 喷雾碳化法 旋转碳床法
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Si基(100)取向3C-SiC单晶薄膜生长工艺技术研究 被引量：2
4
作者 毛开礼 王英民 +1 位作者 李斌 赵高扬 《电子工艺技术》 2017年第3期128-130,151,共4页
为了改善3C-SiC单晶薄膜结晶质连SiC单晶薄膜微观结构与碳化工艺是3C-SiC/Si异质外延研究的关键。研究了碳化工艺、3C-SiC薄膜外延生长温度、x(C)/x(Si)气相摩尔比等对于Si基3C-SiC薄膜表面质量和结晶质量的影响,获得(100)单晶Si衬底生... 为了改善3C-SiC单晶薄膜结晶质连SiC单晶薄膜微观结构与碳化工艺是3C-SiC/Si异质外延研究的关键。研究了碳化工艺、3C-SiC薄膜外延生长温度、x(C)/x(Si)气相摩尔比等对于Si基3C-SiC薄膜表面质量和结晶质量的影响,获得(100)单晶Si衬底生长高质量3C-SiC薄膜工艺。通过光学显微镜、XRD射线2θ-ω、XRD摇摆曲线等分析Si基3C-SiC薄膜表面质量和单晶特性。研究表明,在x(C)/x(Si)气相摩尔比为1.6时,采用"两步碳化工艺"在1 385℃生长1 h获得的3C-SiC薄膜为类单晶薄膜,3C-SiC薄膜(200)衍射峰的摇摆曲线半峰宽约为0.19°。 展开更多
关键词 Si单晶衬底 3C-SiC单晶薄膜 修正的两步碳化工艺
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