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两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质 被引量：2
1
作者 韩智明 缪国庆 +1 位作者 曾玉刚 张志伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期288-292,共5页
利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法在Ga As(100)单晶衬底上外延生长InxGa1-xAs材料。通过扫描电子显微镜(SEM)与原子力显微镜(AFM)观察了缓冲层厚度对外延层表面形貌、表面粗糙度的影响;利用X射线衍射(XRD)分析了缓冲层厚度对外延层结晶... 利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法在Ga As(100)单晶衬底上外延生长InxGa1-xAs材料。通过扫描电子显微镜(SEM)与原子力显微镜(AFM)观察了缓冲层厚度对外延层表面形貌、表面粗糙度的影响;利用X射线衍射(XRD)分析了缓冲层厚度对外延层结晶质量的影响;利用拉曼光谱分析了缓冲层厚度对外延层材料合金有序度的影响;通过透射电子显微镜(TEM)观察了外延层材料位错的分布状态,计算了外延层的位错密度。实验结果表明,两步生长法生长的InxGa1-xAs/Ga As异质结材料的缓冲层厚度存在一个最优值。 展开更多
关键词 两步生长法 GAAS INGAAS MOCVD
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LP-MOCVD两步生长法制备的InAs_(0.9)Sb_(0.1)/GaAs
2
作者 谢建春 缪国庆 +5 位作者 金亿鑫 张铁民 宋航 蒋红 刘乃康 李志明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期246-250,共5页
利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法,在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮... 利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法,在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮,室温载流子浓度为1.9×1017cm-3和迁移率为6214cm2/V.s的InAs0.9Sb0.1。在室温Raman光谱中观察到InAs0.9Sb0.1中InAs(LO)的233cm-1和InSb(LO)的187cm-1两种光学声子行为。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 INASSB 两步生长法 GAAS
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两步生长法制备大面积HFCVD金刚石薄膜
3
作者 A. Amorim P. A. P. Nascente V.J. Trava-Airoldi 《工业金刚石》 2009年第3期1-4,共4页
本文报道了一种利用两步热丝化学气相沉积法来提高金刚石薄膜质量的方法，在Si（100）基体上获得了面积45cm^2、厚度60μm的金刚石薄膜。第一步是在HFCVD反应室生长CVD金刚石薄膜，第二步是利用H2SO4：CrO3的饱和溶液对样品进行处理，再... 本文报道了一种利用两步热丝化学气相沉积法来提高金刚石薄膜质量的方法，在Si（100）基体上获得了面积45cm^2、厚度60μm的金刚石薄膜。第一步是在HFCVD反应室生长CVD金刚石薄膜，第二步是利用H2SO4：CrO3的饱和溶液对样品进行处理，再用H2O2：NH4OH（1：1）溶液冲洗干净，处理之后再沉积第二层金刚石薄膜。利用SEM、拉曼光谱、XPS分析金刚石薄膜。结果表明，薄膜厚度达60μm，纯度很高，并且在整个面积上是均匀的。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积(HFCVD) 金刚石 两步生长法 大面积
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