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具有三维连通网络结构的多孔SiC/C材料的电磁损耗特征
被引量：
1
1
作者
方志刚
李处森
+2 位作者
孙家言
张洪涛
张劲松
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期15-21,共7页
通过有机泡沫浸渍/高温炭化和热压固化/高温炭化两种工艺分别制备了具有宏观三维连通网络结构的SiC/C泡沫和显微三维连通多孔结构的SiC/C泡沫同质压制块。使用谐振腔微扰法对比测试了2450MHz频率下两种材料的电磁参数随电导率的变化。...
通过有机泡沫浸渍/高温炭化和热压固化/高温炭化两种工艺分别制备了具有宏观三维连通网络结构的SiC/C泡沫和显微三维连通多孔结构的SiC/C泡沫同质压制块。使用谐振腔微扰法对比测试了2450MHz频率下两种材料的电磁参数随电导率的变化。结果表明:随着电导率的增加,SiC/C泡沫及其同质压制块的介电常数实部εr′均逐渐增加;电损耗tgδe均先增加,达到最大值后逐渐减小;SiC/C泡沫的磁损耗tgδm不断增加,而其同质压制块的tgδm值则先快速增加,达到最大值后缓慢下降。当二者具有相同有效电导率时,SiC/C泡沫的εr′值比其同质压制块约小1/2,tgδe值至少大2倍,而压制块的tgδm值超过SiC/C泡沫4倍多。SiC/C泡沫及其同质压制块是非磁性的,它们的磁损耗均由其特殊结构与电磁场相互作用产生的,是一种非本征磁损耗。
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关键词
SiC/C泡沫
三维
连通
网络结构
电磁损耗
微扰法
非本征磁损耗
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职称材料
题名
具有三维连通网络结构的多孔SiC/C材料的电磁损耗特征
被引量：
1
1
作者
方志刚
李处森
孙家言
张洪涛
张劲松
机构
中国科学院金属研究所
台州学院机械工程学院
出处
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期15-21,共7页
文摘
通过有机泡沫浸渍/高温炭化和热压固化/高温炭化两种工艺分别制备了具有宏观三维连通网络结构的SiC/C泡沫和显微三维连通多孔结构的SiC/C泡沫同质压制块。使用谐振腔微扰法对比测试了2450MHz频率下两种材料的电磁参数随电导率的变化。结果表明:随着电导率的增加,SiC/C泡沫及其同质压制块的介电常数实部εr′均逐渐增加;电损耗tgδe均先增加,达到最大值后逐渐减小;SiC/C泡沫的磁损耗tgδm不断增加,而其同质压制块的tgδm值则先快速增加,达到最大值后缓慢下降。当二者具有相同有效电导率时,SiC/C泡沫的εr′值比其同质压制块约小1/2,tgδe值至少大2倍,而压制块的tgδm值超过SiC/C泡沫4倍多。SiC/C泡沫及其同质压制块是非磁性的,它们的磁损耗均由其特殊结构与电磁场相互作用产生的,是一种非本征磁损耗。
关键词
SiC/C泡沫
三维
连通
网络结构
电磁损耗
微扰法
非本征磁损耗
Keywords
SiC/C foams
Reticulated structure
Electromagnetic loss
Perturbation method
extrinsically magnetic loss
分类号
TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有三维连通网络结构的多孔SiC/C材料的电磁损耗特征
方志刚
李处森
孙家言
张洪涛
张劲松
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
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