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三元混晶膜的表面激子极化激元
1
作者
张媛媛
梁希侠
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期1026-1030,共5页
运用麦克斯韦方程组和波恩-黄昆(Born-Huang)近似,对几种典型膜材料的三元混晶(TMC)膜中的表面激子极化激元进行了研究和数值计算。结果表明:TMC膜中存在两支激子极化激元表面模,与二元材料定性类似,但定量明显不同;TMC膜两支表面模频...
运用麦克斯韦方程组和波恩-黄昆(Born-Huang)近似,对几种典型膜材料的三元混晶(TMC)膜中的表面激子极化激元进行了研究和数值计算。结果表明:TMC膜中存在两支激子极化激元表面模,与二元材料定性类似,但定量明显不同;TMC膜两支表面模频率和分裂能均随组分非线性变化;非线性程度与混晶膜厚(或频率)有关,在某些膜厚(或频率)下,可呈现非单调性。
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关键词
表面激子极化激元
三元
混
晶
(
tmc
)
半导体薄膜
原文传递
题名
三元混晶膜的表面激子极化激元
1
作者
张媛媛
梁希侠
机构
内蒙古大学物理科学与技术学院
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期1026-1030,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(10764003)
文摘
运用麦克斯韦方程组和波恩-黄昆(Born-Huang)近似,对几种典型膜材料的三元混晶(TMC)膜中的表面激子极化激元进行了研究和数值计算。结果表明:TMC膜中存在两支激子极化激元表面模,与二元材料定性类似,但定量明显不同;TMC膜两支表面模频率和分裂能均随组分非线性变化;非线性程度与混晶膜厚(或频率)有关,在某些膜厚(或频率)下,可呈现非单调性。
关键词
表面激子极化激元
三元
混
晶
(
tmc
)
半导体薄膜
Keywords
surface exciton polaritons
ternary mixed crystals（
tmc
）
slab of semiconductor
分类号
O471 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
三元混晶膜的表面激子极化激元
张媛媛
梁希侠
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
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