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三元GaAS/ALAS准周期超晶格系统的电子隧穿透射谱
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作者 姚源卫 蔡敏 屈晔 《广东工业大学学报》 CAS 2002年第3期14-17,共4页
用紧束缚的方法研究了一种多层低维半导体系统———三元准周期超晶格系统的电子隧穿 结果表明:大代数的情况下,电子出现共振隧穿透射的能量区域则集中在某一小的能量范围内。
关键词 GAAS/ALAS 电子隧穿 透射谱 三元准周期超晶格 紧束缚 透射率 多层低维半导体 砷化镓 砷化铝
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