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一维GaN纳米结构的制备、表征及其特性研究
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作者 薛守斌 张兴 +1 位作者 庄惠照 薛成山 《德州学院学报》 2008年第4期36-40,53,共6页
采用在石英炉中,氨化Ga2O3薄膜的方法,在Si(111)衬底上成功了制备GaN纳米结构薄膜:纳米线、纳米棒.分别用X射线衍射仪(XRD,Rigaku D/Max-rB Cu Kα)、傅立叶红外透射谱(FTIR,TENSOR27)、扫描电子显微镜(SEM,Hitachi S-570)、高分辨电镜(... 采用在石英炉中,氨化Ga2O3薄膜的方法,在Si(111)衬底上成功了制备GaN纳米结构薄膜:纳米线、纳米棒.分别用X射线衍射仪(XRD,Rigaku D/Max-rB Cu Kα)、傅立叶红外透射谱(FTIR,TENSOR27)、扫描电子显微镜(SEM,Hitachi S-570)、高分辨电镜(HRTEM,Philips TECNAI F30)和光致发光谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了测量分析.最后,简要的讨论了其生长机制. 展开更多
关键词 一维gan纳米结构 ZnO缓冲层 磁控溅射
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